Различными величинами

Базовые матричные кристаллы служат основой для создания различных МаБИС, многообразие которых определяется различными вариантами межсоединений, формируемых на последнем этапе технологического процесса изготовления МаБИС. Эффективность использования БМК при создании БИС для ЭВМ объясняется следующими причинами. Один и тот же БМК используется, для разработки большого числа БИС; для разработки МаБИС широко используются стандартные (библиотечные) решения по построению отдельных подсхем; разрабатываются только схемы межсоединений ячеек БМК и соответствующие фотошаблоны; разработка ведется с помощью систем автоматизации проектирования (САПР).

3.6. Схема электроснабжения с. н. АЭС с различными вариантами

Емкость ЗУ ЦКС. При проектировании ЦКС весьма важно провести предварительную оценку необходимой емкости памяти Ьначале рассмотрим методы оценки оперативного ЗУ, используемого для ввода и вывода сообщений. Воспользуемся методикой, описанной в [37], где рассматриваются четыре способа распределения памяти и приводятся соответствующие оценки емкости. Вначале дадим краткую характеристику способов, иллюстрируемых на 4.14, которые можно разбить на две группы: с фиксированным и с динамическим распределением. При фиксированном распределении каждому каналу выделяется определенный объем памяти для ввода и вывода сообщений ( 4.14,а). Динамическое распределение может быть реализовано тремя различными вариантами.

Данные о схеме включения: Признак (имя) схемы включения —ПСВ. Для моделирования AM с различными вариантами соединения ветвей ее обмоток и включения в сеть используется метод Г. Крона. При этом для каждой схемы включения в наборы данных (отдельно от модуля) должна заноситься следующая информация:

Таким образом, для выбора конкретного решения по допустимым нагрузкам на исполнительный двигатель необходимо определить дисперсии переменных состояний х, которыми характеризуется качество работы системы с различными вариантами оптимального регулятора (см. табл. 4-2), под действием возмуще-

Основное исполнение машин серии П брызгозащшцеыиое с горизонтальным или вертикальным расположением вала и различными вариантами установки и крепления.

Приведенные данные показывают, что относительно сложные законы управления с различными вариантами ШИМ, позволяющие получать качественные характеристики преобразователя, могут быть реализованы на основе полностью управляемых ключей, имеющих минимальное напряжение насыщения и способных выдерживать большие токовые перегрузки. Мощные МДП-транзисторы могут рассматриваться в качестве конкурентоспособных ключей для данной сферы применения только при относительно низких напряжениях (менее 200 В) Наиболее предпочтительными в системах управления двигателями переменного тока являются транзисторы IGBT и тиристорные ключи Выбор конкретного типа ключа определяется сферой применения асинхронного двигателя, которые различаются уровнем токовой нагрузки. Например, в сфере индустриального электропривода на токи до 200 А преимущественно применяются IGBT- и МСТ-ключи с рабочим напряжением 600, 1200 и 1700 В. Для применения в системах городского электротранспорта при токах нагрузки в несколько сотен ампер эффективны сборки модульных конструкций IGBT- и GTO-тиристоры. В системах электроподвижного

С учетом отмеченных ранее тенденций развития автоматизированных электроприводов ведущие электрические корпорации мира осуществляют разработку и продажу электроприводов главной для себя и перспективной для рынка серии с широкими функциональными и структурными возможностями, различными вариантами их технической реализации по условиям применения для

Используя описанные сетевые средства, можно обеспечивать управление приводами с различными вариантами их, подключения. На 2.18 показаны варианты включения приводов по схемам: последовательного ( 2.18, а) и параллельного включения «точка-точка» ( 2.18, б); шинного включения с USS-протоко-лом при управлении от ведущего устройства ( 2.18, в).

Высокие технологические требования к статической точности регулирования и ограничения переменных ЭП (скорости, момента, угла поворота, положения и т.п.) обусловили применение за?мкну-тых систем управления ЭП. Их техническая реализация базируется на применении систем управляемый преобразователь — двигатель (УП—Д) (систем Г—Д, ТП—Д, ШИП—Д) с различными вариантами подключения обратных связей по регулируемым переменным. На 58.9 дан обобщенный пример системы УП—Д с параллельным подключением (с помощью ключей К\, К1, Ю, К4) цепей обратных связей по напряжению, скорости и току двигателя М. Сигналы обратных связей с выхода датчиков переменных ЭП (датчиков напряжения UV, тока UA, скорости BV) совместно с сигналом управления ?/3, поступают на вход регулятора, реализованного на основе суммирующего операционного усилителя А и операторных резисторов Rl,R2, R3, R4, R5. С помощью последних могут меняться коэффициенты усиления регулятора и цепей обратных связей.

Для энерготехнологических установок важное значение имеют аппараты с различными вариантами взвешенного слоя. Более простую подготовку фильтрующего материала по фракционному составу и более высокую надежность работы оборудования обеспечивает плотный слой.

сопротивления растекания на нагрузочную характеристику кремниевых фотоэлементов с различными вариантами токоотводов // Радиотехника и электроника. 1965. Т. 10, № 4. С.727—735.

Такая подготовка содействует систематизации материала, помогает выявить связи между различными величинами и облегчает разработку схемы решения задач. Студент, пренебрегающий такой подготовительной работой, на занятии вместо осмысливания хода решения задачи лихорадочно роется в конспекте или в учебнике в поисках нужной формулы. Нередко при этом выясняется, что искал он отнюдь не ту формулу, которая нужна для решения задачи.

•стоянный ток с различными величинами напряжения и потребляемой мощности.

В реальных резисторах зависимость величины сопротивления от угла поворота не имеет столь плавного характера, как показано на 1.16. Технологический процесс изготовления рассматриваемых типов резисторов может обеспечить только некоторое приближение к желаемой зависимости, поскольку она достигается за счет сопряжения отдельных (от 3 до 4) участков резистивного элемента с различными величинами сопротивлений.

Используя в.а.х., связывающие действующие значения, можно произвести расчет электрической цепи примерно в той же последовательности, что и при постоянном токе. Некоторое отличие в методике расчета вызвано тем, что токи и напряжения отдельных участков цепи при переменном токе оказываются сдвинутыми по фазе. Поскольку несинусоидальные токи заменяются синусоидальными, для выявления соотношений между различными величинами, расчетов и преобразований электрической цепи могут быть использованы законы Кирхгофа в комплексной форме, векторные диаграммы и вытекающие из них формулы.

жду различными величинами в заданной 'электрической цепи подчиняются следующим уравнениям: ..;...

Соотношения между различными величинами катушки с ферромагнитным сердечником подчиняются уравнениям (6.8), (6.13) и ото-эражены с помощью векторной диаграммы 6.11. Указанным уравнениям и векторной диаграмме должна соответствовать и схема замещения.

Зависимость фазового сдвига от частоты при полубесконечной частотней характеристике с различными величинами асимптотической крутизны

При отсутствии сигнала управления токи в рабочих обмотках дросселей равны по величине, а ток в нагрузке отсутствует. Если ток управления по отношению к первому дросселю является положительным, то по отношению ко второму дросселю его следует считать отрицательным. Поэтому нагрузочную характеристику первого дросселя /х (/у) удобно располагать в верхней полуплоскости чертежа, а нагрузочную характеристику второго дросселя ^2 (^у) — в нижней. Задаваясь различными величинами тока управления /у, находят соответствующие им токи /х и /2 в контурах, а затем и ток в нагрузке.

из которого следует, что катушку с сердечником можно изготовить с различными величинами Б, Я и V. При малых значениях В и Н не-

На 7.3.8 показаны изменения пропускания пленок ТеО на стеклянных подложках с различными величинами отношения Те/О при нагреве вплоть до 300 °С. Пропускание свежеосажденных пленок зависит от атомного соотношения; оно уменьшается с увеличением содержания Те. На каждой кривой имеется некоторая критическая точка, выше которой пропускание ступенчато падает. Температура перехода также зависит от атомного отношения, причем она уменьшается с ростом содержания Те от 130 °С при х = 1,2 до 80 °С при х = 0,8. На пленках с более низкими температурами перехода можно ожидать более высокой чувствительности при оптической записи.

На 7.3.8 показаны изменения пропускания пленок ТеО на стеклянных подложках с различными величинами отношения Те/О при нагреве вплоть до 300 °С. Пропускание свежеосажденных пленок зависит от атомного соотношения; оно уменьшается с увеличением содержания Те. На каждой кривой имеется некоторая критическая точка, выше которой пропускание ступенчато падает. Температура перехода также зависит от атомного отношения, причем она уменьшается с ростом содержания Те от 130 °С при х = 1,2 до 80 °С при х = 0,8. На пленках с более низкими температурами перехода можно ожидать более высокой чувствительности при оптической записи.