Различных подложках

Агрегаты имеют в основном одинаковое конструктивное исполнение. Их отличие заключается в установке различных первичных двигателей и генераторов (по номинальным мощности и частоте вращения), в различных способах возбуждения генераторов и использовании различных приборов и аппаратов (по номинальному току).

многозвенных ИС менее известно, поэтому представляется целесообразным остановиться на этом методе более подробно. Сущность метода ДЛВ заключается в следующем [Л. 2-11, 2-16]. Пусть имеется некоторое пространство логических возможностей. В этом пространстве может быть построено так называемое дерево, представляющее собой связный граф, в котором нет ни одного контура. Каждой ветви дерева приписывается некоторая вероятностная мера, представляющая собой безусловную или условную вероятность ' получения отдельных первичных погрешностей или возможного сочетания различных первичных погрешностей. Законы распределения погрешностей при использовании метода ДЛВ представляются в виде дискоетной последовательности возможных значений первичных ошибок е, каждому из которых приписывается определенная вероятность (см. 2-3). Лю-

бое отдельное сочетание случайных значений различных первичных погрешностей представляет собой реализацию, вероятность которой определяется вероятностями выбранных значений первичных погрешностей. Каждая полученная описанным образом реализация образует вполне определенный путь в ДЛВ, и для нее сравнительно легко определить вероятность.

Устройства для: пе р в и ч но го в в од а (взятия н»а учет) и с б о р а информац ни. Они выполняют функции первичного ввода информации на машинные носители (перфоленту, перфокарты, магнитную денту оперативного запоминающего устройства). Эта операция производится оператором или выполняется автоматически при поступлении информации от различных первичных преобразователей. Ее целью является, во-первых, представить информацию в дискретном закодированном виде, приспособленном для работы механических или электронных устройств (сортирующих, передающих данные и др.), во-вторых, создать буферную память, к которой в нужный момент могут обратиться ЭВМ и устройства сбора информации или передачи данных.

Заводы электротехнической промышленности изготовляют большое число различных первичных элементов. Достаточно большое распространение получили марган-цево-цинковые элементы. Они изготовляются сухими и наливными. Последние заливаются электролитом и приводятся в действие непосредственно перед их применением. Они называются еще резервными, так как могут длительно

§ 19. Сравнительная ценность различных первичных источников энергии..................... 101

Генерирование электроэнергии представляет собой преобразование одной формы энергии в другую. Как вторичная форма энергии электроэнергия может быть получена из различных первичных энергоресурсов — угля, нефти, газа, урана, биомассы, гидроэнергии, солнечной энергии, ветровой энергии и т. п. При создании оптимальной и надежной структуры энергоснабжения экономики такая широта выбора приобретает первостепенное значение.

Как отмечалось в п. 1.2.3, в зависимости от параметров рассматривае* мого объекта, заблаговременное™ выработки и состава принимаемых решений по обеспечению его надежности надежность объекта может быть охарактеризована различным сочетанием единичных свойств надежности. Фактически это означает различную полноту моделирования явлений и процессов, характеризующих поведение объекта при различных первичных возмущениях. Учет таких единичных свойств надежности, как устойчивоспособность, управляемость, живучесть и безопасность (как по отдельности, так и в различных комбинациях), может приводить к необходимости доопределять понятия всех видов отказов как работоспособности, так и функционирования конкретным указанием того свойства, неполнота проявления которого с ним связана, т.е. рассматривать отказы по устойчиво-способности, по управляемости, по живучести, по безопасности (см. п. 1.2.3), например частичный отказ работоспособности по живучести.

1.5.1. Развитие отказов - каскадные аварии.^Отказы и аварии системы, являющиеся следствием различных первичных возмущений, характеризуются обычно последовательностью событий. На 1.13 в виде примера представлена упрощенная схема, дающая представление о связи между различными режимами работы СЭ (применительно к ЭЭС) и событиями, возникающими при первичных возмущениях, происходящих в системе.

(многих) точках системы. Причинами множественных внешних воздействий на системы могут служить случайные совпадения различных первичных возмущений, а также такие процессы в природе, как наводнения, тайфуны, вихри, цунами, снегопады, резкие похолодания и т.п., не говоря уже о преднамеренных внешних воздействиях. Естественно, чем больше число практически одновременных первичных возмущений, чем они тяжелее, тем больше вероятность возникновения каскадной аварии.

На 8.37 дано сравнение способности различных первичных элементов (одинакового типоразмера с элементом О—26) выдерживать большие скорости разряда. Литиевый

Влияние качества поверхности подложки очень важно учитывать при изготовлении тонкопленочных резисторов и конденсаторов. Сопротивление тонкопленочного резистора является функцией шероховатости подложки, если эта шероховатость, по меньшей мере, равна толщине резистивного слоя. На различных подложках можно получить одинаковые значения поверхностных сопротивлений только при условии, что шероховатость их поверхности одинакова. При изготовлении тонкопленочных конденсаторов во избежание электрического пробоя диэлектрика шероховатость подложки должна быть значительно меньше. В тех случаях, когда требуется особо гладкая поверхность подложки (например, при более высоких частотах), применяют сапфир.

Для кремния наибольшее распространение получили процессы в газовой фазе, которые на современном уровне развития методики и оборудования обеспечивают надежную управляемость, а также воспроизводимость процесса и позволяют выращивать однородные слои кремния большой площади с концентрацией примесей, изменяющейся в широком диапазоне. В процессе эпитаксии можно формировать совершенные р-п-структуры, при этом в отличие от диффузионного метода легирования полностью исключается необходимость компенсации примесей. Разработаны также способы локализации эпи-таксиального роста на различных подложках. Электрофизические характеристики эпитаксиальных структур можно изменять практически неограниченно.

Эпитаксию в жидкой фазе применяют для осаждения многих бинарных и тройных полупроводниковых соединений A"'BV, особенно при создании многослойных р-п- и нзо-типных структур на различных подложках.

Эпитаксия SiC из газовой фазы. В основе метода лежит сублимационная перекристаллизация предварительно синтезированного SiC в инертной атмосфере или в вакууме. Пооцесс проводят в высокотемпературных печах, в графитовых контейнерах ( 4.22). При эпитаксии в аргоне температура реакционной зоны в среднем составляет 2000 —2200 °С, в вакууме процесс идет при более низкой температуре (1800 — 1900 °С). При этом материал источника 5 испаряется с частичным разложением, а пары материала поступают через газопроницаемую тонкую графитовую диафрагму, проникая в зону кристаллизации 7, где расположены подложки 3. Температура в этой зоне на 50 — 60 К ниже температуры источника. Создаваемое здесь незначительное пересыщение пара (3 — 4 %) достаточно для эпитаксиального роста SiC. Ввиду наличия наряду с радиальным значительного осевого градиента температуры в зоне кристаллизации эпитаксия на различных подложках происходит в различных условиях, что обусловливает политипную неоднородность растущих слоев.

Выбор типа фотоэмиттера для катода фотоэлемента производится в соответствии с рабочей областью спектра и величинами используемых световых потоков. В качестве фотоэмиттеров обычно применяют специально обработанные пленки щелочных металлов на различных подложках. Такие пленки обладают избирательным фотоэффектом с достаточно большой чувствительностью в области видимого света. Наибольшее распространение получили следующие типы фотокатодов:

Влияние качества поверхности подложки очень важно учитывать при изготовлении тонкопленочных резисторов и конденсаторов. Сопротивление тонкопленочного резистора является функцией шероховатости подложки, если эта шероховатость по меньшей мере равна толщине резистивного слоя. На различных подложках можно

на подложке из нержавеющей стали наблюдаются незначительные колебания фототока. Это, вероятно, связано с изменением толщины или качества пленок a-Si: Н и ОНО. В элементах на подложке из ОИО/стекло выявляются отличительные особенности, заключающиеся, как видно из рисунка, в периодическом изменении фототока. Дальнейшие исследования тока, наведенного световым лучом, в солнечных элементах на основе a-Si: Н на различных подложках, таких как ОШ/стеклои 8Ю2/ОШ/стек-ло, выявили, что картины профилей фототока в солнечных элементах на подложках различных видов существенно разнятся между собой. Это означает, что они тесно связаны с морфологическими особенностями материалов подложки и прозрачных контактных пленок. Кроме того,

Солнечные элементы на основе аморфного кремния обладают рядом практических преимуществ по сравнению с использованием обычного кристаллического кремния: более низкая температура наращивания; возможность формирования перехода в процессе осаждения; простота получения солнечных элементов большой площади. Кроме того, солнечные элементы на основе a-Si: Н могут создаваться на различных подложках, таких как стекло, полимер или керамика, покрытые проводящим слоем, а также на металлических листах. Среди последних наиболее часто используется подложка из нержавеющей стали.

Таблица 5.5.2. Характеристики солнечных элементов иа различных подложках ( 78]

на подложке из нержавеющей стали наблюдаются незначительные колебания фототока. Это, вероятно, связано с изменением толщины или качества пленок a-Si: Н нОИО. В элементах на подложке из ОИО/стекло выявляются отличительные особенности, заключающиеся, как видно из рисунка, в периодическом изменении фототока. Дальнейшие исследования тока, наведенного световым лучом, в солнечных элементах на основе a-Si: Н на различных подложках, таких как ОЯО/стекло и 8Ю2/ОЯО/стекло, выявили, что картины профилей фототока в солнечных элементах на подложках различных видов существенно разнятся между собой. Это означает, что они тесно связаны с морфологическими особенностями материалов подложки и прозрачных контактных пленок. Кроме того,

Солнечные элементы на основе аморфного кремния обладают рядом практических преимуществ по сравнению с использованием обычного кристаллического кремния: более низкая температура наращивания; возможность формирования перехода в процессе осаждения; простота получения солнечных элементов большой площади. Кроме того, солнечные элементы на основе a-Si: Н могут создаваться на различных подложках, таких как стекло, полимер или керамика, покрытые проводящим слоем, а также на металлических листах. Среди последних наиболее часто используется подложка из нержавеющей стали.

Таблица 5.5.2. Характеристики солнечных элементов иа различных подложках ( 78]