Разбросом параметров

В качестве первой строки для формирования первого элемента теста есть несколько строк, разность числа единиц и нулей в которых минимальна и равна трем. Это строки а, Ь, с, е, f, h, k, т. Выбираем любую из них, например а. Добавив к ней строку Ь, получим а\] V Ь = О 1 О I 00 1. Так как разность чисел нулей и единиц в этом векторе равна 1, построение элемента (первого) теста закончено. Этим набором множество столбцов X разбивается на AI = {2, 4, 7} и Л0 = = {1, 3, 5, 6}. Для разбиения А± и АО на подмножества по возможности равной мощности подходит вектор cVe=1100011. Получаем /lu ='2, 7}, Л10~{4}, Л01 = {1, 6}, Л0о = (3,5). Построением второго элемента поиск теста не завершается. Третий элемент теста образуют строки си/, так как c\l f — \ О 1 000 1. Получили разбиение множества столбцов на подмножества Ащ --- {7}, Лцо={2}, Ащ = (4), Аоп = {!}, Д„ю -= {6}, Ami = {3}, Аюо = {5}. Построение минимального теста закончено. Получили

По X* строим описанным методом тест. В X'' строки с н
2. На втором этапе отыскиваются импликанты ранга, большего т. Важной задачей гри реализации S(n, r) схемой в базисе {ПЛМ (m, r, q)} при я>т является разбиение множества аргументов заданных функций X = = {хг, . . . , хп} на подмножества Хг ^ X, где X =

2. Разбиение множества переменных {Ai, А-2, А3, А±, А5, Л6} ищем с помощью оператора

Размечаем ГСА метками аь . . . , а-щ. После введения дополнительной метки «л получили разбиение множества входных переменных на два подмножества мощностью 4 : лх — {х,, х-2, хя, х4/х5, хе, х7, хе]. Замечаем, что \А(а2)' > 2* = 4, строим граф Гт ( 5.16). Вершинами Гт являются CD, c'lti, «з, и\, a\i и РГ = *i, и? — хг, v3 = х3, vt~Xt. Если Гт разрезать ло дуге (уь p?), то получим дра подграфа, в каждом из которых число вершин плюс число разрезанных выходящих дуг не превышает 4 (в одном подграфе их 2, а в другом 4). К аналогичному результату можно подойти, разрезав Гт иначе (например, по дуге (va, vt))- После разрезания Гт вводим дополнительную метку о!2. Далее строим подтаблицы переходов W",

При использовании алгоритмов на основе метода ветвей и границ полный перебор вариантов размещения элементов заменяют частичным. В основу алгоритма положено разбиение множества решений на подмножества (ветвление) и определение нижних границ оценок для выбранных подмножеств. Данный алгоритм позволяет резко сократить число перестановок для получения размещения элементов по критерию минимальных связей. Недостатком алгоритма является ограниченность его применения, в частности, из-за непригодности к мультиграфам.

При использовании алгоритмов для размещения элементов на основе метода ветвей и границ полный перебор вариантов размещения заменяют частичным. В основу алгоритма положено разбиение множества решений на подмножества (ветвление) и определение нижних границ оценок для выбранных подмножеств. Данный алгоритм позволяет резко сократить число перестановок для получения размещения по критерию минимальных связей. Недостатком алгоритма является ограниченность его применения, в частности, _ла-за непригодности к мультиграфам.

Известно [48], что классификация — логическая операция, состоящая в разделении всего изучаемого множества предметов по обнаруженным сходствам и различиям на отдельные группы, или подчиненные множества, называемые классами. При этом «классификация как разбиение множества есть лишь следствие классификации как знания закономерной связи общих и особенных сторон исследуемых объектов».

в § 6.3. Если его использование не позволяет построить разбиение множества А с желаемыми свойствами, то может быть использован метод, изложенный в § 6.4. Например, если МПА 5 синтезируется по ГСА Г, последняя отмечена по алгоритму Ф1 или Ф2 и выполняются условия L>s, N^. $^t, B^.q, R^r, то применение метода, описанного в § 6.4, позволяет отметить ГСА Г таким образом, что требуемое разбиение ят будет формироваться тривиально. Заметим, что если выполняется условие ?шах>5 [Lmax — наибольшее число букв в одной конъюнкции Xh, записанной в столбце Х(ат, as) таблицы переходов МПА], то синтезировать логическую схему МПА на ПЛМ (s, t, q, r) можно только при использовании метода, рассмотренного в § 6.4. Если в этом случае такой метод по каким-либо причинам использовать нежелательно, то по ГСА Г может быть построена многоуровневая схема МПА на ПЛМ (s, t, q, r), порядок синтеза которой описан в [31, 38].

Разбиение множества ПК на перечисленные выше группы средств не является строго обозначенной отличительными признаками классификацией. Границы между средствами в значительной степени размыты, поэтому невозможно дать строгое определение каждого из этих средств. Однако описать функциональные особенности каждой группы средств представляется возможным.

Из данного примера видно, что производственный разброс параметров электронных схем вызван главным образом разбросом параметров транзисторов. Резисторы с отклонением ±5 %, которые обычно считают достаточно точными, могут вызывать разброс режима, превышающий разброс, вызываемый транзисторами.

Под разбросом параметров элементов будем иметь в виду отклонения этих параметров (сопротивления резисторов, емкости конденсаторов и т. д.) от номинальных значений, полученных в результате расчета схемы. Такие отклонения вызываются следующими причинами:

Диффузионный метод является перспективным при создании различных полупроводниковых приборов с минимальным технологическим разбросом параметров. Разновидности этого метода применяются в производстве высоковольтных и высокочастотных диодов с трехслойной структурой р—г—я-типа и т.п.

Наиболее перспективной считается планарная технология, позволяющая создавать в исходной пластине полупроводника группу транзисторов (до тысяч штук) с минимальным разбросом параметров. Это название связано с геометрией структуры, у которой выводы коллекторной, базовой и эмиттерной областей выходят на одну плоскость. В основе планарной технологии лежит совокупность методов создания переходов: локальная диффузия примесей в подложку через маски с отверстиями; создание окисных пленок; фотолитография через фотошаблоны; химическое травление отдельных участков подложки и т.п. Одна из разновидностей этого метода включает химическое наращивание (эпитаксию) пленки кремния с заданными электрическими свойствами. Контактные выводы на поверхности кристалла создаются напылением алюминия или золота ( 3.10,я), а внешние токоотводы осуществляются с 4* 43

Направленное реле сопротивления, кроме того, должно срабатывать при внутренних к. з. (К—/ для защиты 3 и К — 2 для защиты 2) при t/p=0. С этой целью оно дополняется контуром «памяти» (см. главу седьмую). Для реле направления мощности, если оно не дополняется контуром «памяти», необходимо не допустить срабатывания при ?/р = 0. Такое ложное срабатывание может быть вызвано разбросом- параметров элементов схемы и появлением

Важными достоинствами транзисторов являются небольшое напряжение источника питания, малые габариты, большой срок службы, хотя плоскостные транзисторы об--ладают заметной собственной емкостью, небольшим коэффициентом усиления, большим разбросом параметров однотипных транзисторов.

Обычно потери, обусловленные неидеальностью преобразования сигнала и паразитными параметрами, полагают детерминированными. Потери же, обусловленные разбросом параметров узлов и деталей, носят случайный характер и характеризуются функциями распределения ш(ош) и ш(Е). Однако на практике более удобно оценить потери вероятностью того, что реальные потери не будут превышать ожидаемых ?ош.ож и ЕОЖ, т. е.

Нестабильность амплитудно-частотных и фазо-частотных характеристик радиоэлектронной аппаратуры обусловлена прежде всего начальным разбросом параметров узлов и деталей, вызванным производственными погрешностями; влиянием изменяющихся условий внешней среды (температуры, влажности, давления, наличия химических примесей, воздействия вибраций и ударов), а также изменением физико-химических свойств материалов во времени (старением). В результате снижается точность и ухудшается помехозащищенность радиотехнических систем.

пикофарад. С целью уменьшения помех, наводимых в разрядной шине от шины смещения, последнюю следует делить на секции, разделенные индуктивностями L. Это позволит уменьшить емкости Сп, связывающие источник помех с разрядной шиной, так как контур образуется уже только внутри каждой секции. Обозначим амплитуду э. д. с., действующей на входе У В, при считывании 1 через Е1и, а при считывании 0 — через ?0м. Величины ?1м, ?0м имеют разброс, обусловленный разбросом параметров сердечников, импульсов тока считывания и аддитивных помех в разрядной шине. Величину порога (Unop) срабатывания У В можно изменять с помощью величины ?см. Величину ?/пор следует выбирать такой, чтобы обеспечить одинаковое относительное изменение (б) величин ?1м и Е0м, при которых еще не происходят неправильные срабатывания У В:

Из этого выражения легко видеть, что, если /к/?э^^б.э, любое изменение t/б.э, чем бы оно не было вызвано — технологическим разбросом параметров или сдвигом характеристики трап-юз

Данная схема имеет существенные недостатки, связанные с непостоянством напряжения зажигания и потухания лампы, с разбросом параметров резисто-