Различной конфигурации

Фундаментальным достижением явилось создание мембранной теории биопотенциалов Ю. Бернштейном в 1902 г. В 1912 г. вышла книга Ю. Бернштейна «Электробиология», в которой излагались положения мембранной теории. В основе мембранной теории лежит представление о том, что потенциал возникает на мембране за счет различной концентрации ионов снаружи и внутри клетки. Каждая клетка — это мешочек или пузырек, покрытый оболочкой — мембраной, разделяющей жидкости разного состава. Если внутри клетки имеется много свободных ионов, например, калия, а снаружи таких ионов нет, то клеточная мембрана пропускает только ионы К* и они начинают выходить из клетки — двигаться по градиенту концентрации. При этом на мембране будет возникать разность потенциалов, которую называют потенциалом покоя. В последние десятилетия по мембранам выполнено множество работ, которые печатаются в специальных журналах. Были определены удельные сопротивления мембран и предложены эквивалентные схемы клеточной мембраны для различных организмов в химических соединениях.

Удельная проводимость зависит от температуры. Температурный коэффициент этой зависимости положителен и составляет 1...3 %/К, если считать за исходную удельную проводимость при 25 °С. Он различен не только для разных веществ, но и для одного и того же вещества различной концентрации.

На 7-35, а показаны подпрограммы восстановления одних и тех же ионов, полученные при различной концентрации их в растворе. Как видно из кривых, потенциал выделения ионов при прочих равных условиях зависит от их концентрации. Поэтому для качественного анализа используют не потенциал начала резкого возрастания тока (так называемой «волны» тока на графике), а потенциал, соответствующий середине этой волны,— потенциал «полуволны», который не зависит от концентрации ионов и параметров преобразователя. Если графически продифференцировать полярографические кривые I = f(U), то максимумы кривых dlldU = f (U) ( 7-35, б) будут при одном и том же потенциале, также соответствующем потенциалу полуволны исследуемых ионов, а высоты максимумов будут пропорциональны концентрациям.

Удельная проводимость зависит от температуры. Температумнъй коэффициент этой зависимости положителен и составляет 1...3 %/К, если считать за исходную удельную проводимость при 25 °С. Ой различен не только для разных веществ, но и для одного и того же вещества различной концентрации.

Диффузия частиц. Из курса физики известно, что через граничную плоскость двух элементарных кубических объемов с частицами газа различной концентрации Л^ и N2 ( 9-22) возникает диффузия частиц. В обоих кубических объемах частицы движутся хаотически со средней тепловой скоростью

Диффузия частиц. Из курса физики известно, что через граничную плоскость двух элементарных кубических объемов с частицами газа различной концентрации Л^ и N2 ( 9-22) возникает диффузия частиц. В обоих кубических объемах частицы движутся хаотически со средней тепловой скоростью

• Полупроводниковые тензорезисторы. Имеется большое число таких тензорезисторов различных размеров и различной концентрации легирующей примеси. Для изготовления их тензо-чувствительных элементов известны различные способы (например, почти чисто механическое изготовление из монокристалла резкой, сошлифовыванием или травлением). Для универсального применения в датчиках силы предпочтительны гибкие, т. е. максимально тонкие, тензорезисторы.

8-4. Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике от температуры при различной концентрации донорной примеси (Л/лэ > /Vn2 > > NRl; Wnl> W№)

Используя данные конкретных материалов, взятые из кривых, вычисляют энергию активации W примесной электропроводности полупроводника при различной концентрации примеси. В области собственной электропроводности по подобному выражению может быть определена ширина запрещенной зоны данного полупроводникового материала.

щий физический процесс. Вследствие различной концентрации неосновных носителей происходит диффузия дырок, которая определяет плотность тока диффузии и направлена от участков с высокой концентрацией дырок к участку с низкой концентрацией (на 19.20 в «-области слева направо). Силу, приводящую к диффузии, можно рассматривать как результат действия некоторого стороннего электрического поля, напряженность которого направлена слева направо. При наличии стороннего поля, потенциал которого убывает по мере приближения к границе, в «-области образуется электрическое поле, движущее дырки справа налево; при этом возникает ток переноса — ток дрейфа, направленный противоположно току диффузии. Основные носители — электроны в «-области — распределяются таким образом, что в любом объеме «-области объемная плотность заряда оказывается равной нулю. Связь между приложенным к диоду напряжением и концентрацией дырок можно найти, если из выражений для плотностей токов определить Е и произвести интегрирование. Имеем

раствора различной концентрации и удельного веса.

Производство ферритовых сердечников основано на применении технологии изготовления деталей различной конфигурации из металлокерамических материалов. Особенность ее заключается в необходимости достижения и обеспечения стабильности магнитных параметров сердечников путем регулирования основных факторов ТП.

скольких БИС (многокристальный микропроцессор). Микросхемы различной степени интеграции, необходимые для построения остальных устройств системы: ОЗУ, ПЗУ, ввода — вывода — дополняют базовый набор до собственно МПК БИС. Наиболее популярны в настоящее время БИС 8-разрядного МПК, предназначенные для построения программируемых контроллеров САУ, мультипроцессорных систем обработки цифровых данных и других применений в составе АСУ ТП. Чаще других используются МПК БИС серии К580, которые согласованы по электрическим характеристикам и формату представления данных с другими сериями БИС. Основная БИС микропроцессорного комплекта серии К580 — это микросхема КР580ИК80, которая представляет собой однокристальный 8-разрядный микропроцессор, размещенный в пластмассовом корпусе с 40 расположенными в два ряда выводами. Микропроцессорный комплект БИС серии К580 позволяет строить системы автоматического управления ТП (ТС) различной конфигурации и назначения. Для их создания требуется прежде всего иметь центральный процессор, т. е. БИС КР580ИК80, но, кроме того, нужны генератор тактовых импульсов, системный контроллер, память и схемы интерфейса ( 17.9). Некоторые схемы, выполняющие требуемые функции, входят в состав той же серии К580, к которой относится центральный процессор. Но можно использовать и устройства, входящие в состав других серий

Развитие-м принципов типизации является групповая технология. Она заключается в совместном изготовлении групп изделий различной конфигурации на специализированных рабочих местах. Групповой технологический процесс является разновидностью типового..

Изготовление магнитопластов (металлопластические магниты) основано на прессовании металлических порошков, смешанных со связующим веществом. Если к металлическому порошку сплава, например, системы железо — никель — алюминий — кобальт добавить около 5% массовой доли фенолформальдегидной смолы и прессовать смесь под давлением около 500 МПа при температуре 433... 453 К, то можно получить магниты различной конфигурации с погрешностью размеров ±0,4 мм при диаметре 15...20 мм. Магнито-пласты обладают высоким электрическим сопротивлением, легко армируются при прессовании. Однако они обладают остаточной индукцией на 35...40% и магнитной энергией на 30...50% меньше, чем литые магниты. Металлопластические магниты коррозиестойки и практически не требуют дополнительной обработки.

Магнитодиэлектрики представляют собок спрессованную смесь мелкозернистых порошков магнитных материалов с изолирующей органической или неорганической связкой. Е> качестве основы используют карбонильное железо и альсифер (сплав алюминия, кремния и железа). Связкой обычно служат жидкое стекло, бакелитовый лак, полистирол и стеклоэмаль. Магнитодиэлектрики характеризуются низкими потерями и хорошей временной стабильностью параметров. К недостаткам следует отнести сравнительно невысокое значение начальной магнитной проницаемости, что ограничивает возможность повышения добротности индуктивных элементов. Из магнитодиэлектриков изготовляют сердечники различной конфигурации и размеров.

Технология изготовления формованных магнитопроводов. Магнитопроводы из магнитодиэлектриков имеют небольшие геометрические размеры и отличаются стабильностью параметров при различных воздействиях. Магнитопроводы изготовляют различной конфигурации и применяют для сердечников трансформаторов, катушек индуктивности, фильтров.

Пайка волной припоя производится на установке, схема которой приведена на 6.24. Изменяя форму сопла, можно получать волну припоя различной конфигурации ( 6.25). Волна припоя, постоянно переливаясь, самоочищается от оксидной пленки и обеспечивает хорошую смачиваемость мест пайки. Этот способ позволяет легко автоматизировать процесс пайки печатных плат.

В книге рассматривается аппаратное и программное обеспечение вычислительных устройств различной конфигурации, построенных на основе БИС серии KJ810, а также приводится ряд примеров реализации обработки радиотехнической информации с помощью этих устройств. Как известно, микропроцессоры К1810ВМ86 и К580ВМ80 имеют программную совместимость в направлении от младшего поколения к старшему. В связи с этим

Удельные электрические сопротивления р„, ps, р,; всегда определяются путем косвенных измерений. При этом необходимо, помимо сопротивления, знать геометрические размеры образца, а при испытаниях жидких материалов — и емкость измерительной ячейки в вакууме (воздухе). Расчетные формулы для определения удельных объемного и поверхностного сопротивления твердых образцов различной конфигурации приведены в табл. 1-2. Для вычисления значения удельного объемного электрического сопротивления ри жидкого материала можно воспользоваться одной из формул:

и п--/>--типов различной конфигурации, строка 2 — п-ка-нальные транзисторы с разными значениями ширины и длины канала, строка 3 — тестовые ячейки из контактных «крестов», цепочек всех видов и простых диффузионных резисторов, строка 4 — тестовые ячейки типов «крест-мост» и диффузионных резисторов, строка 5 — МДП-конденсаторы всех видов, строка 6 — р-канальные транзисторы разных размеров.

8.59. К расчету k в стержнях различной конфигурации: А - расчетная глубина проникновения тока