Разрешается использовать

Разработка топологии кристалла осуществляется на уровне электрорадиозлементов (элементов). При этом топология каждого элемента оптимизируется по заданным критериям. Конструкторы-топологи осуществляют разработку топологии кристалла в основном вручную, используя на определенных этапах ЭВМ. При этом обеспечивается максимальная плотность размещения элементов, минимальная длина соединительных проводников и максимальное быстродействие. Разработка топологии кристалла методом полного проектирования характеризуется большой трудоемкостью и осуществляется в течение нескольких месяцев.

Разработку топологии биполярной ИМС можно подразделить на несколько этапов, основными из которых являются: получение и детальный анализ исходных данных, расчет конфигураций и геометрических размеров активных и пассивных элементов, разработка эскизов топологии, разработка предварительных вариантов топологии, выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация.

Разработку топологии — схемы расположения элементов на плате с учетом всех требований — производят в два приема: сначала разрабатывают эскизный вариант топологии, а затем — оригинал. При этом процесс разработки топологии (эскизного варианта) носит индивидуальный характер и выполняется с учетом следующих особенностей.

Завершают разработку топологии проектированием конфигурации защитного слоя и выбором для него материала в соответствии с данными табл. 4.5.

В связи с быстрым ростом степени интеграции микросхем решение задач компоновки, размещения и трассировки, возникающих при проектировании топологии БИС, осуществляется с помощью ЭВМ. По этой причине большинство методов, излагаемых в настоящей главе, ориентировано не на разработку топологии БИС вручную, а на автоматизированное проектирование топологии с помощью ЭВМ.

Разработку топологии полосковой платы начинают с размещения полосковой линии и соединителей на регламентированных посадочных местах, предусмотренных в базовом корпусе. Затем следует разместить остальные печатные элементы, соединительные проводники и контактные площадки под навесные элементы в соответствии с заданной электрической схемой, габаритами навесных элементов и выбранным вариантом установки с учетом тепловых режимов. При невозможности размещения на данном типоразмере основания перехс.дят к следующему типоразмеру и повторяют расчет и размещение.

На 2-м этапе необходимо разработать конструкцию ВЧ—НЧ-узла и входящих в него узлов с учетом технологических и конструкторских ограничений. Разработку топологии ВЧ- и НЧ-узла следует начинать с размещения контактных площадок для соединения с выводами, для внутренних соединений в секции и между узлами, для навесных элементов. Расположение выводов необходимо выбирать из регламентированного ряда, предусмотренного в базовом корпусе.

Разработку топологии полупроводниковой ИМС начинают с получения и согласования общих электрических, конструктивных и технологических данных. Исходными электрическими данными для разработки топологии являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам, перечень активных и пассивных элементов и требований к ним. К конструктивным исходным данным относятся порядок расположения на подложке контактных площадок выводов полупроводниковых ИМС, соответствующий разводке выводов корпуса, а также геометрические размеры активных элементов. Эти размеры задаются на специальном конструктивном чертеже, выполняемом в том же масштабе, в котором затем вычерчивают топологический чертеж ИМС. Исходными технологическими данными являются требования и ограничения, обусловленные технологическим процессом изготовления фотошаблонов и самой полупроводниковой ИМС.

Прежде чем начать разработку топологии, отметим некоторые особенности линейных схем в интегральном исполнении. Эти особенности обусловлены тем, что параметры элементов линейных полупроводниковых ИМС являются гораздо более критичными по сравнению с параметрами логических полупроводниковых ИМС. Поэтому при разработке линейных ИМС необходимо стремиться к уменьшению взаимодействия между элементами.

9. Разработку топологии полупроводниковой ИМС следует производить в соответствии с правилами и данными, приведенными в § 2.6 и 2.7.

Разработку топологии — схемы расположения

Разработка топологии кристалла осуществляется на уровне электрорадиоэлементов (элементов). При этом топология каждого элемента оптимизируется по заданным критериям. Конструкторы-топологи осуществляют разработку топологии кристалла (зачастую вручную), используя на определенных этапах ЭВМ. При этом обеспечивается максимальная плотность размещения элементов, минимальная длина соединительных проводников и максимальное быстродействие. Разработка топологии кристалла методом полного проектирования характеризуется большой трудоемкостью и осуществляется в течение нескольких месяцев.

Разрешается использовать разъединители для выключения и включения без нагрузки (при отключенной нагрузке на вторичной стороне), силовые трансформаторы мощностью до 630 кВ • А при напряжений до 10 кВ, мощностью 6300 кВ-А при напряжении 35 кВ, мощностью 10000 кВ-А при напряжении ПО кВ, а также для включения и отключения трансформаторов напряжения.

Контактные соединения должны быть выполнены во вводах аппаратов или в специальных литых, обладающих высокой прочностью металлических коробках, которые называют фитингами. Присоединение проводников винтом (болтом) должно быть сделано так, чтобы предупредить самоотвинчивание. Следует применять контрагайки. Не разрешается использовать для соединения жил проводов и кабелей винтовые и болтовые сжимы с нажатием на жилу проводника торцом винта без прокладок или башмаков, для пайки проводов — легкоплавкие припои.

8. Молниезащита II категории. Здания, сооружения молниезащиты II категории защищают от прямых ударов молнии, от электростатической и электромагнитной индукции и от заноса высоких потенциалов. От прямых ударов молнии защиту выполняют одним из способов: а) отдельно стоящими или установленными на зданиях неизолированными молниепроводами, обеспечивающими соответствующий тип зоны защиты (см. 152). Расстояние от отдельно стоящих молниеотводов до зданий не нормируется. Имшульсное сопротивление заземлите-ля защиты от прямых ударов молнии должно быть не более 10 Ом, (в песке, супеске — допускается до 40 Ом). Заземлители защиты от прямых ударов разрешается объединять с защитным заземлением электрооборудования и заземлителями защиты от электростатической индукции. При установке молниеотводов на зданиях от каждого стержневого или от каждой стойки тросового молниеотвода должно прокладываться не менее 2 то-коотводов. Разрешается использовать в качестве токо-отводов любые металлические конструкции зданий и арматуру железобетонных конструкций; б) путем наложения молниеприемной сетки на неметаллическую кровлю или использования в качестве молниеприемника металлической кровли. Сетку изготовляют из стальной проволоки диаметром 6—8 мм с ячейками 6X6 м. Узлы сетки сваривают. Токоотводы, соединяющие сетку и кровлю с заземлителями прокладывают через 25 м по

Эталон (эталон единицы) — средство измерений (или комплекс средств измерений), обеспечивающее воспроизведение и (или) хранение единицы с целью передачи ее размера нижестоящим по поверочной схеме средствам измерений и официально утвержденное в установленном порядке в качестве эталона (например, комплекс средств измерений для воспроизведения метра через длину световой волны, утвержденный в качестве государственного эталона метра), i Рабочие средства измерений нельзя применять для поверки других средств измерений, если они даже точнее образцовых средств, так как они не утверждены официально как образцовые. С другой стороны, образцовые средства измерений не разрешается использовать в качестве рабочих средств для выполнения практических измерений.

Рабочие средства измерений нельзя применять для поверки других средств измерений, если они даже точнее образцовых средств, так как они не утверждены официально как образцовые. С другой стороны, образцовые средства измерений не разрешается использовать в качестве рабочих средств для выполнения практических измерений.

Для нагрева непроводящих материалов применяются ламповые генераторы с частотой колебательного контура от 13,56 до 81 МГц (серийные установки); известны установки, работающие в более широком диапазоне частот, — от 5,28 до 300 МГц. Для ультразвуковых и высокочастотных установок разрешается использовать несколько определенных частот, поддержание которых устанавливается в пределах ±1,0% во избежание радиопомех, создаваемых промышленными установками.

В помещениях классов В-П, B-IIa, B-I6 и наружных установках класса В-1г разрешается использовать провода и кабели с алюминиевыми жилами для прокладки в стальных трубах, однако сечения жил должны быть не меньше приведенных в табл. 16.

Особые меры предосторожности применяют при сварочных работах внутри котлов и резервуаров. Сварщик должен работать в диэлектрических перчатках и галошах, подстилать резиновый коврик и надевать резиновый шлем. Обязательным является присутствие снаружи емкости второго лица с квалификационной группой не ниже III. Разрешается использовать переносные лампы на напряжение не выше 12 В.

Здания и сооружения III категории. Для них защиты от вторичных воздействий тока не требуется. Разрешается ввод воздушных линий. Защита от заноса высоких потенциалов по ЛЭП до 1000 В осуществляется заземлением штырей изоляторов на концевой опоре (Р = 30 Ом), а также установкой на проводах ввода искровых промежутков или низковольтных вентильных разрядников, подключенных к заземлителю с /?о = = 20 Ом. Защита от заноса высоких потенциалов по трубопроводам выполняется заземлением вводов трубопровода в объект (^ = 20 Ом) и двух ближайших к объекту опор (/? = 40 Ом). Разрешается использовать для заземления заземляющие устройства воздушных линий и защиты от прямых ударов молнии.

а) разрешается использовать при условии отсутствия вредных помех радиослужбам:

б) разрешается использовать при условии, что уровень поля от установок на расстоянии 30 м не будет превышать 1500 мВ (на рабочих частотах и гармониках в пределах выделенных частотных полос):