Разъединителей отделителей

Следует отметить, что при высоком уровне возбуждения найденная из "(4.75) диффузионная длина имеет однозначр ый смысл лишь в том случае, когда избыточная концентрация носителей превышает равновесную концентрацию в любой точке образце , в том числе и вблизи неосвещенной поверхности. В противном случае измеряется некоторое значение L, усредненное по уровню возбуждения.

Наконец, имеется возможность управлять распределением примеси во всех трех измерениях путем изменения энергии ионов, применять сканирование ионного луча и защитные маски; возможность получать легированные слои под поверхностью, в объеме полупроводника (скрытые распределения); точно дозировать примеси за счет изменения плотности ионного тока в пучке и времени облучения; вводить их через диэлектрические и металлические покрытия (при соответствующем выборе режима); вводить примеси в количестве, превышающем равновесную концентрацию при температуре легирования.

Генерация пар носителей заряда и рекомбинация происходят одновременно. Поэтому в полупроводнике устанавливается динамическое равновесие, определяющее равновесную концентрацию электронов и дырок. Скорость генерации иген равна скорости рекомбинации г;рек:

Закономерности движения носителей заряда. Концентрация носителей заряда в электронном объеме полупроводника может изменяться за счет генерации и рекомбинации носителей, а также при возбуждении полупроводника (например, при освещении, действии внешнего электрического или магнитного поля). При возбуждении полупроводника концентрация подвижных носителей заряда - электронов (п) и дырок (р) превышает равновесную концентрацию (и0 и ра). Это приводит к увеличению проводимости полупроводника. Электроны или дырки проводимости, не находящиеся и термодинамическом равновесии, называются неравновесными носителями заряда.

энергии называют термогенерацией носителей зарядов. Возникшие в полупроводнике носители зарядов совершают в течение некоторого времени тепловое движение (или направленное движение под действием внешнего электрического поля), а затем, потеряв избыток энергии, электрон рекомбинирует с одной из дырок, входя в ковалентную связь. Число электронов и дырок в 1 см3 объема полупроводника при неизменной температуре определяется термодинамическим равновесием между процессами термогенерации и рекомбинации носителей зарядов и называется равновесной концентрацией носителей заряда. Равновесную концентрацию электронов обозначают п0, равновесную концентрацию дырок р0.

Замечательное свойство примесных полупроводников в условиях равновесной концентрации носителей состоит в том, что при данной температуре выражение (2.6) имеет постоянное числовое значение. Из (2.6) можно определить равновесную концентрацию дырок в примесном полупроводнике п-типа

При воздействии на полупроводник нетеплового внешнего энергетического фактора (света, сильного электрического поля и др.) из-за генерации новых носителей заряда их концентрация п и р (неравновесная концентрация) будет превышать равновесную концентрацию на величину А« (или Др), которую называют избыточной концентрацией. Таким образом,

Размерность скорости рекомбинации на омическом переходе та же, что и размерность скорости движения, так как плотность потока носителей — это произведение концентрации на скорость (Фр = рир). Очевидно, что чем больше скорость рекомбинации, тем меньше при данном потоке носителей заряда отклонение концентрации носителей от равновесной, тем выше качество омического перехода. При большой плотности потока носителей заряда граничная концентрация существенно превышает равновесную концентрацию тех же носителей (ргр^>/7о), так как скорость движения носителей ограничена. Следовательно,

Аналогичным образом можно определить равновесную концентрацию дырок в валентной зоне, но при этом в подынтегральном выражении (9-49) должна фигурировать не функция FKB (E), а выражение 1 — FKS (E), которое для невырожденного полупро-

Второй, часто встречающийся в теории полупроводниковых приборов случай приводит к преобразованию уравнений непрерывности в уравнения диффузии. Предположим, что в некотором объеме Д7 «-полупроводника в результате внешнего воздействия образовалась неравновесная концентрация дырок р, превышающая равновесную концентрацию р0 на величину Ар. Предположим далее, что Ар <; щ — равновесной концентрации электронов, так что пришедшие к объему AF для компенсации положительного заряда электроны лишь несущественно повлияли на перераспределение зарядов в полупроводнике, и поле § пренебрежимо мало. В результате возникшего градиента концентраций дырки и электроны будут диффундировать из объема AF, постепенно рекомби-нируя. В этом случае в стационарном режиме и при условии, что Gp = Gn = 0, уравнения непрерывности принимают вид:

Аналогичным образом можно определить равновесную концентрацию дырок в валентной зоне, но при этом в подынтегральном выражении (9-49) должна фигурировать не функция FKB (E), а выражение 1 — FKS (E), которое для невырожденного полупро-

Табличные показатели надежности и ремонтные показатели трансформаторов (автотрансформаторов), высоковольтных выключателей, разъединителей, отделителей, короткозамыкателей, систем сборных шин РУ, ЛЭП, асинхронных электродвигателей и энергетических блоков приведены в [5, 32, 60]. Показатели рекомендуется применять для сравнительного анализа надежности

Номинальные параметры разъединителей, отделителей и корот-козамыкателей приведены в [1.10, с. 260—281, табл. 5.5 и 5.6].

1.35. Структурная схема выбора разъединителей и отделителей

Показатели надежности приведены для трансформаторов, выключателей, разъединителей, отделителей, короткозамыкателей, сборных шин, воздушных и кабельных линий, асинхронных электродвигателей.

Показатели надежности коммутационной аппаратуры. В качестве основных показателей надежности выключателей, короткозамыкателей, отделителей и разъединителей принята:

Таблица 8.10. Показатели надежности разъединителей, отделителей и короткозамыкателей

1.4. Показатели надежности приведены для трансформаторов, выключателей, разъединителей, отделителей, короткозамыкателей, сборных

Подогрев шкафов КРУН и КРУ-10 Подогрев приводов разъединителей, отделителей, короткозамыка-

Режимы работы (допустимые перегрузки) аппаратов часто принимают без достаточно полных экспериментальных и теоретических исследований. Ниже приведены результаты испытаний перегрузочной способности выключателей, комплектных распределительных устройств (КРУ), трансформаторов тока, разъединителей, отделителей, реакторов напряжением выше 1000 В.

8.3. Выбор разъединителей, отделителей, короткозамыкателей

Короткозамыкатели и отделители — это специальные разъединители, имеющие автоматически действующие приводы. При выборе отделителей и разъединителей необходимо учитывать коммутационные возможности этих аппаратов, оговоренные каталогами (намагничивающий ток, зарядный ток, ток замыкания на землю).



Похожие определения:
Равенство напряжений
Равномерным распределением
Равномерное распределение
Равномерность воздушного
Равномерно распределена
Равносильно короткому
Равновесие напряжений

Яндекс.Метрика