Равномерно легированного

Благодаря термостойкости комплексона его разложение начинается при 150°С и заканчивается при 300°С. При разложении комп-лексоната железа на поверхности парогенератора образуется равномерная оксидная пленка магнетита с плотной упаковкой кристаллов, обладающая высокими теплопроводностью и защитными свойствами. С учетом большой допустимой толщины таких отложений и равномерности распределения по всей теплопередающей поверхности их допустимая железоемкость возрастает, увеличивая время между эксплуатационными химическими очистками.

так как в прямоугольном пазу ширина Ьх = Ьи постоянна и не зависит от высоты, а при принятом допущении о равномерности распределения проводников по площади сечения паза справедливо равенство

В отношении равномерности распределения температуры и однородности химического состава ванны, а также угара металла канальные печи не уступают тигельным, а по значениям КПД и коэффициента мощности значительно их превосходят, причем эти показатели не зависят от степени заполнения печи металлом. Увеличение емкости является более простой проблемой для канальных печей, чем для тигельных, поскольку энергетические задачи решаются простым наращиванием числа индукционных единиц. Условия работы подовых камней канальных печей значительно тяжелее, чем футеровки тигельных печей, с повышением температуры металла в каналах срок службы подовых камней прогрессивно сокращается. Наконец, для канальных печей характерен полунепрерывный или непрерывный режим работы.

При нарушении равномерности распределения газового потока по окружности колошника изменяютсятакжетемпература и содержаниеСО2 в газоотводах. Повышение температуры газа в газоотводе и одновременное уменьшение в нем содержания СОа свидетельствуют о повышении газопроницаемости шихты в соответствующем квадранте печи. И, наоборот, при уменьшении газопроницаемости шихты в каком-либо квадранте температура газа в соответствующем газоотводе уменьшается, а содержание в нем С02 увеличивается.

Нарушение равномерности распределения газового потока по окружности колошника отражается также на распределении дутья по фурмам (в том случае, конечно, если это распределение не регулируется автоматически). Так, при повышении газопроницаемости шихты в каком-либо секторе печи расход дутья через фурму, расположенную в этом секторе, увеличивается, а при снижении — уменьшается.

Однако алгоритмы компоновки, использующие критерий минимума суммарного числа связей между подграфами (5.11), не обеспечивают равномерности распределения р (G,) по всем /. Поэтому в итерационных алгоритмах компоновки БИС критерием качества

Все серийные камерные печи на максимальную'температуру 700° С снабжаются вентиляторами для интенсификации процесса нагрева и увеличения равномерности распределения температуры в рабочем пространстве печи.

Печи индивидуального исполнения предназначаются для конкретных технологических процессов. Наприм-ер, шахтная печь для отжига дисков диаметром до 6 м уникального телескопа характерна очень высокой степенью точности поддержания температурного режима и равномерности распределения температуры в рабочем пространстве.

Принцип разбивки рабочего пространства печи и ее мощности на тепловые зоны основывается на требовании равномерного распределения температуры внутри печи. По высоте рабочего пространства зона должна занимать 1,5—2 м, по длине печи — не более 2—2,5 м. Чем выше требования технологического режима к равномерности распределения температуры, тем меньше размеры зоны по высоте и длине (для печей без принудительной циркуляции атмосферы).

3) выполняют продольные разрезы в стальных трубах, применяемых в качестве токопроводов переменного тока, чем достигается выравнивание распределения плотности тока по поперечному сечению, При наличии продольных разрезов ток распределится по образовавшимся частям поперечного сечения. Токи и магнитные лг;,оки в каждой из таких частей будут меньше, а их эффективное электрическое сопротивление уменьшится. Следовательно, вихревые токи в таких частях уменьшатся, поверхностный эффект ослабится, тепловые потери от него и нагрев токопровода уменьшатся. Все это приводит к большей равномерности распределения тока по сечению проводника и уменьшению его нагрева. Уменьшению температуры нагрева способствует также некоторое увеличение поверхности охлаждения за счет дополнительных площадей в образовавшихся прорезях и за счет конвекции воздуха внутри трубы;

как показано на 6-6,6. Во всех остальных случаях регулировочные витки выделяются в особые катушки, чаще всего располагаемые в середине высоты обмотки. Отключение этих катушек приводит к нарушению равномерности распределения витков по высоте обмотки. В этом случае ( 7-10) поле рассеяния трансформатора может быть представлено в виде суммы трех полей: известного уже продольного поля с индукцией В; поперечного поля, вызванного конечным соотношением высоты

Программирование кристаллизационного процесса чаще всего применяют для получения однородно легированных по длине монокристаллов элементарных полупроводников методами Чохральского, горизонтальной направленной кристаллизации и зонной плавки. Условие получения равномерно легированного кристалла выражается в этом случае как

Анализ уравнений (4.61) показывает, что при получении однороднолегированного по длине монокристалла доля закристаллизованного расплава пропорциональна диапазону изменения эффективного коэффициента распределения. Последний в свою очередь в соответствии с уравнением (4.4) изменяется с изменением скорости роста кристалла. Это дает возможность использовать график скоростной зависимости эффективного коэффициента распределения для составления рабочих программ выращивания однородно легированных по длине кристаллов. Для оценки текущей доли расплава, которую можно закристаллизовать в виде равномерно легированного по длине кристалла, параллельно ординате k помещают ординату g, построенную по уравнению (4.61). Нулевое значение ее соответствует максимальному значению k (см. 4.18).

Материальный баланс примеси в стационарных условиях (постоянство скоростей роста и вращения кристалла, разрежения или давления газа над расплавом и т.п.) процесса выращивания равномерно легированного по длине кристалла из подпитываемого расплава выражается уравнением

Это позволяет выбирать требуемые для получения равномерно легированного по длине кристалла условия проведения кристаллизационного процесса.

При выращивании равномерно легированного по длине .кристалла каким-либо консервативным методом направленной кристаллизации максимальный выход равномерно легированного по длине кристалла выражается уравнением

Если подпитывающий материал не легирован (Сп=0),. то примесь распределяется по длине кристалла неравномерно в соответствии с уравнением (4.20в). Однако такой метод, получивший название «метод зонного выравнивания»,. может обеспечить определенный выход кристалла с заданным разбросом концентрации легирующей примеси А. Последний вместе со значением эффективного коэффициента! распределения определяет величину выхода приблизительно равномерно легированного по длине кристалла, получаемого методом зонного выравнивания: *С0-*С0ехр(-^д)

16. Определить остаток легирующей примеси, имеющей А = 5-10"2 в расплаве последней зоны при выращивании методом зонного выравнивания [см. уравнение (4. 20 в)] приблизительно равномерно легированного по длине монокристалла. Отношение длины кристалла к длине расплавленной зоны 9=10 [см. уравнение (4.16)].

17. Определить исходные данные для построения программы изменения скорости роста монокристалла, равномерно легированного из паровой фазы до концентрации ССт=Ы018 атом/см3 в процессе выращивания его методом горизонтальной направленной кристаллизации (см. 4.12, е) примесью, имеющей 6 = 0,5, в условиях, при которых коэффициент испарения примеси равен a=l-10~; ' см/с, а равновесная концентрация примеси в расплаве равна Ср = 5-1017 атом/см3. Длина контейнера L = 400 мм, его ширина 6 = 50 мм (F = 200 см2), а поперечное сечение монокристалла 5=20 см2.

18. Определить диаметр тигля, обеспечивающего выращивание из него методом Чохральского, проводимого в вакууме, монокристалла диаметром 50 мм (5=19,62 см2), равномерно легированного по длине летучей примесью (а = 2-10-4 см/с); процесс проводят со скоростью кристаллизации 1,5 мм/мин='2,5- 10~3 см/с, при которой эффективный коэффициент распределения примеси равен 0,2.

19. Определить концентрацию нелетучей примеси в подпитывающем расплаве двойного тигля, имеющего А = 0,25, при выращивании из него равномерно легированного по длине монокристалла со стационарной концентрацией С0т=Ы017 атом/см3; эффективный коэффициент распределения примеси в условиях выращивания монокристалла k = 0,4.

23. Определить необходимую концентрацию примеси бора (k = 0,7) в материале, подпитывающем расплав кремния с концентрацией Ср,о=1-1017 атом/см3, если М„/МРЛ=\, a g = 0,8. Определить также теоретический выход равномерно легированного кристалла.