Различные температуры

Основные потери в стали состоят из потерь на гистерезис и потерь на вихревые токи. Они зависят от марки стали, толщины листов магнитопровода, частоты перемагничивания и индукции. На них оказывают влияние также различные технологические факторы. В процессе штамповки листов магнитопровода образуется наклеп, который изменяет структуру стали но кромкам зубцов и увеличивает потери на гистерезис. Потери на вихревые токи возрастают в результате замыканий части листов магнитопровода между собой, возникающих из-за заусенцев, которые образуются при опиловке пазов, при забивке пазовых клиньев, из-за чрезмерной опрессовки магнитопровода и ряда других причин.

При добыче, транспорте и хранении нефти и газа применяют различные технологические установки, имеющие в своем составе определенное электрооборудование, которое работает на различных напряжениях от 10 до 0,22 кВ, т.е. в нефтяной .и газовой промышленности используют как высоковольтное, так и низков.ольтноеэлект*рооборудование.

При создании современных усилительных устройств особенно в микроэлектронном исполнении, когда разработчики должны учитывать различные технологические и топологические факторы и вынуждены прибегать к помощи ЭВМ и САПР, необходимы более точные модели УЭ и даже целых каскадов (макромодели), которые могут значительно отличаться от моделей, применяемых при ручных методах проектирования. В этом параграфе рассматриваются только те модели УЭ, которые находят применение при ручных методах анализа. Модели активных и пассивных интегральных и дискретных элементов, а также макромодели для машинных методов анализа будут рассмотрены ниже.

Электрический переход нельзя создать путем механического контакта двух кристаллов полупроводника, так как поверхности таких кристаллов загрязнены атомами других веществ, окислами полупроводника и т. п. Для изготовления переходов используются различные технологические методы, например легирование, части кристалла тг-полупроводника акцепторными примесями путем их Диффузии из газообразной или жидкой среды, содержащей атомы нужной примеси (диффузионный переход). Используют также метод вплавления в полупроводник металла или сплава, содержащего акцепторные или донорные примеси (сплавной переход), и др.

Для получения хорошего контакта между первым и вторым уровнями металлизации в БИС (из-за наличия плевки А1гО3) используют различные технологические приемы. Например, осуществляют термическую обработку пластины при ?=500° С после нанесения второго слоя. В результате рекристаллизации (рост крупного зерна) обоих слоев происходит механическое разрушение тонкого слоя окиси алюминия. Другой путь — нанесение второго слоя алюминия катодным распылением с предварительной ионной бомбардировкой поверхности в разряде инертного газа.

Переход между областями полупроводника с электропроводностью р- и n-типа называют электронно-дырочным или р-п-переходом. Чаще всего эти области создают в монокристалле полупроводника, используя различные технологические методы, например легирование части исходного кристалла n-типа акцепторными примесями. Легирование (контролируемое введение примесей) проводят путем диффузии атомов примесей из внешней среды при высокой температуре, ионным внедрением при бомбардировке кристалла пучком ионов примесей, ускоренных в электрическом поле, или вплавлением в полупроводник металла (сплава), содержащего нужные примеси. Для создания р-/г-переходов применяют также эпитаксию — наращивание на поверхность кристалла — подложки тонкой пленки полупроводника с противоположным типом проводимости, причем эта пленка образует единый монокристалл с подложкой. Таким способом можно наращивать эпитаксиаль-ную пленку другого полупроводника с близкой к подложке кристаллической структурой (гетероэпитаксия) и формировать гетеропереходы, т.е. переходы между различными полупроводниками, отличающимися шириной запрещенной зоны.

Отечественная промышленность выпускает различные вакуумные установки, предназначенные для производства гибридных и полупроводниковых схем. Их различают по своим технологическим возможностям. Простейшей базовой моделью является установка УВМ-2М ( 41), на основе которой была создана серия установок, имеющих одинаковую вакуумную систему, но различные технологические оснастки, конструкции испарителей и средства контроля.

Электрический переход нельзя создать путем механического контакта двух кристаллов полупроводника, так как поверхности таких кристаллов загрязнены атомами других веществ, окислами полупроводника и т. п. Для изготовления переходов используются различные технологические методы, например легирование, части кристалла тг-полупроводника акцепторными примесями путем их Диффузии из газообразной или жидкой среды, содержащей атомы нужной примеси (диффузионный переход). Используют также метод вплавления в полупроводник металла или сплава, содержащего акцепторные или донорные примеси (сплавной переход), и др.

Для получения хорошего контакта между первым и вторым уровнями металлизации в БИС (из-за наличия плевки А1гО3) используют различные технологические приемы. Например, осуществляют термическую обработку пластины при ?=500° С после нанесения второго слоя. В результате рекристаллизации (рост крупного зерна) обоих слоев происходит механическое разрушение тонкого слоя окиси алюминия. Другой путь — нанесение второго слоя алюминия катодным распылением с предварительной ионной бомбардировкой поверхности в разряде инертного газа.

Производство жидкого топлива из сланцев. Очевидно, главным источником получения жидкого топлива в стране являются залежи нефтеносных сланцев. В залежах сланцев на западе США с удельным содержанием нефти 90 л и больше в расчете на 1 т сланца согласно оценкам находится не менее 28 млрд. т нефти. На наземных установках, использующих различные технологические схемы перегонки сланцев, была продемонстрирована производительность в пределах от 270 до 900 т/сут.

Вырабатываемая на ТЭЦ, в промышленных котельных и утилизационных установках тепловая энергия используется на различные технологические нужды (в зависимости от ассортимента продукции и технологической схемы производства), на отопление, горячее водоснабжение и вентиляцию.

Таким образом, пуски блока из неостывшего состояния имеют место в относительно широком диапазоне температур металла турбины. Кроме того, отдельные узлы и элементы турбины могут иметь при этом существенно различные температуры. Довольно медленно остывает верхняя часть ЦВД в зоне камеры регулирующей ступени наиболее быстро — перепускные трубы ЦСД. Процесс остывания роторов имеет свои особенности. Значительно быстрее турбины остывает котел. Так, например, ЦВД турбины К-200-130 остывает до 150°С через 5 суток после останова (без расхолаживания),тогда как для барабанного котла это время составляет примерно сутки.

Рассмотрим образец материала, используемый для измерения теплопроводности, с неизменным сечением F и длиной h. На торцевых плоскостях образца устанавливаются различные температуры. Положим, что тепловой поток распространяется в образце вдоль продольной оси, не выходя за его боковую поверхность. .Уравнение установившегося процесса передачи тепла через тело. с, полным тепловым сопротивлением Rr при разности температур на горячей и холодной поверхностях А71 имеет вид

номерных, крупногабаритных или мелких изделий в корзинах. Форма рабочего пространства печи и его размеры определяются формой и габаритами загрузки. Печи выпускаются круглого и квадратного сечений на разные размеры рабочего пространства и различные температуры. Рабочее пространство печи перекрывается крышкой, которая может иметь ручной, пневматически^ гидравлический или электромеханический привод.

Теплопроводностью называется процесс распространения тепловой энергии при непосредственнзм взаимодействии элементарных частиц тела или при соприкосновении отдельных тел, имеющих различные температуры. Тепл >проводность обусловлена движением микрочастиц, и в зависимости от агрегатного состояния вещества она имеет различный характер. Так, в газах теплопроводное гь осуществляется путем диффузии молекул и атомов, в жидкостях и твердых диэлектриках -— путем упругих колебаний, а я металлах — путем диффузии свободных электронов и упругих колебаний, причем роль упругих колебаний здесь имеет второстепенное значение.

Методом раздельных испарителей предусматривается одновременное испарение компонентов сплава из индивидуальных испарителей, имеющих в общем случае различные температуры. На пути движения к подложке пары образуют смесь определенного состава, которая осаждается на подложку. Сложность учета геометрии системы, а также коэффициентов отражения от подложки атомов различных компонентов не позволяет решить эту задачу аналитически. Поэтому подбор температур на испарителях и температуры подложки производят экспе-

В термоэлектрических датчиках используется явление контактной разности потенциалов двух разнородных металлов (константан, мангинин, нихром и др.)- Для получения ЭДС на концах двух разнородных проводников необходимо, чтобы их контакты имели различные температуры. Величина термо-ЭДС пропорциональна разности температур спаев термоэлемента. Сохраняя температуру одного спая термоэлемента, можно по величине термо-ЭДС судить о температуре второго спая, т. е. из-

Методом раздельных испарителей предусматривается одновременное испарение компонентов сплава из индивидуальных испарителей, имеющих в общем случае различные температуры. На пути движения к подложке пары образуют смесь определенного состава, которая осаждается на подложку. Сложность учета геометрии системы, а также коэффициентов отражения от подложки атомов различных компонентов не позволяет решить эту задачу аналитически. Поэтому подбор температур на испарителях и температуры подложки производят экспе-

Электрические радиаторы отдают тепло в основном конвекционным путем. Они обычно имеют вид металлического герметизированного корпуса, заполненного какой-нибудь жидкостью, с нагревательным элементом в нижней части. В качестве жидкости используются вода, мазло и др. Радиаторы снабжаются регуляторами, автоматически поддерживающими температуру на его поверхности 60—70° С, что выгодно отличает их от электрических отопительных приборов, работающих на принципе излучения. Обычно регулятор температуры имеет сигнальную газоразрядную лампочку, указывающую на включенное или выключенное состояние радиатора. Регулятор позволяет устанавливать различные температуры на его поверхности. Электрические радиаторы применяют для отопления жилых комнат, ванн, конторских и других помещений.

Полимеры представляют собой не строго индивидуальные химические вещества, а смеси веществ несколько различающейся степени полимеризации (так называемых полимеров-гомологов), так что практически можно говорить лишь о некоторой средней степени полимеризации. Так как различные полимеры-гомологи имеют различные температуры плавления (чем выше степень полимеризации, тем выше и температура плавления), полимеры не имеют резко выраженной температуры плавления, которая свойственна низкомолекулярным веществам, а переходят из твердого состояния в жидкое при нагреве постепенно, на протяжении некоторого температурного интервала размягчения, поэтому для полимеров значение температуры размягчения (см. § 5-3) определяют с помощью условных методов.

проводностью, причем теплопроводность электрической изоляции достаточно мала. Поэтому отдельные части машины (обмотка, сердечники и др.) имеют различные температуры. В связи с этим более правильно было бы рассматривать электрическую машину как совокупность нескольких однородных тел, между которыми существует теплообмен. В действительных условиях величина Т также не вполне постоянна, так как коэффициенты теплоотдачи зависят в определенной мере от температуры. Кроме того, воздух или другой охлаждающий агент при протекании по вентиляционным каналам нагревается, и поэтому температура охлаждающей среды для различных участков охлаждаемой поверхности имеет различные значения.

Из опыта известно, что если два тела, име-' ющие первоначально различные температуры, привести в тепловой контакт3, энергия будет передаваться от более нагретого тела к менее нагретому до тех пор, пока их температуры не станут равными. Этот процесс называется теплопередачей. Она представляет собой передачу средней кинетической энергии атомов, молекул и электронов одного тела атомам, молекулам и электронам другого. Подве-