Равномерного магнитногоМежду напряженностью (В/м) равномерного электрического поля и разностью потенциалов существует следующая связь:
19.22. Напряженность равномерного электрического поля в трансформаторном масле ?4 = 105 В/м. Угол между вектором напряженности и нормалью к поверхности стеклянной пластинки а{ = 30° ( 19.3, б). Размеры пластинки в направлении, перпендикулярном нормали, и в направлении, перпендикулярном чертежу, полагать достаточно большими. , g_
19.43р. В равномерное электрическое поле внесен длинный цилиндр из диэлектрика так, что его ось перпендикулярна равномерному полю ( 19.8, б). Относительная электрическая проницаемость диэлектрика, из которого изготовлен цилиндр, е = 4. Радиус цилиндра г0 = 2 см. Окружающей цилиндр средой является воздух. Найти напряженность внешнего равномерного электрического поля Е0 и напряженность электрического поля внутри цилиндра Eit если напряжение между точками В и A UBA = 26 В. Цилиндрические координаты точек А и В; ГА = 1 см; ад = 609; гв = 4 см; ав — 135е.
19.22. Напряженность равномерного электрического поля в трансформаторном масле ?4 = 105 В/м. Угол между вектором напряженности и нормалью к поверхности стеклянной пластинки а{ = 30° ( 19.3, б). Размеры пластинки в направлении, перпендикулярном нормали, и в направлении, перпендикулярном чертежу, полагать достаточно большими. , g_
19.43р. В равномерное электрическое поле внесен длинный цилиндр из диэлектрика так, что его ось перпендикулярна равномерному полю ( 19.8, б). Относительная электрическая проницаемость диэлектрика, из которого изготовлен цилиндр, е = 4. Радиус цилиндра г0 = 2 см. Окружающей цилиндр средой является воздух. Найти напряженность внешнего равномерного электрического поля Е0 и напряженность электрического поля внутри цилиндра Eit если напряжение между точками В и A UBA = 26 В. Цилиндрические координаты точек А и В; ГА = 1 см; ад = 609; гв = 4 см; ав — 135е.
Поток равномерного электрического смещения D через поверхность s, равную площади пластины ( 1-10):
18. Разряд по поверхности в условиях равномерного электрического поля:
Рассмотрим некоторые экспериментально установленные закономерности электрического пробоя твердых диэлектриков. В условиях равномерного электрического поля, при отсутствии короны и краевых разрядов у электродов электрический пробой твердых диэлектриков наступает при напряженностях электрического поля, равных 106—107 в/см. При достижении этих критических значений напряженности электрического поля происходит почти скачкообразное возрастание тока, вслед за чем в диэлектрике образуется проводящий канал. В условиях равномерного электрического поля величина пробивного напряжения при электрическом пробое пропорциональна толщине диэлектрика
В условиях неравномерного электрического поля пробой наступает в том случае, когда напряженность электрического поля достигает предельного (пробивного) значения на некотором небольшом участке (10~3—10~4 см) вблизи одного или обоих электродов.
движение заряженных частиц под действием равномерного электрического поля происходит всюду в одном направлении, т. е. вектор
Свинцовая проволока (ВТУ 664-47) применяется при выполнении специальных экранов для создания равномерного электрического поля кабеля.
5. Линии магнитной индукции равномерного магнитного поля пронизывают под углом а = 90° плоскость в форме круга и часть сфериче-
237. Какая сила действует на проводник, если при движении его в магнитном поле со скоростью 20 м/с во внешней нагрузке сопротивлением 150 Ом протекает ток 0,3 А? Сопротивлением проводника и соединительных проводов пренебречь. Определить индукцию равномерного магнитного поля, в котором движется этот проводник перпендикулярно направлению силовых линий, если его длина 2 м.
Стабильность параметров этих мер обеспечивается как конструкцией, так и выбором соответствующих материалов. Так, независимость L либо М от силы тока достигается, благодаря намотке измерительных катушек на каркасы из высококачественного изоляционного материала, малое активное сопротивление и его независимость от частоты — при-^мнением для обмоток катушек медного литцендрата (высокочастотный многожильный провод, каждая жила которого изолирована) большого сечения. Для уменьшения влияния внешнего электромагнитного поля на индуктивность применяют катушки тороидальной конструкции, которые обеспечивают получение равномерного магнитного поля. Высокое сопротивление изоляции и стабильность параметров катушки во времени достигаются благодаря соответствующему подбору материала каркаса и пропиточного состава, а уменьшение влияния колебаний температуры на значение меры обязано наличию у них «одинаковых температурных коэффициентов линейного расширения. Важным параметром катушки индуктивности является ее добротность Q — tuL/R, где L — эффективная индуктивность на частоте со; R — активное сопротивление. На частоте / = 50 Гц добротность составляет от 0,3 до 1,5.
5.9. Искажение равномерного магнитного поля в среде / с магнитной проницаемостью [ij после размещения в ней провода 2 с магнитной проницаемостью Х2 (случай
2. Ферромагнитного цилиндра — для создания радиального равномерного магнитного поля в воздушном зазоре.
Стабильность параметров этих мер обеспечивается как конструкцией, так и выбором соответствующих материалов. Так, независимость L либо М от силы тока достигается, благодаря намотке измерительных катушек на каркасы из высококачественного изоляционного материала, малое активное сопротивление и его независимость от частоты — применением для обмоток катушек медного литцендрата (высокочастотный многожильный провод, каждая жила которого изолирована) большого сечения. Для уменьшения влияния внешнего электромагнитного поля на индуктивность применяют катушки тороидальной конструкции, которые обеспечивают получение равномерного магнитного поля. Высокое сопротивление изоляции и стабильность параметров катушки во времени достигаются благодаря соответствующему подбору материала каркаса и пропиточного состава, а уменьшение влияния колебаний температуры на значение меры обязано наличию у них одинаковых температурных коэффициентов линейного расширения. Важным параметром катушки индуктивности является ее добротность Q = a>L/R, где L — эффективная индуктивность на частоте со; /? — активное сопротивление. На частоте / = 50 Гц добротность составляет от 0,3 до 1,5.
Для обычных условий Ц1^>Ц2==Цо и HI—и2~1-м; а=0, cos а= = 1, tga=0. Тогда (2.10) преобразуется в обычный вид формулы Максвелла, справедливой для равномерного магнитного по л я в зазоре:
Е. Искажение картины равномерного магнитного поля внесенным в него шаром или цилиндром
1. Установить, при каком расположении щели между двумя половинами экрана относительно направления силовых линий экранирование наиболее эффективно. 2. Определить величину отклонения луча а баллистического гальванометра при переключении тока в обмотке возбуждения электромагнита с 4- / на —/. Баллистическая постоянная установки Cj, = ф/а = 1,8-10~6 Вб/дел. Напряженность внешнего равномерного магнитного поля Н0= 10000 А/м. Расчет провести для случая наивыгоднейшего расположения экрана.
Е. Искажение картины равномерного магнитного поля внесенным
Е. Искажение картины равномерного магнитного поля внесенным в него шаром или цилиндром
Похожие определения: Рассмотрим упрощенную Расстройство технологического Растяжках отсчетное Растущего монокристалла Радиационного упрочнения Равенство потенциалов Равномерной нагрузкой
|