Различных элементовПри фазоимпульсной модуляции для передачи каждого элементарного сигнала используется своя фаза колебания. При этом необходимо, чтобы фазы различных элементарных сигналов -возможно больше различались между собой.
Характер и степень поглощения высокочастотной энергии диэлектриком зависит, главным образом, от состава и молекулярной структуры последнего; это относится, в частности, и к углям. Органическая масса гумусовых углей рассматривается нами как сложная гетерогенная смесь высокомолекулярных соединений, состоящих из пространственно-структурированных макромолекул разного строе-. ния. Последние, в свою очередь, состоят из сочетания различных элементарных структурных единиц, принципиально общим для которых является наличие ядерной части — конденсированных ароматических сеток, и валентно связанных с ними боковых радикалов — гидроароматических, гетероциклических и алифатических групп.
наоборот, содержащей все буквы) поставлены знаки отрицания. Ранг элементарной конъюнкции — это число входящих в нее аргументов. Дизъюнктивной нормальной формой (ДНФ) БФ называется дизъюнкция конечного множества попарно различных элементарных конъюнкций. ДНФ функции у(х\, . . ., XL), все элементарные конъюнкции которой имеют ранг L, называется совершенной ДНФ этой функции. Любая БФ может быть представлена в совершенной ДНФ, для чего необходимо: выбрать в таблице задания функции все наборы значений аргументов, на которых она обращается в 1; выписать конъюнкции, соответствующие этим наборам значений аргументов (xi вписывается в конъюнкцию без изменения, если его значение в 1-м компоненте набора равно 1, и со знаком отрицания, если его значение в 1-м компоненте набора равно 0) ; все полученные конъюнкции объединить знаком дизъюнкции. Например, совершенная ДНФ функции у, заданная табл. 1.1, запишется так:
Мак-Класки предложил модернизацию первой части метода Квай-на, позволяющую существенно сократить число попарных сравнений различных элементарных конъюнкций. Согласно методу Мак-Класки элементарные конъюнкции записываются в виде L-разрядных троичных
S(M)=S(Mi)+S(M2)=2L5+Btf [бит]. Для сокращения информационной емкости при реализации системы БФ необходимо представлять ее в ДНФ с минимальным числом различных элементарных конъюнкций, т. е. в кратчайшей ДНФ.
На одной ПЛМ (s, t, q) может быть реализована система булевых функций y\(xi, ..., XL), ..., yN(x\, ..., XL), представленная в произвольной ДНФ, такая, что L^s, N^. ^t, B^q, где В — число различных элементарных конъюнкций в системе. Внутренняя структура матриц Mi и М2 полностью совпадает со структурой аналогичных матриц Mj и М2, рассмотренных в § 3.1. Договоримся в дальнейшем ПЛМ (s, /, (?) изображать условно так, как это показано на 3.4,6.
Рассмотрим систему 6 булевых функций с параметрами L, N, В, /.max и ПЛМ (s, t, q), для которых выполняются условия L>s, N>t, B>q, Lmax^s. Необходимо построить из ПЛМ (s, i, q) одноуровневую схему, реализующую заданную систему 0. Обозначим через E={ei,... . . . , ев] множество различных элементарных конъюнкций (термов) рассматриваемой системы 0, Х(еъ) — множест-6—421 81
8 [27] аналогичная задача решается с помощью предлагаемого метода дизъюнктивно-конъюнктивного разложения БФ, являющегося частным случаем задачи декомпозиции. Этот метод основан на многократном применении трех процедур: минимизации числа переменных реализуемых БФ (последние могут быть заданы в произвольной ДНФ), функционального разложения БФ — и их минимизаций в классе ДНФ. В [25] рассматривается задача реализации системы О на ПЛМ (s, /, q) при выполнении условий L^s, B^.q, N~>t. Предложены три приближенных конкурирующих алгоритма, позволяющих разбить систему '9 на подсистемы, каждая из которых реализуется на одной ПЛМ, и сумма различных элементарных конъюнкций в каждой подсистеме после минимизации минимальна. В [24] рассматривается задача реализации на ПЛМ (s, t, q) системы
Для построения Y-подсхемы на одной ПЛМ (s, t, q) должны быть выполнены условия: V^s, NY^t, B(Y)^q, где В (У) — число различных элементарных конъюнкций в ДНФ функций r/i, .... yN вида (6.11), NY=\Y(PY)\. Усло-
Для построения F-подсхемы на одной ПЛМ (s, t, q\ должны быть выполнены условия /Csgjs, NF^.t, B(F)^.q, где В (F) — число различных элементарных конъюнкций в ДНФ функций У!,..., t/N, Dl,...,DR вида (6.13); A'F= = \Y(PF)\. Среди приведенных условий наиболее часто не выполняются два последних, т. е. NF^.t и B(F)^.q. Поскольку функции вида (6.13) представлены в совершенной ДНФ или близкой к ней форме, для построения F-подсхемы выгодно использовать ПЗУ (s, t), что исключает необходимость учета условия B(F)sz:q. Если ArF>^, то производится расширение ПЗУ (s, t), по выходам. Условие же /C^s как для ПЗУ (s, t), так и для ПЛМ '(s, t, q) почти всегда выполняется.
В электрон-вольтах обычно выражают энергию различных элементарных частиц (электронов, протонов и др.). При этом применяют также более крупные единицы энергии:
Задачи, возникающие при расчете электрических цепей, бывают весьма разнообразными. Одной из наиболее часто встречающихся задач расчета является определение напряжений, токов и мощностей различных элементов цепей при заданных их параметрах. Нередко возникает и другая задача, когда бывает необходимо найти значения параметров тех или иных элементов, например электродвижущих сил (ЭДС) источников, обеспечивающих получение требуемых напряжений, токов или мощностей.
При рассмотрении вопроса о параметрах различных элементов электрических цепей необходимо учитывать следующее. Каждый элемент электрической цепи имеет в общем случае несколько параметров, с помощью которых могут быть учтены электромагнитные и тепловые явления, свойственные данному элементу. Однако далеко не всегда необходимо принимать во внимание наличие всех параметров.
сопротивления г различных элементов электрических цепей, в том числе и внутренние сопротивления г0 источников, а также приемников, имеющих в качестве параметра ЭДС. Вместо сопротивлений могут быть использованы соответствующие им проводимости g = \jr и g0 = 1/г0.
С точки зрения расчета и анализа электрических цепей lie имеет значения, с какими именно источниками, приемниками и вспомогательными элементами приходится иметь дело. Важно знать только их параметры и способ соединения друг с другом. Учитывая это, при изучении методов расчета и анализа цепей будем использовать в основном одни и те же условные обозначения для различных элементов, имеющих одинаковые параметры. Активные элементы будгм обозначать з основном кружочками со стрелками внутри, укатлп.-ющими направление ЭДС ( 1.1); для батареи из гальванических олемгнтов используем обозначение, приведенное на 1.1, о.
В сопротивлениях различных элементов электрических luzicii происходит процесс преобразования электрической энергии в теплоту. Такие элементы называются резистивными и обозначаются прямо) голь-ничками (см. рис 1.1).
Токоведущие части различных элементов электрических цепей изготовляются из проводниковых материалов, которые бывают твердыми, жидкими и газообразными. Основными проводниковыми материалами являются металлы и их сплавы.
Токоведущие части различных элементов электрических цепей должны быть рассчитаны так, чтобы их температура tJCT не превышала допустимых значений, которые определяются различными факторами. Так, наибольшая допустимая температура изолированных проводов определяется нагревостойкость.ю изоляции.
Для различных элементов электрических цепей указываются различные номинальные данные. Так, основными номинальными данными генераторов являются номинальные напряжение, электрическая мощность, отдаваемая приемнику, и ток; основными номинальными данными аккумуляторов являются номинальные напряжение и емкость в ампер-часах; в качестве основных номинальных данных электродвигателей указываются номинальные напряжение, ток, механическая мощность, развиваемая двигателем, и частота вращения; для нагревательных приборов и осветительных ламп задаются номинальные напряжения и мощности, для резисторов — номинальные сопротивления и токи (или мощности). Следует обратить внимание на то, что номинальные мощности и токи многих элементов электрических цепей (двигателей, генераторов, резисторов и др.) устанавливают, исходя из их нагревания до наибольшей допустимой температуры.
Генераторы ЦМД могут быть построены в виде различных элементов—токовых петель особой конфигурации, нермаллоевых аппликаций специальной формы и др.
делах одного цикла перемещения свечи изменяются статический и динамический моменты, а также момент инерции элементов системы относительно подъемного вала. Радиус навивки изменяется ступенчато, соответственно изменяется характер зависимостей усилий, пути, скорости и ускорений для различных элементов системы подъема ( 6):
В ОРУ расстояния в свету между токоведущими и заземленными частями, между токоведущими частями разных фаз и от токоведущих частей до различных элементов ОРУ должны быть не менее приведенных в [46].
Похожие определения: Разделительного конденсатора Разгрузочных устройств Радиальным расположением Различные электрические Различные источники Различные математические Различные показатели
|