Разработке электрической

При использовании тонкопленочной технологии для изготовления коммутационных плат с высокой разрешающей способностью предъявляются высокие требования к качеству фотошаблонов (точность совмещения слоев на поле 150 мм составляет ±5 мкм, точность выполнения линий ± 1 мкм). При тиражировании фотошаблонов удобно использовать управляемые ЭВМ координатографы (графопостроители) и фотонаборные установки. На этапе опытного-производства при составлении ограниченного числа описаний топологии невысокой сложности при объеме информации до 42 тыс. точек целесообразно применение полуавтоматической системы изготовления фотошаблонов: разработка топологии и кодирование информации вручную, обработка информации, изготовление фотошаблонов и чертежей с помощью ЭВМ. Используемое оборудование — ЭВМ типа 1020 или 1033, графопостроитель ЭМ-712, координатосъем-щик ЭМ-709, координатографы типа ЭМ-703 или КПА — обеспечивает объем работы по оснащению производства необходимыми инструментом и документацией. Система технического обеспечения в настоящее время достаточна гибка, например она позволяет отказаться от координатографов при изготовлении фотошаблонов и использовать более высокопроизводительные фотомонтажные (типа М-2005 или ЭМ-538) и микрофотонаборные (типа ЭМ-549 или ЭМ-559) установки.

Разработка топологии ИМС напоминает процесс проектирования многослойных печатных плат. Она представляет собой весьма трудоемкую работу и требует от конструктора известного опыта. По мере возрастания степени интеграции микросхем эта разработка все более усложняется и часто занимает несколько месяцев напряженного труда, и что хуже всего, при этом не исключается возможность ошибок. Эти ошибки подчас выясняются только после изготовления микросхем, т. е. после разработки и изготовления дорогостоящей оснастки для технологических процессов.

Третий этап проектирования — разработка топологии микросхем, где решается задача размещения эле-, ментов электрической схемы на поверхности подложки в системе координат кристалла. Затем производится трассировка соединений между элементами и с внешними выводами микросхемы. Для сокращения счета расположение некоторых элементов задается разработчиком. Это касается в первую очередь контактных площадок, некоторых проводников и других элементов топологии.

Конструирование деталей корпуса и разработка топологии микросхемы

разработка топологии микросхемы является первым этапом. Топологией или топологическим чертежом ИС назынается такой чертеж, в котором указаны форма, местоположение и коммутационная связь элементов и компонентов на подложке, Руководствуясь топологическим чертежом, изготовляют маски или фотошаблоны для создания рисунка ИС на подложке.

Разработка топологии кристалла осуществляется на уровне электрорадиозлементов (элементов). При этом топология каждого элемента оптимизируется по заданным критериям. Конструкторы-топологи осуществляют разработку топологии кристалла в основном вручную, используя на определенных этапах ЭВМ. При этом обеспечивается максимальная плотность размещения элементов, минимальная длина соединительных проводников и максимальное быстродействие. Разработка топологии кристалла методом полного проектирования характеризуется большой трудоемкостью и осуществляется в течение нескольких месяцев.

Основной задачей проектирования является разработка топологии и морфологии гибридной ИМС, на базе чего оформляют чертежи для изготовления фотошаблонов (масок) и осуществляют сборку. Разработка топологии является одним из важных этапов проектирования гибридной ИМС, на котором решают задачу компоновки пленочных элементов и компонентов с учетом общей компоновки микросхемы, ее электрических особенностей и технологических возможностей изготовления.

§ 4.10. РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ И КОНСТРУКЦИИ ГИБРИДНЫХ ИМС

§ 4.10. Разработка топологии и конструкции гибридных ИМС . . . 204

Автоматизация такого процесса проектирования представляет собой довольно трудную проблему, которая в настоящее время решается преимущественно инженером с помощью подсистемы интерактивного проектирования (т.е. специальных технических средств, обеспечивающих режим диалога человека с ЭВМ). В тех случаях, когда важно сократить время выполнения проектных работ, разработка топологии БИС организуется таким образом, что сначала используются программы автоматической компоновки, размещения и трассировки схемы, большинство из которых решает эти задачи на основе простой упорядоченной структуры линейного размещения ячеек и трассировки соединений между ними по вертикалям и горизонталям опорной решетки коммутационных полей. В среднем площадь кристалла с такой топологией БИС оказывается на 20—50 % больше, чем при решении задач конструирования БИС человеком. Кроме того, у таких БИС иногда снижается быстродействие из-за возрастания длины соединительных цепей между ячейками. Чтобы устранить данные недостатки, после автоматического проектирования топологии БИС в ее конфигурацию конструктор вносит соответствующие коррективы, пользуясь подсистемой интерактивного проектирования.

9.3. Разработка топологии полупроводниковых ИМС

С учетом указанных требований при разработке конструктивной схемы лебедки необходимо рационально выбирать мощность двигателей, систему торможения, число скоростей и передаточные отношения привода, а при разработке электрической схемы — схемы главных и управляющих цепей, системы возбуждения электрических машин, системы автоматического управления и защитных и блокировочных устройств.

При разработке электрической машины задаются рядом исходных величин, которые будут являться номинальными данными спроектиро-

Схемное проектирование заключается в разработке электрической схемы и методов ее контроля с помощью макетирования или моделирования. Именно при схемном проектировании выбирают оптимальный базовый элемент и определяют число базовых и других элементов, необходимых для построения БИС.

Современная микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, при которой каждый элемент схемы формируется отдельно в полупроводниковом кристалле. При этом в основе создания ИМС лежит принцип элементной (технологической) интеграции, сопровождающейся микроминиатюризацией элементов (активных и пассивных) микросхемы. В ИМС можно выделить области, представляющие собой активные (диоды, транзисторы) и пассивные (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементы. В интегральной микроэлектронике сохраняется главный принцип дискретной электроники, основанной на разработке электрической схемы по законам теории цепей. Этот принцип неизбежно связан с ростом числа элементов микросхемы и межэлементных соединений по мере усложнения выполняемых ею функций.

В настоящее время АЭС работают преимущественно как конденсационные электростанции и их электрические схемы строятся по блочному принципу. При разработке электрической части АЭС учитывается, что эти электростанции:

При разработке электрической части ГЭС учитывают, что эти электростанции:

В настоящее время АЭС работают преимущественно как конденсационные электростанции, и их электрические схемы строятся по блочному принципу. При разработке электрической части АЭС учитывается, что эти электростанции:

Гидроэлектростанции по условиям технологического процесса, режиму работы в энергосистеме, параметрам оборудования, компоновочным решениям существенно отличаются от тепловых электростанций. При разработке электрической части ГЭС учитывают, что эти электростанции:

Схемное проектирование заключается в разработке электрической схемы и методов ее контроля с помощью макетирования или моделирования. Именно при схемном проектировании выбирают оптимальный базовый элемент и определяют число базовых и других элементов, необходимых для построения БИС.

В основе создания ИМС лежит принцип элементной (технологической) интеграции, сопровождающейся микроминиатюризацией элементов (активных и пассивных) микросхемы. В ИМС можно выделить области, представляющие собой активные (диоды, транзисторы) и пассивные (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементы. В интегральной микроэлектронике сохраняется основной принцип дискретной электроники, основанной на разработке электрической схемы по законам теории цепей. Этот принцип неизбежно связан с ростом числа элементов микросхемы и межэлементных соединений по мере усложнения выполняемых ею функций.

В основе создания ИМС лежит принцип элементной (технологической) интеграции, сопровождающейся микроминиатюризацией элементов (активных и пассивных) микросхемы. В ИМС можно выделить области, представляющие собой активные (диоды, транзисторы) и пассивные (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементы, В интегральной микроэлектронике сохраняется основной принцип дискретной электроники, основанной на разработке электрической схемы по законам теории цепей. Этот принцип неизбежно связан с ростом числа элементов микросхемы и межэлементных соединений по мере усложнения выполняемых ею функций.