Разрешения прерываний

Из готового оригинала контрольные фотошаблоны получают масштабным фотографированием на фоторепродуционных полиграфических камерах типа ФГ-ЗМ, ПП-12 и ЭМ-513 (СССР), «Климш» (ФРГ) и других с объективами, имеющими высокую разрешающую способность. Рабочие фотошаблоны изготавливают с контрольных способом контактной печати. Если ТП предусматривает обработку групповой заготовки (при размерах ПП до 100 мм), то на специальном оборудовании (фотоштампах) методом мультипликации получают групповой фотошаблон с точным расположением рисунков рядами и строками, общими элементами совмещения и общим машинным нулем отсчета координат программного сверления отверстий.

Позитивные фоторезисты на основе диазосоединепий имеют повышенную разрешающую способность, химическую стойкость, в них отсутствует темновое дубление. Примером такого фоторезиста может служить состав: 1,2-нафтахинондиазид (2)—5-суль-фоэфир наволока — 3 ... 5 г/л, наволочная смола — 6 ... 10 г/л, ксилол — 70 ... 80 мл/л, монометиловый эфир ацетатгликоля— 20 ... 30 мл/л. Его широко применяют для получения тираже-устойчивых сетчатых трафаретов методом прямой, печати. Наносят жидкие фоторезисты окунанием, центрифугированием, накаткой валками, разбрызгиванием. При покрытии окунанием заготовки погружаются в кювету с фоторезистом и вытягиваются с постоянной скоростью (10 ... 50 см/мин). Толщина слоя определяется вязкостью, скоростью вытягивания и колеблется от 4 до 8 мкм. Способ не требует дорогостоящего оборудования и обеспечивает двустороннее нанесение фоторезиста. Недостатком является неравномерность нанесенного слоя. Применение центрифугирования и накатки валками приводит к повышению равномерности наносимых слоев жидких фоторезистов. Валковые конвейерные установки имеют секции инфракрасной сушки резиста.

Широкое применение электрохимического травления сдерживается неравномерностью удаления металла по плоскости платы, что приводит к образованию невытравленных островков и прекращению процесса. Индивидуальный токопровод, медленное погружение платы в электролит, совмещение электролитического процесса с последующим химическим не обеспечивают его эффективность. Полностью реализовать преимущества электрохимического метода позволяют подвижные носители заряда, которые представляют собой частицы графита, расположенные в суспензированном электролите. Эти частицы принимают заряд с анода и переносят его на поверхность меди, переводя последнюю в ионную форму. Устройство с подвижными носителями заряда приведено на 9.15 и состоит из электролитической ячейки и травильной камеры, между которыми прокачивается электролит. Электролит содержит серную кислоту (50... 100 г/л) с добавкой CuSO4 (до 10%) и взвешенный активированный уголь (массовое содержание 15...30%) с размером частиц 10...50 мкм. Использование электрохимического травления сводит к минимуму боковое подтравлива-ние токопроводящих дорожек и обеспечивает разрешающую способность, равную 70... 100 мкм, но стоимость технологического оборудования превышает стоимость машин для химического травления.

Важным достоинством моделей PS/2 являются развитые графические средства, сочетающие встроенную графическую аппаратуру и графический интерфейс пользователя на основе пакета программ Windows, что, по-видимому, станет новым графическим стандартом для персональных компьютеров. Эти графические средства VGA (Video Grafics Array — видеографическая матрица) имеют разрешающую способность 640Х Х480 элементов отображения, причем все машины, кроме модели 30, снабжаются цветными дисплеями.

Высокую разрешающую способность на большой пло-.щади (что особенно важно при изготовлении БИС и су-пер БИС) могут обеспечить голографические методы, позволяющие значительно упростить процесс экспедирования, избежать применения высокоразрешающих объективов. На светочувствительном материале фиксируется интерференционная картина, образующаяся в результате наложения двух когерентных пучков света: опорного, идущего непосредственно от лазера, и прошедшего через голограмму, играющую здесь роль, аналогичную фотошаблону в проекционной печати. Весьма важным преимуществом голографических методов является нечувствительность получаемого изображения к мелким дефектам голограммы (отдельные царапины, пылинки и т. д.). В оптической фотолитографии с использованием фотошаблонов такие дефекты эмульсионного слоя приводят к появлению дефектов структур, что резко снижает выход годных микросхем, особенно БИС.

рые при обжиге смыкаются между собой. Шаг этих островков равен шагу отверстий сетки, определяемому сечением проволоки или нейлоновых нитей, из которых изготовлена сетка. Минимальный шаг сеток, применяемых в толстопленочной технологии, порядка 70 мкм, эта величина и определяет разрешающую способность толстопленочной технологии.

Применение рентгенолитографии, электронолитогра-фии, ионного травления, ионной имплантации легирующих примесей позволило получить разрешающую способность при изготовлении структур, подобных используемым в БИС, порядка 0,01 мкм 132]. Это создает возможность увеличения числа элементов на одном кристалле до 106. Увеличивать размеры самого кристалла БИС сверх размеров, применяемых сейчас, считается нецелесообразным.

Конструктивно большинство СВЧ ИМС строится как толстопленочные или тонкопленочные ГИС. Ос-. новное отличие здесь состоит не в толщине пленок, поскольку толщина проводящих слоев тонкопленочных СВЧ ГИС также должна превышать толщину скин-слоя, а главным образом в технологии изготовления слоев. Толстопленочная технология не требует сложного оборудования и высокой квалификации персонала, однако разрешающая способность процесса шелкографии не превышает + 10 мкм по толщине пленок и +30 мкм по ширине проводников [34]. Неоднородность и зернистость структур проводников, получаемых из паст, а также шероховатость поверхности керамических подложек являются источниками дополнительных потерь. Тонкопленочная технология обеспечивает при фотолитографическом формировании слоев разрешающую способность +5 мкм. Последующее электролитическое наращивание толщины микрополосковых элементов обеспечивает их достаточно высокую добротность, однако разрешающая способность при этом ухудшается до + 15 мкм. Практикуется также термическое осаждение достаточно толстых проводящих слоев и прямое формирование из них методом фотолитографии микрополосковых элементов.

Переход к бескорпусным ГИС и микросборкам позволяет повысить разрешающую способность коммутационной системы за счет переноса ее значительной части на подложки ГИС (первый уровень коммутации). При этом тонкопленочная технология обеспечивает ширину проводника и зазор порядка 0,1 мм, а контактные площадки 0,3 X 0,3 мм. Кроме этого, тонкопленочная схема межсоединений и термокомпрессионная сварка повышают надежность микроконтактов, одновременно сокращая их количество примерно на два порядка. Коммутационная печатная плата (второй уровень коммутации) обеспечивает необходимые соединения между бескорпусными ГИС и имеет более простую топологию, чем при использовании корпусированных микросхем.

ключается в нанесении специальных светочувствительных материалов на поверхность фольгированных заготовок. Эти материалы при воздействии световой энергии и последующей химической и физической обработки образуют на поверхности сло5 с той или иной защитной способностью. Для получения рисунка светочувствительный слой экспонируют через фотошаблон. Фотохимическая печать дает более высокую точность рисунка и разрешающую способность по сравнению с другими методами. Применение этого метода становится все шире, несмотря на его относительно высокую трудоемкость. В последнее время трудоемкость удалэсь снизить созданием автоматических линий, выполняющих весь процесс в комплексе. Перспективы фотохимической печати связаны прежде всего с дальнейшим увеличением разрешающей способности светочувствительных материалов—фоторезистов и примеяением электронного и лазерного луча для экспонирования (в этом случае не нужны фотошаблоны) .

Метод печати через трафарет (сеткография) [46] также заимствован из полиграфии и получил широкое распространение для нанесения защитных рисунков. Он позволяет применять самые разнообразные краски и составы на основе полимерных смол с высокими защитными свойствами. В настоящее время для этого метода создано высокопроизводительное автоматическое оборудование, позволяющее выполнять процесс печати и на заготовках больших габаритов. Для изготовления трафаретов созданы специальные сетки из металлических и синтетических нитей, разработаны материалы для слоя, образующего трафарет, созданы специальные конструкции рамок трафаретов. Отработка режимов процесса печати позволила значительно повысить разрешающую способность печати, уступающую только фотохимическому методу.

Особенность обработки прерываний зарезервированных уровней состоит в том, что процессор переходит к их обслуживанию независимо от значения флага IF разрешения прерываний.

Режим спецмаскирования. Применяется для того, чтобы программы обслуживания прерываний могли динамически изменять структуру системных приоритетов в процессе работы. Например, при выполнении какой-либо части подпрограммы обслуживания необходимо запретить запросы более низких уровней, а при выполнении другой части — разрешить их. Трудность реализации таких действий состоит в том, что пока выполняется подпрограмма и соответствующий разряд в регистре РОП не сброшен, контроллер не реагирует на запросы с более низким приоритетом. Для разрешения прерываний со всех уровней (в том числе и с более низких) устанавливается режим спецмаскирования (затенения), при котором запрещается только прерывание на данном уровне. Этот режим задается и отменяется командой OCW3 при SSM=1, SM=1 и SSM=1, SM=0 соответственно.

Разряд IEM — маска разрешения прерываний, прямо не связан с управлением режимами обработки исключительных ситуаций, но существенно влияет на их обработку. Когда разряд 1ЕМ=\ сопроцессор не может послать сигнал запроса прерывания INT центральному процессору до тех пор, пока разряд IEM не будет сброшен в «О». Этот механизм позволяет в программах ЦП при необходимости запрещать обработку прерываний от сопроцессора. Установка в «1» и сброс в «О» разряда-маски IEM производится командой FENI и FDISI соответственно.

Система ввода данных от РСБН и датчиков воздушных сигналов построена на основе приоритетных прерываний. Регистры RGD и RGa. (см. 10.21) хранят соответствующие данные измерений РСБН. После окончания очередного цикла измерений возбуждается триггер запроса прерываний Тг1, выход которого подключен к входу схемы приоритетных прерываний с высшим приоритетом. Эта схема посылает в ЦП сигнал запроса прерываний, по которому происходит останов основной программы или подпрограммы обработки данных от измерителя воздушной скорости и курсовой системы. ЦП вырабатывает сигнал разрешения прерываний. По этому сигналу в схеме управления, выполняющей функции системного контроллера, с учетом адресов ^Ga и RGD формируются строб-импульсы, переводящие трех-стабильные схемы буферных регистров RGa и RGD из состояния высокого импеданса в рабочее состояние. В результате этого измеренные значения азимута и дальности передаются на шину данных МПВУ.

Разрешение прерываний приемника (HRIE — бит 0). Бит используется для разрешения прерываний DSP, если приемник данных заполнен. Программный и аппаратный сбросы устанавливают этот бит в 0.

Бит используется для разрешения прерываний DSP, если передатчик данных пуст. Программный и аппаратный сбросы устанавливают этот бит в 0.

Биты разрешения прерываний (WAIn — биты 3-5). Доступный для чтения и записи бит WAIn (n = 0...2) разрешает/запрещает прерывания PWMAn. Когда WAIn устанавливается, прерывание PWMAn генерируется после того, как данные передаются из регистра счета PWMAn (PWACRn) в буферный регистр PWMAn (PWABUFn), т.е., появления нового перехода сигнала несущей частоты. Когда WAIn сбрасывается, прерывание PWMAn запрещается. Бит сбрасывается после аппаратного или программного сбросов.

Бит разрешения прерываний ошибки PWACSR1 (WAEIn — бит 15). Доступный для чтения и записи бит WAEIn (n = 0...2) разрешает/запрещает прерывания ошибки PWMAn. Когда WAEIn устанавливается, и возникает условие ошибки, генерируется прерывание ошибки PWMA. Когда WAEIn сбрасывается, прерывание ошибки PWMAn запрещается. Когда происходит прерывание ошибки, пользовательская программа должна протестировать все биты ошибок PWMAn (WAR0, WAR1, WAR2) и биты ошибок PWMBn (WBRO, WBR1) для того, чтобы выявить, какой именно блок (PWMAn или PWMBn) сгенерировал ошибку. Бит сбрасывается после аппаратного сброса _,RESET или после программного сброса (команда RESET).

Биты разрешения прерываний PWBCSR1 (WBIn — биты 2-3). Доступный для чтения и записи бит WBIn (n = 0,1) разрешает/запрещает прерывания PWMBn. Когда WBIn устанавливается, прерывание PWMBn генерируется после того как данные передаются из регистра счета PWMBn (PWBCRn) в буферный регистр PWMBn (PWBBUFn), т.е., появления нового перехода сигнала несущей частоты. Когда WBIn сбрасывается, прерывание PWMBn запрещается. Бит сбрасывается после аппаратного сброса _,RESET или после программного сброса (команда RESET).

Бит используется для разрешения прерываний от таймера реального времени. Если бит равен 0, прерывания запрещены. Бит RTIE сбрасывается в 0 при аппаратном сбросе.

Сбрасывает бит DI в регистре статуса для разрешения прерываний. Эффект наступает сразу же, и последующие инструкции будут прерываться маскируемыми прерываниями. На немаскируемые прерывания и исключения этот бит не влияет.