Различной концентрацией

Разрывы сплошности потока различной интенсивности усложняют расчет газодинамических процессов и механических характеристик ПУ. Решение задачи осуществляется численным интегрированием известных из газодинамики уравнений неразрывности, импульса и энергии в частных производных разностными методами. Требуется принимать специальные граничные условия (условия на поверхности разрывов), учитывая, что эти дифференциальные уравнения справедливы лишь для участков с гладким (без скачков) течением. Вопрос о граничных условиях (задание потоков массы, импульса, энергии через границы) требует тщательного анализа, так как реальные элементы ПУ имеют конечные размеры и местные пневмосопротивления (дроссели, клапаны, профилированные каналы и т.п.). Методы расчета нестационарных процессов с ударными волнами изложены в [11].

шлось отказаться. Очевидно, что при использовании прерывистого охлаждения особо важное значение имеет выбор оптимальной первоначальной закалочной среды, в качестве которой может быть использован водяной душ различной интенсивности, а также охлаждение погружением в воду.

Неравномерность процессов потребления продукции в СЭ вызывается, во-первых, неравномерностью процессов работы потребителей продукции, возникающей в суточном (с учетом сменности работы предприятий, жизненных циклов населения), недельном (с учетом выходных дней и различной интенсивности работы в начале и конце недели), месячном (с учетом различной интенсивности работы в начале и конце месяца) и годовом разрезе (с учетом изменений сезонных факторов, влияющих на уровни потребления продукции); во-вторых, непрерывностью развития СЭ, вызывающей рост уровней потребления продукции; и, в-третьих, территориальной распределенностью СЭ, когда СЭ охватывается территория, лежащая в нескольких часовых поясах (это относится к ЭЭС, ГСС и НСС).

при различной интенсивности облучения (а) (мВт/см2):

Радиометрическое обогащение основано на использовании специфического свойства урановых руд — радиоактивности. Метод основан на измерении различной интенсивности -у-излучения от отдельных кусков (при максимальном размере последних 200— 300 мм) или от порции дробленой и измельченной массы. С помощью автоматического сепарирующего устройства ( 6.4) удается отсортировать руду на богатые и бедные по урану сорта и отделить с небольшими затратами пустую породу (от 10 до 50% общей массы обогащаемой руды), направив ее в отвалы.

ст. размером 7X7 см2 каждый. На 5.3.8 представлены результаты испытания после непрерывного освещения светом различной интенсивности. При всех условиях освещения после 240 ч к.п.д. модулей составляет 90 % от первоначального значения.

На 7.4.10 и 7.4.11 показаны типичные электрофотографические характеристики многослойной конструкции, в которой СГЗ и С/73 легировались бором и обладали собственной проводимостью, а слой БС из a-Si : Н имел р-тип проводимости. На 7.4.10 представлены кривые затухания в темноте (штриховая кривая) и при освещении светом различной интенсивности (1,6-0,16 мкВт/см2), а 7.4.11 отражает взаимосвязь разрядного фототока и потенциала поверхностного заряда при 600 им. При 400 В происходит насыщение потенциала гговерхност-

Радиометрическое обогащение основано на использовании специфического свойства урановых руд — радиоактивности. Метод основан на измерении различной интенсивности -у-излучения от отдельных кусков (при максимальном размере последних 200— 300 мм) или от порции дробленой и измельченной массы. С помощью автоматического сепарирующего устройства ( 6.4) удается отсортировать руду на богатые и бедные по урану сорта и отделить с небольшими затратами пустую породу (от 10 до 50% общей массы обогащаемой руды), направив ее в отвалы.

ст. размером 7X7 см2 каждый. На 5.3.8 представлены результаты испытания после непрерывного освещения светом различной интенсивности. При всех условиях освещения после 240 ч к.п.д. модулей составляет 90 % от первоначального значения.

На 7.4.10 и 7.4.11 показаны типичные электрофотографические характеристики многослойной конструкции, в которой СГЗ и СЯЗ легировались бором и обладали собственной проводимостью, а слой БС из a-Si : Н имел р-тип проводимости. На 7.4.10 представлены кривые затухания в темноте (штриховая кривая) и при освещении светом различной интенсивности (1,6-0,16 мкВт/см2), а 7.4.11 отражает взаимосвязь разрядного фототока и потенциала поверхностного заряда при 600 им. При 400 В происходит насыщение потенциала гговерхност-

В третьей главе рассмотрены солнечные элементы на основе кремния и гетероструктур в системе алюминий—галлий—мышьяк, предназначенные для преобразования концентрированного солнечного излучения. Дан всесторонний анализ характеристик основных типов элементов, оптимизированных для преобразования световых потоков различной интенсивности. Часть главы, посвященная сильноточным гетероструктурным солнечным элементам, содержит значительное количество оригинальных результатов, полученных авторами данной книги. В конце главы приводится оценка перспектив увеличения КПД солнечных элементов на основе каскадных структур.

В результате при приплавлении металла .с введенной примесью к полупроводнику образуется тонкий слой .полупроводника, значительно обогащенный соответствующей примесью. Эагот слой, имеющий повышенную концентрацию примесей, ослабляет инжекцию неосновных носителей. Полученный сплав представляет собой контакт двух полупроводников одного типа, но с различной концентрацией примесей. Физические свойства таких контактов рассмотрены «§3.5.

Такое уменьшение коэффициента отражения до минимального значения, близкого к нулю, и последующее его возрастание до единицы при уменьшении частоты обусловлено влиянием свободных носителей заряда и связано с явлением плазменного резонанса. Частота шр соответствует частоте собственных колебаний электронной плазмы. При частоте озр происходит резонансное поглощение излучения колеблющейся плазмой. Это явление получило название плазменного резонанса. На 6.2 приведены спектры отражения образцов антимонида индия с различной концентрацией носителей заряда в области плазменного резонанса.

6.2. Спжтры отражения анташонида \ ндия с различной концентрацией электронов:

Сущность явления Зеебека состоит в следующем. При соприкосновении двух разнородных проводников в месте их контакта возникает контактная разность потенциалов, обусловленная различной концентрацией носителей зарядов. Зеебеком было установлено, что в замкнутой цепи двух разнородных проводников, спаи которых находятся при разных температурах, электродвижущая сила Еаь (6i), возникающая при переходе от проводника а к проводнику b в точке с температурой BL и электродвижущая сила Еьа (92), возникающая при переходе от проводника b к проводнику а, имеют противоположные знаки и не равны между собой.

7-35. Полярографические кривые растворов с различной концентрацией

позволяет получать материал с различной концентрацией свободных электронов и дырок ( 1.11,а).

4.17. Распределение удельного электрического сопротивления по длине (относительной, g) монокристаллов полуизолирующего фосфида индия, выращенных методом Чохральского из расплава с различной концентрацией железа, % (по массе):

На 8.4 представлена температурная зависимость полупроводника с различной концентрацией примеси. Повышение удельной проводимости полупроводника с увеличением Т в области низких температур обусловлено увеличением концентрации свободных носителей заряда за счет ионизации примеси ( 8.4, участки ab, de, kl).

8.4. Зависимость электропроводности полупроводника с различной концентрацией примесей

С дальнейшим ростом температуры уровень Ферми в примесных полупроводниках все более смещается к середине запрещенной зоны. Изменение положения уровня Ферми в примесных полупроводниках с' различной концентрацией примесей показано на 9-18. С ростом концентрации N^ или Na увеличиваются соответственно значения температур Тл и 1\.

малым обратным током, резким переходом в область лавинного или туннельного пробоя при незначительных изменениях обратного напряжения, а также высоким значением допустимой температуры перехода. Вольт-амперная характеристика стабилитрона ( 11-16, а) соответствует области пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики перехода. Как было показано в § 10-5, напряжение в случае лавинного1 или туннельного пробоя зависит от удельного сопротивления полупроводников, образующих переход. Используя пластины п—Si с различной концентрацией примесей, можно изготовить стабилитроны с различными значениями Unp0e, соответствующими переходу в область лавинообразного роста обратного тока, а следовательно, и с различными значениями напряжения стабилизации. При использовании высоколегированного n—Si при напряжениях пробоя 27Проб ^ 6 В преобладает туннельный пробой; при С^проб ~ 5 -г- 7 В наряду с туннельным развивается и лавинный пробой, который при С/проб> 7 В становится доминирующим. Принцип использования стабилитрона, как и в случае ионного стабилитрона