Размещения элементов

Выбор количества отходящих ЛЭП на каждом напряжении зависит от их пропускной способности, района размещения электростанции, условий обеспечения параллельной работы электростанции с системой и выполнения требований к качеству электроэнергии в различных режимах.

где А — коэффициент, учитывающий условия рассеивания (принимается в зависимости от климатических условий района размещения электростанции от 120 до 240); М — суммарное количество вредных примесей, г/с; F - коэффициент, учитывающий скорость оседания (для газообразных примесей F = 1, для пыли F = 2); т — безразмерный коэффициент, учитывающий условия выхэда дымовых газов из устья трубы; N — число дымовых труб одинаковой высоты; AT — разность между температурой дымовых газов на выходе из трубы и средней температурой воздуха, К; V - объемный расход дымовых газов, м3/с; с^ — фоновая концентрация вредных примесей в атмосфере, мг/м3.

Исследование морских организмов и оценка воздействия на них. Исследование морских организмов проводится в морском районе, прилегающем к месту размещения электростанции, включая область потенциального распро-

Поскольку водозаборное и водовыпускное сооружение необходимо устраивать в таких местах, где воздействие их на морские организмы будет минимальным, во время подготовки основного плана размещения электростанции проводятся соответствующие исследования и выбор этих мест. Ведутся также работы по исследованию возможности применения механической промывки вместо хлора, используемого в целях предотвращения прилипания микроорганизмов к конденсатору и другим конструкциям.

оценки затрат но сети для заданного размещения электростанции в ЭЗС

В число рассматриваемых вариантов размещения электростанции должны входить варианты развития каждой отдельной установки до технически предельной мощности при условии, что мощность отдельной электростанции на каждом этапе не должна превышать 15—20% от суммарной установленной мощности электростанций ОЭС.

Выбор системы механизации угольных складов в каждом конкретном случае определяется технико-экономическим обоснованием с учетом климатических условий района размещения электростанции, объема хранения, часового расхода и качества топлива.

Мазут в котельное отделение пылеугольных ТЭС подают по одному трубопроводу, пар в растопочное мазутохозяйство — также по одному трубопроводу. Пропускную способность мазутопрово-дов и производительность насосов растопочного мазутного хозяйства выбирают с учетом числа и мощности агрегатов (энергоблоков) на электростанции, режима работы электростанции в энергосистеме и особенностей района размещения электростанции. При этом число одновременно растапливаемых котлов с нагрузкой до 30 % их номинальной производительности должно быть не более:

Выбор системы механизации угольных складов в каждом конкретном случае определяется технико-экономическим обоснованием с учетом климатических условий района размещения электростанции, объема хранения, часового расхода и качества топлива.

Мазут в котельное отделение пылеугольных ТЭС подают по одному трубопроводу, пар в растопочное мазутохозяйство — также по одному трубопроводу. Пропускную способность мазутопрово-дов и производительность насосов растопочного мазутного хозяйства выбирают с учетом числа и мощности агрегатов (энергоблоков) на электростанции, режима работы электростанции в энергосистеме и особенностей района размещения электростанции. При этом число одновременно растапливаемых котлов с нагрузкой до 30 % их номинальной производительности должно быть не более:

Основные достоинства полевых транзисторов - большое сопротивление входной цепи (1-10 МОм) и технологичность при производстве интегральных микросхем с большой плотностью размещения элементов. Основной недостаток — относительно невысокое быстродействие.

Существенное продвижение в микроэлектронике было связано с развитием систем автоматического проектирования и автоматизированного изготовления радиоэлектронной аппаратуры (САПР РЭ). Благодаря средствам САПР стало возможным практически безошибочно и в значительно более короткие сроки проектировать БИС и сверхбольшие ИС (СБИС) с плотностями размещения элементов на кристалле в несколько десятков

Наибольший технический эффект достигнут именно в области проектирования ЦАА, чему способствует наивысшая степень унификации и стандартизации ИМС и микросборок в цифровых устройствах. Эффективность алгоритмов компоновки зависит как от схемных, так и конструктивно-технологических особенностей и ограничений способов монтажа, а именно: плотности размещения элементов БИС (с решением вопроса перераспределения теплоты); допустимого числа выходных контактов, места и шага размещения их на коммутационной плате; зон запрета; числа необходимых соединений и т. д.

3) переход к универсальным автоматическим системам проектирования по принципу максимально плотного размещения элементов и компонентов любой номенклатуры на плате ГИФУ;

Задача размещения элементов на подложке, трассировка соединений и другие операции могут решаться с помощью ЭВМ. При наличии набора стандартных программ применение машинного метода расчета и размещения элементов и соединений резко сокращает время разработки и дает гораздо меньше ошибок, которые можно легче обнаружить и исправить еще в процессе проектирования.

При современнбм уровне технологии разрешающая способность фотолитографии определяет достижимые геометрические размеры структур ИМС и достижимую поверхностную плотность размещения элементов микросхемы на подложке. При химическом травлении тонких пленок через контактную маску существенную погрешность вносит боковое подтравливание, т. е. разрушение участков пленки под кромкой маски. Контур получаемого рисунка становится нечетким, а погрешность достигает величины, приближающейся к толщине пленки.

Задачи расчета геометрических размеров и размещения элементов, а также трассировки соединений могут решаться с помощью ЭВМ.

Описанные функционально-интегрированные элементы полностью не устраняли недостатков традиционных структур ИМС на БТ. Изоляция элементов продолжает оставаться необходимой, хотя количество конструктивных элементов изоляции уменьшилось. Следовательно, технология ИМС не претерпела существенных изменений. За счет функциональной интеграции сократилось число внутрисхемных металлизированных соединений и контактных окон, уменьшилась площадь, необходимая для размещения элементов, и повысилась степень интеграции, что позволило реализовать первые БИС на БТ.

Под топологией полупроводниковых ИМС понимают пространственно-геометрический порядок размещения элементов, их форму и вид соединения между ними на поверх/-ности кристалла полупроводника. Топология охватывает лишь часть конструктивных признаков ИМС.

Основные достоинства полевых транзисторов — большое сопротивление входной цепи (1—10 МОм) и технологичность при производстве интегральных микросхем с большой плотностью размещения элементов. Основной недостаток — относительно невысокое быстродействие.

Основные достоинства полевых транзисторов - большое сопротивление входной цепи (1—10 МОм) и технологичность при производстве интегральных микросхем с большой плотностью размещения элементов. Основной недостаток — относительно невысокое быстродействие.