Различной проводимостью

Остаточная ЭДС, индуктируемая в обмотках подмагничивания полем полюсов вследствие фазового сдвига ЭДС полуобмоток, может быть устранена при последовательном соединении обмоток, размещенных под полюсами различной полярности. На 7.13,6 представлена схема соединения обмоток подмагничивания с компенсацией ЭДС фазового сдвига. Как видно из 7.13,6, для устранения ЭДС фазового сдвига последовательно соединены обмотки, размещенные под северным и южным полюсами машины. При нечетном числе пазов полной компенсации ЭДС достичь нельзя, кроме того, образуются неполные секции.

Допустим, что начальное значение индукции в сердечнике равно —Вг (отсутствие информации — 0). В этом случае картина физических процессов, имеющих местэ при подаче в обмотку шх импульсов тока различной полярности, будет соответствовать приведенной на 6.6.

Выпрямляющие свойства контакта металл — полупроводник широко используются в полупроводниковой технике, поэтому рассмотрим их более подробга©. Они проявляются ври приложении к контакту постоянного напряжения различной полярности. При этом-прикоитактная область, обедненная носителями заряда, имеет бол-ышгое сопротивление и все внешнее напряжение оказывается при-'ложенным к этой области. При приложении напряжения U происходит сдвиг уровней Ферми в металле FM и полупроводнике Fn на величину qU. Высота потенциального барьера и концентрация носителей в приконтактном слое возрастают или убывают на величину qU в зависимости от полярности приложенного напряжения, что показано на энергетических диаграммах ( 1.7).

Ф2 при х — d (d — ширина диэлектрика) по нелинейному закону, что является следствием влияния пространственного заряда, образовавшегося в диэлектрике. Несимметричная структура МДМ при приложении к ней постоянного напряжения различной полярности обладает выпрямительными свойствами, поэтому такая структура иначе называется аналоговым или диэлектрическим диодом.

ОУ имеют обычно дифференциальный вход и недифференциальный (однополюсный) выход. Питание усилителя осуществляется от двух симметричных источников различной полярности ± 1/„.

Стороны 1 и 2 секции обмотки якоря ( 17.4) укладывают в различные пазы сердечника так, что одна из них (1) лежит в верхнем слое, а другая (2) — на дне паза. Таким образом, обмотка становится двухслойной. Проводники секции размещают так, чтобы э. д. с. в них суммировались. Для этого стороны каждой секции располагают под полюсами различной полярности на расстоянии, примерно равном полюсному делению т (длина дуги окружности якоря между осями соседних полюсов).

Исторически первой гипотезой, объясняющей возникновение кругового огня, была теория «мостиков», по которой начало круговому огню кладет угольная пыль, которая при работе откладывается на изолирующих прокладках между пластинами коллектора и дает возможность образоваться небольшой дуге между пластинами, при напряжении между ними 25...50 В в зависимости от сопротивления цепи короткого ja-мыкания. Однажды возникнув, такая дуга удерживается и тогда, когда стороны секции между соответственными пластинами коллектора попадают в область меньшей индукции. Так как в область максимальной индукции попада- З.п. Образование кругового ог-ют все новые секции, то вскоре ня согласно теории «мостиков> образуется целый венец небольших дуг, «мостиков» на коллекторе, в конце концов переходящий в сплошную дугу между щеткодержателями различной полярности ( 3.11).

горение электрической дуги возможно только при напряжениях более 25 В; так как вблизи геометрической нейтрали ЭДС витка мала, замыкание щеток различной полярности маловероятно;

Статические характеристики щеток. Кроме механических характеристик щетки— прочности, твердости, коэффициента трения и износоустойчивости — важно падение напряжения в щеточном контакте на пару щеток различной полярности — 2Д1/.

( 100, б), различной полярности, но всегда U">LJ'. Перепад напряжения с уровня U' до уровня U" называется положительным, а с уровня U" до уровня U' — отрицательным.

Для представления разрядов двоичных чисел в цифровых ЭВМ необходимо реализовать два различных сигнала, один из которых должен соответствовать единице, а другой — нулю. Применяются два кода: потенциальный и импульсный. При потенциальном коде двоичным цифрам соответствуют различные уровни напряжения, обычно единице — высокий, а нулю — низкий. Эти уровни сохраняются в течение всего времени представления данной цифры. При импульсном коде двоичные цифры изображаются импульсами определенной длительности. Обычно единице соответствует наличие импульса, а нулю — его отсутствие. Иногда единицу и нуль изображают импульсами различной полярности.

Наличие трех слоев с различной проводимостью обусловливает на границах их раздела два p-n-перехода, характеризующихся динамическим равновесием. Чтобы вывести p-n-переход из состояния равновесия, к нему прикладывается внешнее напряжение.

используется односторонняя проводимость электронно-дырочного перехода, так как из вольт-амперной характеристики р-п-пере-хода следует, что он обладает неодинаковыми сопротивлениями в прямом и обратном направлениях. Поэтому полупроводниковые диоды используются для выпрямления переменного тока. Транзистор (полупроводниковый триод) является электронным прибором, основанным «а свойствах двух, расположенных весьма близко друг от друга электронно-дырочных p-n-переходов. Наличие трех слоев с различной проводимостью обуславливает на границах их раздела два р-п-перехода, характеризующихся динамическим равновесием. Чтобы вывести р-л-переход из состояния равновесия, к нему подводится внешнее напряжение (/„. При этом значение тока и в цепи закрытого коллекторного перехода зависит от значения .тока i» открытого эмиттерного перехода. Связь между токами коллекторной и эмиттерной цепей транзистора "характеризуется коэффициентом передачи тока: а = = tt/it, <* = 0,92t.«0,99, Число рекомбиннрующих в базе основных носителей заряда эмиттера определяет ток базы: te= i>— <«. При рассмотрении усилительных свойств транзисторов для переменных сигналов схемы их включения рассматривают без источников питания, так как по сравнению с другими сопротивлениями внутренние сопротивления источников питания весьма малы. Наиболее часто используют схему транзистора с общим эмиттером (ОЭ) ( 6.1.2), с помощью которой осуществляют усиление по току, напряжению и мощности. Для этой схемы коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности определяют из выражений

Таким образом, электрическое поле, возникающее в слое бо, не позволяет выровнить концентрацию носителей в обоих объемах примесных полупроводников за счет протекания процесса диффузии. Следует отметить, что электронно-дырочный переход нельзя получить простым соприкосновением полупроводниковых тел с различной проводимостью, как было описано выше, из-за наличия неровностей и неизбежных окисных покрытий соприкасающихся поверхностей. Настоящий р-п переход получают в одном монокристалле, в который особыми технологическими способами «впрыскивают» примесные атомы. Размеры р-п перехода и его приграничных слоев зависят от концентрации примесных атомов Nд и Na. Если Na^=Na,~TO р-п переход имеет несимметричный вид, как показано на 3.6, а, если N^ — Na, то переход симметричный ( 3.6,6).

Структурная поляризация обусловлена наличием слоев с различной проводимостью, образованием объемных зарядов, особенно при высоких градиентах напряжения (высоковольтная поляризация). Происходит в твердых диэлектриках слоистой или другой неоднородной структуры (гетинаксы, текстолиты, миканиты, бумажно-бакелитовые изоляторы проходные), связана с большими диэлектрическими потерями, как поляризация -замедленного типа.

Граничные условия на поверхности раздела двух сред с различной проводимостью Elt ' — ?2( и 61п = 62,д. ,

Миграционная поляризация (См, QM, гм) понимается как дополнительный механизм поляризации, проявляющийся в твердых телах неоднородной структуры при макроскопических неоднородностях и наличии примесей. Эта поляризация проявляется при низких частотах и связана со значительным рассеянием электрической синергии. Причинами такой поляризации являются проводящие и полупроводящие включения в технических диэлектриках, наличие слоев с различной проводимостью и т. д.

43. Термопара, состоящая из полупроводниковых стержней с различной проводимостью и металлических пластин, подводящих напряжение (в режиме охлаждения) или отводящих электрическую энергию (в режиме термогенератора) : Т и Т' — температуры свободных концов и спая

Соединенные непосредственно между собой полупроводники, обладающие различной проводимостью, образуют полупроводниковый прибор (некоторые из них состоят из соприкасающихся полупроводникового кристалла и металла). В месте соприкосновения полупроводников различной проводимости концентрация электронов и дырок меньше, чем в других зонах полупроводников. Это объясняется тем, что электроны из области с п-прово-димостью переходят в пограничную область с р-проводи-мостью и заполняют дырки (происходит явление, которое называется рекомбинацией). Поэтому в пограничном слое создается контактная разность потенциалов, что препятствует движению носителей зарядов (электронов и дырок) из одной области в другую.

Наличие трех слоев с различной проводимостью обусловливает на границах их раздела два />-и-перехода, характеризующихся динамическим равновесием. Чтобы вывести/>-л-переход из состояния равновесия, к нему прикладывается внешнее напряжение.

Следует отметить, что электронно-дырочный переход нельзя получить простым соприкосновением полупроводниковых тел с различной проводимостью, как было описано ранее, из-за наличия неровностей и неизбежных оксидных покрытий соприкасающихся поверхностей. Настоящий р—я-переход получают в одном монокристалле, в который особыми технологическими способами «впрыскивают» примесные атомы. Размеры ^—«-перехода и его приграничных слоев зависят от концентрации примесных атомов NR и Na. Если УУд* /Va, то р—л-переход имеет несимметричный вид ( 3.6, а), если Na = Na, то р—«-переход симметричный ( 3.6, б).