Различными примесями

Теория вероятностей позволяет определить законы распределения отказов, возникающих в ИМС. Поскольку отказы ИМС вызываются различными причинами и проявляются по-разному, каждый тип отказов характеризуется особым распределением и требует различной математической обработки.

Принцип расчета надежности. Все радиоэлектронные компоненты — электронные и плазменные лампы, полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные схемы, реле, переключатели, резисторы, конденсаторы, трансформаторы, разъемы и т. д. — имеют ограниченный срок службы. Это обус-словлено различными причинами и в первую очередь: неидеальностью конструктивного выполнения; влиянием окружающей среды (температуры, воздействия космического и естественного радиоактивного излучений, химическими реакциями, обусловленными влагой и различными газами); перегрузками в моменты включения-выключения; механическими воздействиями и т. д.

Случайными принято называть погрешности, неопределенные по знаку и величине, случайно изменяющиеся от измерения к измерению (одной и той же величины, одними и теми же измерительными средствами). Случайные погрешности принципиально неустранимы, но их влияние на результаты измерений можно участь, основываясь на теории вероятностей и математической статистике. Случайные погрешности могут вызываться самыми различными причинами: вариациями показаний измерительного прибора (обусловленными, например, собственными шумами измерительных усилителей), погрешностями квантования сигналов по уровню; погрешностью округления показаний аналогового измерительного прибора наблюдателем и т. д.

Неисправности, возникающие в комбинационных логических схе-шах, могут вызываться различными причинами и носить различный характер. Мы будем рассматривать неисправности только логического типа, т.е. такие, которые соответствуют появлению в какой-либо точке схемы устойчивого значения сигнала, соответствующего логиче-•ской 1 или логическому 0.

обусловлено различными причинами. Если в электрической цепи содержатся участки с электролитической проводимостью, то э. д. с. может возникать вследствие электрохимических процессов. В месте контакта двух проводников из различных металлов возникает контактная э. д. с При изменении магнитного потока в контурах, расположенных в любой среде, возникают э. д. с. индукции.

Несимметрия в трехфазной цепи может быть вызвана различными причинами: 1) неодинаковым сопротивлением фаз (несимметричная нагрузка); 2) несимметричным коротким замыканием (например, между двумя фазами или фазой и нейтралью); 3) размыканием фазы; 4) неравенством величин э. д. с. и т. д.

Несимметрия в трехфазной цепи может быть вызвана различными причинами: 1) неодинаковым сопротивлением фаз (несимметричная нагрузка); 2) несимметричным коротким замыканием (например, между двумя фазами или фазой и нейтралью); 3) размыканием фазы; 4) неравенством э. д. с. и т. п.

В нормально включенных магнитом пускателе и контакторе наблюдается равномерное легкое гудение магнитной системы. Сильное гудение и дребезжание указывает на неисправность аппарата. Неисправности могут быть вызваны различными причинами: наличием грязи или ржавчины на торцевой части сердечника магнита (якоря), чрезмерной затяжкой контактных пружин, повреждением короткозамкну-того витка на сердечнике, заеданием вала в подшипниках, перекосом торцевой поверхности сердечника, повреждением катушки.

Л. Уравнители первого рода. Уравнители первого рода применяются в простых петлевых обмотках для выравнивания потенциалов в ветвях обмотки, лежащих под полюсами одной полярности. Действительно, опыт показывает, что даже при точном соблюдении условий симметрии обмотки э. д. с. ее отдельных ветвей могут быть неодинаковы. Это вызывается различными причинами, например неодинаковыми воздушными зазорами под полюсами, асимметричным расположением щеток на коллекторе, эксцентриситетом якоря относительно оси вращения, раковинами в литых станинах и т. д.

При изучении усилителей медленно изменяющихся сигналов (§ 6.5) отмечались трудности, с которыми приходится сталкиваться в процессе конструирования таких систем. Одна из основных трудностей — нестабильность усилителя из-за дрейфа тока активных элементов (транзисторов, ламп), вызванного различными причинами, величина которого резко возрастает вблизи нулевой частоты. Как отмечалось там же, некоторых трудностей можно избежать, применив сложную схему усилителя с преобразованием спектра сигнала. Действительно, если непосредственно на входе системы медленно изменяющимся сигналом, несущим информацию, промодулировать вспомогательное высокочастотное колебание, то весь спектр сигнала окажется смещенным в высокочастотную область, где влияние дрейфа тока приборов очень мало. В этом случае усиление сигнала

Общие сведения о перенапряжениях. При работе электрических сетей в них возникают кратковременные импульсы напряжений; которые могут во много раз превышать нормальные рабочие напряжения. Такие импульсы напряжений называются перенапряжениями. Перенапряжения вызываются различными причинами: 1) коммутационными операциями (включение и выключение линий, трансформаторов и вращаю-

В последнее время широкую известность приобрели монокристаллы сапфира, легированные ионами титана Ti:>+ и ванадия V4+, электронная конфигурация которых 1 s2 2 s2 2 р9 3 s23pe3d1. При такой электронной конфигурации образуется одно состояние 2D, которое расщепляется в кристаллическом поле решетки сапфира на два состояния 2? и 2F2. При переходах между уровнями этих состояний происходит генерация лазерного излучения. Особенностью активных сред с ионами титана и ванадия является возможность плавной регулировки (перестройки) частоты генерации лазера. При активации монокристаллов сапфира ионами титана перестройка осуществляется в пределах 0,68—0,93 мкм, а ионами ванадия — 0,59—0,62 мкм. Монокристаллы сапфира с различными примесями выращивают методами Вернейля, Чохральского и Багдасарова (см. главу третью). Как следует из критериев изоморфизма, ионы редкоземельных элементов вследствие их больших размеров не могут быть введены в решетку оксида алюминия. Попытки преодолеть эти затруднения привели к исследованию соединений типа LaMgAluOl9, характерных, как это следует из диаграмм состояний (см. 39—41), для первой группы редкоземельных элементов (La, C1 и Рг). Такие соединения имеют гексагональные решетки, допускают легирование ионами неодима и характеризуются высоким коэффициентом теплопроводности. Технология выращивания кристаллов в настоящее время разрабатывается и в будущем они могут стать конкурентоспособными по сравнению с таким материалом, как гранат.

Вода в природных условиях при взаимодействии с твердыми, жидкими и газообразными веществами частично или полностью растворяет их, насыщаясь различными примесями, включая газы, поэтому она не может сохранять «химической чистоты». Природная вода по своему составу различна. Примеси из природной воды до остаточного содержания их менее 20—50 мкг/кг удаляют в химических цехах АЭС.

3. Чем определяется загрязнение генерируемого пара различными примесями?

Для изготовления светодиодов наиболее часто применяют арсе-нид галлия, а также карбид кремния, легированный различными примесями (бор, алюминий).

Эпитаксию GaAs и твердых растворов на его основе в газовой фазе можно проводить в системах хлоридного и хлоридно-гидридного типа при использовании водорода в качестве газа-носителя. Основные преимущества этого метода заключаются в простоте используемой аппаратуры; возможности управлять процессом роста слоя путем изменения скорости потока и концентрации соединения-транспортера; легировать слои различными примесями; получать многослойные структуры в непрерывном процессе;

Электролюминесценция будет иметь место при наличии разности электрических потенциалов между электродами. Если выход света осуществляется со стороны подложки, то последняя выполняется прозрачной, а в качестве проводящего покрытия чаще всего используют окислы различных металлов. Материалами электролюминофоров являются монокристаллические соединения второй и шестой групп периодической системы элементов (соединения цинка и кадмия с серой и селеном), активированные различными примесями.

Термоупругие напряжения в эпитаксиальном слое служат причиной возникновения такого распространенного объемного дефекта структуры, полупроводников, как дислокации. Плотность их даже в случае осаждения эпитаксиального слоя на бездислокационной подложке доходит до 5-Ю3 см^2. Другой причиной образования дислокаций являются напряжения, возникающие в эпитаксиальном слое в результате различия периодов решеток его и подложки, легированных различными примесями или одинаковыми, но в различных концентрациях. Называемые дислокациями несоответствия они представляют собой 60°-ные дислокации, лежащие в направлениях пересечения плоскостей скольжения {111} с плоскостью роста эпитаксиального слоя. Наличие в эпитаксиальном слое концентраторов напряжений, которыми служат включения второй фазы, также усиливает генерацию дислокаций несоответствия. При увеличении толщины эпитаксиального слоя различные типы дислокаций, взаимодействуя между собой, образуют дислокационные стенки.

Электролюминофоры. Люминофоры, в которых люминесценция возникает под воздействием прилагаемого электрического поля, называют электролюминофорами. Электролюминофор заключен между непрозрачным и прозрачным электродами, которые наносят на пластинку из стекла, слюды и т. п. Обычно используют либо композицию — смесь поликристаллического мелкодисперсного люминофора со связывающим диэлектриком (смолой), либо поликристаллические пленки люминофоров, получаемые осаждением газотранспортным методом или вакуумным напылением. Излучение электролюминесцентных источников света имеет высокую монохроматичность, малую инерционность и большую крутизну характеристики яркости высвечивания от напряжения. Основными составами являются соединения типа Ап—BV1, активированные различными примесями, в основном соединения цинка и кадмия ZnS, ZnSe, (Zn • Cd)S и др. В качестве активирующих примесей используются Mn, Al, Ag, Си и др. Высвечивание сернистого цинка с разнообразными активаторами соответствует той или иной полосе спектра.

— легирование полупроводников различными примесями; при этом, изменяя плотность тока ионного пучка и ускоряющее напряжение, можно в широких пределах регулировать концентрацию примесей и глубину легирования;

Индикаторы выполняются на основе предпробойной или инжекционной электролюминесценции. В первых люминофором является порошкообразный сульфат цинка с различными примесями. Сначала на стекло напыляют прозрачный слой металла (один электрод конденсатора), на который наносят люминофор, а затем полосы, составляющие цифру, из тонкого слоя алюминия (второй электрод), не пропускающего свет в сторону стекла ( 14.8, а). Считывание производится со стороны стекла, на котором темные полосы отражают излучение люминофора, при этом цифры возникают на темном фоне.

При десорбции урана стремятся иметь минимальный объем промывочного раствора, чтобы получить наиболее концентрированный по содержанию урана раствор — элюат. Из элюата уран выделяется в виде концентрата аммиаком, щелочью или окисью магния. Если в элюате много железа, его сначала обрабатывают известью. Однако в результате всех этих и предшествующих операций урановый регенерат загрязняется различными примесями (табл. 6.9). На ряде заводов элюат подвергается экстракционной перечистке, что обеспечивает получение концентрата высокой чистоты (95—96% U3Og) и снижает в последующем расход химических реагентов. Цикл десорбции смолы обычно короче по времени, чем цикл сорбции. 180