Размерами магнитопровода

уже в ближайшее время повысить разрешающую способность в 5... 10 раз. Таким образом, окажется возможным перейти к изготовлению структур с минимальными размерами элементов 100... ... 200 нм.

Фотолитография заключается в нанесении на пластину фоточувствительного слоя. Этот слой засвечивают через маску, и при проявлении на пластине образуется рисунок определенной конфигурации. При травлении пластины в плавиковой кислоте под рисунком SiO2 не удаляется, окна в защитной пленке SiO2 вскрываются только на неосвещенных участках. Фотолитография позволяет создать рисунки с размерами элементов не менее 2 мкм. Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография, позволяющая при засветке пластины электронным лучом создавать элементы с минимальными размерами до 0,1 мкм.

В случае «больших» ( > 1 мкм ) дефектов, соизмеримых с размерами элементов БИС,

Наиболее часто применяемыми и наиболее сложными элементами полупроводниковых ИМС являются транзисторы. Доминирующее положение в полупроводниковых ИМС занимают биполярные и полевые (с МОП-структурой) транзисторы. Полупроводниковые ИМС на основе МОП-транзисторов обладают более простой технологией изготовления, меньшими размерами элементов и большей степенью интеграции. Особенно значительны преимущества МОП-технологии в БИС. Однако по быстродействию полупроводниковые ИМС на МОП-транзисторах уступают биполярным.

нению с биполярными ИМС в первую очередь связана с меньшими размерами элементов. Кроме того, малые размеры и небольшая потребляемая мощность даже достаточно сложных МДП-ИМС дают возможность широко применять резервирование или мажоритарную логику, что способствует дальнейшему повышению надежности. Однако главная причина повышения надежности МДП-ИМС обусловлена значительным уменьшением числа межэлементных соединений.

В зависимости от соотношения между линейными размерами элементов СВЧ-ИМС и рабочей длиной волны А, различают элементы с сосредоточенными и распределенными параметрами. Первые имеют размеры, пренебрежимо малые по сравнению с К (менее 0,1 Я); к ним относятся полупроводниковые диоды, транзисторы, а в области сравнительно больших длин волн — катушки индуктивности, конденсаторы и резисторы невысоких номиналов. Чаще всего такие элементы изготовляют на подложке СВЧ-ИМС по пленочной технологии.

Описанный процесс получения фотошаблонов — многоступенчатый. На каждой ступени происходит накопление дефектов в рисунке. Поэтому при производстве БИС и СБИС, характеризующихся очень малыми размерами элементов рисунка и высокой требуемой точностью его воспроизведения, число ступеней процесса изготовления фотошаблонов должно быть минимальным. Для этого оригинал выполняется с небольшим масштабом увеличения (обычно 10:1), размеры элементов рисунка на нем составляют десятки и даже единицы микрометров. Используются прецизионные оптико-механические установки — генераторы

Перевозка аппаратуры на автотранспорте. Защита РЭА от динамических воздействий при перевозке оказывается значительно более сложной по сравнению с вибрационной защитой. Это можно объяснить тем, что при транспортировке на аппаратуру действуют случайные толчки, удары, определяемые профилем дороги, и собственные колебания отдельных частей автомашин или железнодорожных вагонов. Обычно это нерегулярные возмущения, но они могут иметь и регулярный характер. Например, при движении автомашин по автостраде с бетонным покрытием наблюдается периодическое возмущение, определяемое скоростью движения машины и размерами элементов дорожного покрытия. В спектре колебаний будут наблюдаться частоты p = v/l (Гц), где v — скорость автомобиля, м/с; / •— размер элементов покрытия, м.

Примером простых ИМС могут служить логические элементы. Средние ИМС — это сумматоры, счетчики, оперативные запоминающие устройства (ОЗУ), постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) емкостью 256—1024 бит. Большие ИМС (БИС) — это арифметико-логические и управляющие устройства. Со второй половины 70-х годов разрабатывают ИМС 4 —5-й степени интеграции с числом элементов ЛГ = 10*-г 106 и минимальными размерами элементов 1,0 — 0,1 мкм (СБИС).

Высокая разрешающая способность. В настоящее время используются фотошаблоны с минимальными размерами элементов рисунка — до единиц и десятых долей микрометра.

Примером установок подобного типа может служить отечественная электронно-лучевая установка высокого разрешения (ЭЛУВР), предназначенная для изготовления (экспонирования) фотошаблонов полупроводниковых ИС с минимальными размерами элементов 1 мкм и несовмещаемостью слоев 1 мкм. Программное перемещение луча осуществляется от ЭВМ.

3. Одно из преимуществ сборки сердечника трансформатора внахлестку состоит в том, что удается уменьшить воздушные зазоры в стыках между стержнями и ярмом. Почему принимают меры для уменьшения этих зазоров, хотя по сравнению с размерами магнитопровода они очень малы?

Выбрав форму и основные конструктивные размеры магнитопровода, определив начальный зазор и индукцию, необходимо рассчитать магнитное сопротивление всей магнитной цепи, включая магнитопро-вод и воздушные зазоры. Точный расчет магнитного сопротивления магнитопровода не представляется возможным. Его значение определяется не только геометрическими размерами магнитопровода и свойствами материала, но также такими факторами, как потери на гистерезис и поверхностный эффект. Кроме того, оно зависит от величины воздушного зазора, при изменении которого изменяется индукция. В связи с этим во многих работах [ПО, 127] при расчете магнитного сопротивления магнитной цепи индуктивных преобразователей делается допущение, что магнитное сопротивление стальных участков намного меньше сопротивления воздушного зазора и, следовательно, им можно пренебречь.

При расчете магнитных цепей с известными размерами магнитопровода приходится по заданной величине магнитного потока находить соответствующее ей значение магнитодвижущей силы или решать'обратную задачу. По скольку в состав магнитной цепи обычно аходят магнитномягкие материалы, то, пренебрегая явлением магнитного гистерезиса, полагают, что зависимость величины магнитной индукции В от значения напряженности магнитного поля Н определяется однозначной функцией, отображаемой основной кривой намагничивания В — F(H) ( 34). Для воздушных зазоров магнитопровода эта зависимость является линейной и описывается уравнением:

('сновными размерами магнитопровода являются:

Основными размерами магнитопровода являются: а) сечение Sz, высота hz и ширина bz зубца в расчетных сечениях якоря; б) сечение 5Я и высота /гя спинки якоря; в) длина воздушного зазора между главным полюсом и якорем б ; г) сечение 5Г, высота Лг и ширина Ьг главного полюса; д) ширина Ьгн, длина /г„ и высота Лгн наконечника главного полюса; е) длина воздушного зазора между главным полюсом и станиной 8гс', ж) сечение 5С, длина /с и высота Лс станины.

Геометрическая и приведенная проводимости потоков рассеяния. Сравним поток рассеяния в магнитной системе с сосредоточенной МДС ( 7-И, а) и с распределенной МДС ( 7-11,6). Проводимость потоков рассеяния Лр между участками 1—2 и Г —2' поверхностей магнитопровода, определяемая геометрическими размерами магнитопровода, т. е. геометрическая проводимость Л,, вычисляется приведенными выше способами. При сосредоточенной МДС поверхности 1—2 и Г —2', если пренебречь потерями МДС в стали, являются эквипотенциальными поверхностями. Разность магнитных потенциалов между любыми двумя точками этих поверхностей 1/ц = F. Проводимость потоков рассеяния Лр = Лг. Поток рассеяния вычисляется здесь по уравнению

Геометрическая и приведенная проводимости потоков рассеяния. Сравним поток рассеяния в магнитной системе с сосредоточенной МДС ( 7- 11, а) и с распределенной МДС ( 7-11,6). Проводимость потоков рассеяния Ар между участками 1—2 и Г — 2' поверхностей магнитопровода, определяемая геометрическими размерами магнитопровода, т. е. геометрическая проводимость Лг, вычисляется приведенными выше способами и по формулам. При сосредоточенной МДС поверхности 1-2 и Г — 2', если пренебречь потерями МДС в стали, являются эквипотенциальными поверхностями. Разность магнитных потенциалов между любыми двумя точками этих поверхностей [7И = F. Проводимость потоков рассеяния Лр = Лг. Поток рассеяния вычисляется здесь по уравнению

Из выражения (10.32) видно, что постоянная времени любой обмотки трансформатора не зависит ни от диаметра провода, ни от количества витков обмотки, а определяется только физическими свойствами используемых для сердечника и обмотки материалов и геометрическими размерами магнитопровода и обмотки.

Обмотка наматывается на цилиндрический каркас. Высота обмотки h определяется заданными размерами магнитопровода и каркаса. Толщину b всех слоев обмотки определяем из соотношения

Температура перегрева трансформатора определяется из минимально возможной поверхности охлаждения. Для простоты будем считать эквивалентную поверхность трансформатора равной поверхности сплошного цилиндра с размерами магнитопровода. Тогда охлаждающая поверхность-