Разработки технологии

Основой для разработки технологического процесса регулировки является следующий набор технической документации: 1) техническое описание (ТО); 2) технические условия (ТУ); 3) структурная схема; 4) функциональная схема; 5) принципиальная электрическая схема; 6) монтажная схема (схема соединений); 7) схема подключения; 8) электромонтажные чертежи; 9) программа и методика испытаний.

Четвертый и пятый элементы определяют порядковый номер разработки технологического типа прибора и обозначаются от 01 до 99.

В четвертой главе рассмотрено содержание технологической части дипломных проектов, приведены примеры разработки технологического процесса сборочной единицы. Пятая глава посвящена экономической части дипломного проекта, в которой приведен пример расчета экономического эффекта от использования нового изделия.

Исходные данные для выбора режимов работы намоточного станка и разработки технологического процесса катушки приведены ниже.

В результате разработки технологического цикла каждый элемент изделия снабжается комплектом технологической документации, содержащей полную информацию о порядке изготовления элемента.

Наконец, еще одной особенностью МДП-ИМС, связанной как с экономическими, так и с рабочими характеристиками, является относительная простота их разработки и обеспечения заданных параметров. Иначе говоря, при проектировании МДП-ИМС велика вероятность удовлетворения требований технического задания с первой попытки. Это обеспечивается стабильностью и тщательностью разработки технологического процесса. Обычно для получения заданных рабочих характеристик достаточно лишь изменить топологию МДП-транзисторов. Если указаны параметры, обеспечиваемые данным технологическим процессом, и известно техническое задание на МДП-ИМС, то сравнительно просто могут быть определены необходимые размеры МДП-транзисторов. Дополнительную гарантию получения заданных рабочих характеристик дает широкое использование автоматизации процесса проектирования МДП-ИМС.

Для разработки технологического процесса необходимо знать физико-химические свойства источника примеси, например гигроскопичность (содержание влаги) при разных температурах. Так, при использовании РгО5, обладающего высокой гигроскопичностью, в процессе диффузии необходим контроль содержания влаги в реакционной системе, поскольку поверхностные слои фосфорного ангидрида, насыщенные влагой, препятствуют испарению источника.

Наконец, еще одной особенностью МДП-ИМС, связанной как с экономическими, так и с рабочими характеристиками, является относительная простота их разработки и обеспечения заданных параметров. Иначе говоря, при проектировании МДП-ИМС велика вероятность удовлетворения требований технологического задания с первой попытки. Это обеспечивается стабильностью и тщательностью разработки технологического процесса. Обычно для получения заданных рабочих характеристик достаточно лишь изменить топологию МДП-транзисторов. Если указаны параметры, обеспечиваемые данным технологическим процессом, и известно техническое задание на МДП-ИМС, то сравнительно просто могут быть определены необходимые размеры МДП-транзисторов. Дополнительную гарантию получения заданных рабочих характеристик дает широкое использование автоматизации процесса проектирования МДП-ИМС.

Трудность разработки технологического процесса и оснастки состоит в обеспечении равномерности нагрева и охлаждения при закалке. Известно, что в зоне подвода токопсдводящих шин магнитное поле индуктора обычной конструкции искажено, вследствие чего нагрев поверхности детали против токоподводов несколько ослаблен. Если цилиндрическая деталь установлена эксцентрично в индукторе, то там, где зазор увеличен, зона нагрева бывает несколько размытой, глубина закалки получается меньшей. В результате возникшей асимметрии нагрева длинная деталь будет искривляться в сторону меньшего зазора, еще более приближаясь к индуктирующему проводу. Незначительная вначале асимметрия нагрева искривляет деталь, самопроизвольно изменяет ее центровку в индукторе, еще более увеличивая асимметрию нагрева. Деформация лавинообразно нарастает. Поэтому при поочередной закалке шеек коленчатого вала (или кулачков и других элементов распределительного вала) имеет место увеличение деформации от шейки к шейке. Очередность закалки участков детали заметно влияет на деформацию и может быть выбрана более выгодной. Неравномерность охлаждения также служит причиной деформации.

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код, первый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Второй элемент обозначения — буква, определяет подкласс приборов, третий элемент — цифра (или буква для оптопар), определяет один из основных характеризующих прибор признаков (параметр, назначение или принцип действия). Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора, пятый элемент — буква, условно определяет классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

Четвертый — шестой элементы — трехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов (каждый технологический тип может включать в себя один или несколько типов, различающихся по своим параметрам).

Темами курсовых проектов по предмету «Технология и оборудование производства электрических аппаратов на напряжение до 1000 В» могут быть: разработка технологии изготовления деталей сборочных единиц и сборка реле, контакторов, магнитных пускателей, автоматических выключателей, аппаратов с применением полупроводниковых приборов и др. Для разработки технологии следует выбирать наиболее массовые и характерные для аппаратостроения пластмассовые и холодноштампованные детали, печатные платы, катушки, магнитные и контактные системы и т.п. Кроме того, целесообразно включать в задание специальные методы технологической обработки (анодно-механическую, ультразвуковую, лазерную, электроискровую, виброобкатку и д.). Выполняя курсовой проект, необходимо использовать типовые технологические процессы, стандарты предприятия, инструкции, каталоги и др.

В результате разработки технологии производства литого микропровода в сплошной стеклянной изоляции была решена проблема производства высокоомных резисторов и приборов на их основе.

Знание основных физико-химических свойств полупроводников (плотность, температура плавления, давление пара самого полупроводника и составляющих его компонентов для сложных полупроводников и т.п.), диаграмм состояния систем, в которых образуются сложные полупроводники, и диаграмм состояния полупроводник — легирующая примесь необходимо для разработки технологии и аппаратуры для получения полупроводников, выращивания их монокристаллов и эпитаксиальных слоев. Данные о некоторых свойствах важнейших полупроводников приведены в табл. 1.

В условиях завода себестоимость трансформатора определяется после выполнения рабочих чертежей и разработки технологии его изготовления путем точной калькуляции всех прямых и косвенных затрат (на материалы,

В условиях завода себестоимость трансформатора определяется после выполнения рабочих чертежей и разработки технологии его изготовления путем точной калькуляции всех прямых и косвенных затрат (на материалы, заработную плату производственных рабочих, цеховые, общезаводские и другие расходы). Такая калькуляция служит обычно основанием для расчета и утверждения цены трансформатора.

Химические свойства. Знание химических свойств диэлектриков важно для оценки надежности их в эксплуатации и для разработки технологии.

ным новым позволяет сэкономить до 80% используемых энергоресурсов. Однако и новые технологии далеко не исчерпывают потенциальных резервов экономии. Последние существенно зависят от вида технологии, что позволяет выделить для дальнейшей разработки технологии с наибольшими резервами энергосбережения. Как видно из табл. 3.1, расход энергоресурсов даже в новых технологиях теоретически можно уменьшить еще в 2—4 раза.

Синтетические топлива. Основными причинами разработки технологии производства

Компания Cogas Development Company представляет собой консорциум частных компаний, созданный в 1972 г. с целью разработки технологии, которая позволяла бы получать одновременно среднекалорийный и высококалорийный газы и синтетическую сырую нефть. Эксперименты проводились IB г. ГТрин-стоне (штат. Нью-Джерси) и г. Лезерхеде

Проблема разработки технологии получения порошковых слоев возникла в связи с широким внедрением полимерных материалов для получения технологических, защитных и декоративных покрытий. Полимерный порошок образует сплошное покрытие при соприкосновении с предварительно нагретой поверхностью изделия; если он наносится на холодное изделие, то покрытие превращается в сплошное при последующей термообработке.

Спектральная чувствительность фотоприемников в УФ области спектра определяется многими факторами, главный из которых — ширина запрещенной зоны используемого полупроводника. С этой точки зрения наиболее перспективны материалы с Eg ^ 3 эВ. Однако круг применяемых полупроводников определяется не только значением Eg. Необходимо учитывать такие факторы, как коэффициент отражения и коэффициент преломления материала в УФ области спектра, состояние поверхности, ее дефектность и др. При выборе исходного полупроводника важную роль играет уровень разработки технологии его получелия. Требование высокой фоточувствительности в УФ области спектра определяет и особенности конструкции- фотоприемников данного типа. Для изготовления УФ фотоприемников -используются кремний, широкозонные соединения А3—В5 и А2—В6, карбид кремния и слоистые соединения.