Различных мощностях

Конструктивное исполнение всех микросхем серии однотипно. Все они выполняются в однотипном корпусе, расположение одноименных внешних выводов и соответствующих им контактных площадок на подложке обычно совпадает. Совпадают также значения напряжений источников питания и т. д. Технология изготовления различных микросхем одной и той же серий едина. Наиболее распространенные сейчас планарно-эпитаксиальная технология, при которой все элементы микросхемы формируются в эпитаксиальномслое кремния на поверхности подложки, метод прямой диффузии или технологический - процесс формирования МДП-структур и т. д.

Оценка помехоустойчивости по абсолютной величине допустимой статической помехи не всегда удобна, так как величины напряжений питания и перепад напряжения между уровнями логической единицы и логического нуля для различных микросхем могут сильно различаться. Поэтому для оценки помехоустойчивости микросхем иногда пользуются безразмерным коэффициентом статической помехоустойчивости:

стимых для данной микросхемы изменениях сопротивления нагрузки, напряжения питания, температуры и др. Это важный параметр, характеризующий серию микро-схем^так как в пределах данной серии совпадение уровней нуля и единицы для различных микросхем обязательно.

На основе ЛЭ и элементом памяти, рассмотренных в предыдущих главах, создают цифровые микросхемы с более сложными функциями, объединяемые в серии. Серия цифровых микросхем — это совокупность нескольких типов микросхем, которые выполняют различные функции преобразования цифровой информации, имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного применения. Последнее предполагает одинаковые напряжения источников питания, уровни сигнала, помехоустойчивость, а также сопряжение, т. е. возможность непосредственного соединения входов и выходов различных микросхем.

Одна из наиболее широко применяемых серий цифровых микросхем, выпускаемых отечественной промышленностью, — серия К155, содержащая более 100 различных микросхем и использующая элементы

Логические интегральные микросхемы на МДП-транзисторах по принципу действия делятся на три группы: статические, квазистатические и динамические. Элементной основой для построения таких микросхем являются базовые логические элементы, выполняющие логические операции ИЛИ—(НЕ, И—НЕ, И—ИЛИ—НЕ, НЕ—И—ИЛИ. Для построения базовых логических элементов и, следовательно, для реализации различных микросхем наибольшее распространение получили МДП-транзисторы р-типа и дополняющие.

Компенсированные транзисторные ключи входят в состав различных микросхем серий 124, 129, 162. Кроме того, транзисторные ключи используются в оптронах типа АОТ122, АОТ126, АОТ128 и др. Оптронные транзисторные ключи имеют гальваническую развязку входной и выходной цепей, однако у них

Интегральные микросхемы преобразователей кодов, шифраторов и дешифраторов. Промышленность выпускает большое количество различных микросхем преобразователей кодов, шифраторов и дешифраторов, некоторые из которых приведены в табл. 15.3.

• по способности передавать сигналы в двух направлениях. Промышленность выпускает большое количество различных микросхем мультиплексоров, некоторые из которых приведены в табл. 16.2.

Интегральные микросхемы ЗУ. Промышленность выпускает большое количество различных микросхем ЗУ, отличающихся информационной емкостью, организацией, технологией изготовления. Условное схематичное изображение микросхемы статического ОЗУ приведено на 17.9 а. Функциональное назначение ИМС указывается обозначением RAM.

Перечисленными фирмами и многими другими выпускается так много различных микросхем АЦП, что трудно даже произвести их сравнение, тем более что многие фирмы используют собственную классификацию и приводят ряд нестандартных характеристик. Тем не менее некоторые выводы из рассмотрения выпускаемых АЦП можно сделать.

11.12. Векторные диаграммы синхронного двигателя при различных токах возбуждения (а) и U-образныс характеристики при различных мощностях (б)

На 23.4 изображены кривые нагревания двигателя при различных мощностях нагрузки.

23.4. Кривые нагревания двигателя при различных мощностях нагрузки

11.12. Векторные диаграммы синхронного двигателя при различных токах возбуждения (а) и U-образные характеристики при различных мощностях (б)

11.13. Векторные диаграммы синхронного двигателя при различных токах возбуждения (а) и U-образные характеристики при различных мощностях (б)

На 22.3 изображены кривые нагревания двигателя при различных мощностях нагрузки.

22.3. Кривые нагревания двигателя при различных мощностях нагрузки

Из уравнения (2-20) ясно, что групповой коэффициент формы, а следовательно, и неравномерность группового графика нагрузок приемников одного режима работы не зависят от коэффициента использования ки>а, а зависят от коэффициента включения кв, влияние которого убывает с увеличением /г„. При заданных значениях /св и кф,а величина /гп полностью определяет величину кф>а. Следовательно, приведенное число приемников /гп является числом одинаковых по мощности приемников с заданным режимом работы, которые при той же суммарной номинальной мощности Рном будут иметь тот же групповой коэффициент формы, что и при заданных различных мощностях приемников. Так как пп =sg n, то при прочих равных

Из (2.20) ясно, что групповой коэффициент формы, а следовательно, и неравномерность группового графика нагрузок приемников одного режима работы не зависят от коэффициента использования /си>а, а зависят от коэффициента включения /св, влияние которого убывает с увеличением Ип. При заданных значениях fcj и /сф а значение пп полностью определяет значение /сф а. Следовательно, приведенное число приемников «п является числом одинаковых по мощности приемников с заданным режимом работы, которые при той же суммарной номинальной мощности Рном будут иметь тот же групповой коэффициент формы, что и при заданных различных мощностях приемников. Так как «л ^ "> то при прочих равных условиях Кф а, а следовательно, и неравномерность группового графика будут тем больше, чем больше различие мощностей отдельных приемников в группе. Последнее объясняется тем, что взаимная компенсация провалов и пиков на случайно налагающихся индивидуальных графиках нагрузок приемников одного режима работы, формирующих групповой график нагрузок, для приемников разной мощности будет меньше, чем для приемников одинаковой мощности.

о — диод, р-область которого облучается светом; б — зонная диаграмма р—n-перехода диода, показывающая возникновение фото-э. д. с.; в — вольт-амперная характеристика освещенного р—п-перехода при различных мощностях светового потока

На 5.3.3 представлены темповая проводимость при 25 °С и энергия активации проводимости пленок, осажденных при различных мощностях разряда. Легированные фосфором пленки Si: Н были получены разложением газовой смеси SiH4-H2-PH3 (SiH4/H2 = 1/20, PH3/SiH4 = = 0,01) в высокочастотном (13,56 МГц) тлеющем разряде в емкостно-спаренном реакторе. С увеличением мощности разряда проводимость сначала снижается, а затем резко повышается от 10~4 до 8 См/см. При этом энергия активации изменяется от 0,2 до 0,02 эВ.