Рассуждения справедливы

15.27. Исходим из условия St(0) = 0, так что спектральную плотность интеграла можно записать в форме S2(co) = S1(co)/(/co) [1, приложение 2]. Тогда In S2(co)= — In (ко) + 11185 (ю). Повторяя рассуждения, приведенные при решении предыдущей задачи, приходим к следующему результату:

случае рассуждения, приведенные в § 3.3, полностью объясняют характер кривой холостого хода.

Рассуждения, приведенные выше, относятся как к режиму двигателя, так и к режиму генератора. Если сеть автономная и мощ-ность двигателя соизмерима с мощностью генератора, то несинусоидальность поля в воздушном зазоре приведет к появлению на выводе машины несинусоидального напряжедия и токи высших гармоник будут замыкаться через нагрузку.

Рассуждения, приведенные выше, относятся как к режиму двигателя, так и к режиму генератора. Если сеть автономная и мощность двигателя соизмерима с мощностью генератора, то несинусоидальность поля в воздушном зазоре приведет к появлению на выводе машины несинусоидального напряжения и токи высших гармоник будут замыкаться в сети генератора. Высшие гармоники от несинусоидальности напряжения генератора замыкаются в нагрузке.

Формула (3.39) аналогична выражениям (3.37) и (3.38) и, следовательно, все рассуждения, приведенные выше относительно характера шкалы электродинамических амперметров, применимы и к электродинамическим вольтметрам.

Статические входная и выходная характеристики в схеме ОБ (при С/кв = О и /э=0 соответственно) подобны прямой и обратной ветвям статической характеристики диода. Поэтому все рассуждения, приведенные в § 11-3, могут быть использованы для объяснения температурной зависимости статических характеристик транзистора. Из этого рассмотрения следует прежде всего вывод о том, что основным источником нестабильности характеристик служит обратный ток /Обр или (для транзисторов) коллекторный от температуры описывается соотно-германиевых транзисторах основ-тепловой ток, значение кото-В кремниевых транзисто-

Статические входная и выходная характеристики в схеме ОБ (при С/кв = О и /э=0 соответственно) подобны прямой и обратной ветвям статической характеристики диода. Поэтому все рассуждения, приведенные в § 11-3, могут быть использованы для объяснения температурной зависимости статических характеристик транзистора. Из этого рассмотрения следует прежде всего вывод о том, что основным источником нестабильности характеристик служит обратный ток /Обр или (для транзисторов) коллекторный от температуры описывается соотно-германиевых транзисторах основ-тепловой ток, значение кото-В кремниевых транзисто-

При измерении мощности в трехфазной четырехпроводной сети, учитывая рассуждения, приведенные для схемы двух ваттметров, очевидно, можно использовать три ваттметра, включенные по схеме 16-11. В этом случае активная мощность трехфазной цепи равна:

Формула (84) аналогична выражениям (82) и (83), и, следовательно, все рассуждения, приведенные выше относительно характера шкалы электродинамических амперметров, применимы и к электродинамическим вольтметрам.

Найденное выше соотношение j - (2/\x)\Bt можем использовать для расчета плоскопараллельного магнитного поля постоянного тока i, протекающего по прямолинейному проводу, расположенному в среде с магнитной проницаемостью \х{ параллельно плоской поверхности раздела сред с магнитными проницаемостями щ и ц2. Повторяя рассуждения, приведенные в § 24.23, найдем значения токов

Как было показано в разд. 11.3, из анализа, основанного на принципе неопределенности, следует, что любой линейный усилитель должен иметь шум. Рассуждения, приведенные ниже и распространенные на случай больших значений отношения сигнал— шум, приводят к выражению для минимальной величины спектральной плотности мощности шума на выходе усилителя. Оно включает в себя коэффициент усиления усилителя и квант энергии Л/о, где /0 — частота сигнала,

Вышеуказанные рассуждения справедливы для стационарных случайных процессов, а учет нестационарности требует других специальных предположений и выкладок. Учет свойств нестационарности будет оговариваться по мере необходимости.

Рассмотрим второе состояние ЛЭ1, когда его входная цепь разомкнута, т. е. вход подключен к коллектору выключенного транзистора VTn предыдущего ЛЭ (на 7.22 не показан). В этом состоянии ток /г генератора тока ЛЭ1 втекает в базу транзистора VTU1, напряжение на его базе равно V1. Транзистор открыт, ток в его коллекторной цепи равен /г (он вытекает из входа ЛЭ2). Следовательно, для транзистора КТП1/Б — /к = /г- При достаточно большом коэффициенте передачи Рл>п > 1 выполняется условие насыщения /Б > /к/Рл?п и транзистор находится в режиме насыщения. На его коллекторе (вы ходе ЛЭ1) устанавливается напряжение ?7° •< 0,02 В. Значит, при ^BXI = U1 на выходеЛЭ1 t/BMX1 = ?7°. Аналогичные рассуждения справедливы и для второго выхода ЛЭ1, если к нему подключен нагрузочный ЛЭ. Таким образом, рассматриваемый элемент выполняет логическую операцию инверсии по всем выходам. Условное графическое обозначение инвертора с двумя выходами приведено на 7.23.

Приведенные рассуждения справедливы при условии, что 7, а следовательно, и Я — постоянные величины, т. е. для линейной цепи, характеризуемой зависимостью / = (1 /#)?/, ток линейно зависит от напряжения. Отсюда следует важный вывод: закон Ома справедлив для линейных цепей (R = const).

Рассмотрим процессы, изображенные ка 12.35, подробнее. Пусть при 60 происходит мгновенный наброс мощности (рассуждения справедливы и при снижении напряжения) от Ря до РО ( 12.35, а). Если принять ??0'=const ( 12.35, б), то процесс будет идти согласно характеристике / ( 12.35, а); качания машины будут определяться участком характеристики ad и соответствующими (заштрихованными) площадками ускорения и торможения. Процесс во времени в этом случае изображается кривой, представленной на 12.35, в.

Эффект Холла мы рассматривали на примере пластинки полупроводника, помещенной в магнитное поле. В этом случае при установлении динамического равновесия возникшая холловская напряженность электрического поля компенсирует действие силы Лоренца и, следовательно, не происходит искривления траекторий носителей заряда, движущихся со скоростью и. Казалось бы, в таком случае сопротивление полупроводника не должно изменяться под действием магнитного поля. Однако эти рассуждения справедливы только для носителей, движущихся со скоростью v, соответствующей средней скорости. В действительности же, как было отмечено, носители в полупроводнике распределены по скоростям. Поэтому носители со скоростью, превышающей среднюю скорость, смещаются к одной грани пластинки полупроводника, так как на них действует большая сила Лоренца (Н-1). Носители, обладающие скоростью, меньшей средней скорости, смещаются к другой грани пластинки полупроводника, так как на них действует большая сила холловской напряженности электрического поля. Таким образом, в рассмотренном примере удельное сопротивление полупроводника изменяется в магнитном поле из-за искривления траекторий носителей заряда, движущихся со скоростью, отличной от средней скорости.

Таким образом, в схемах 5.1, ci, б выходное напряжение повторяет все изменения входюго, не лереходя за некоторый потенциальный уровень ЕО (сверху или снизу). Входные напряжения в примерах на 5.1 синусоидальны, однако все рассуждения справедливы п для любого другого закона изменения ывх (кроме случаев, когда в спектре «BS содержатся составляющие таких частот, на которых начинает згметно сказываться паразитная емкость диода).

В схемах 6.4, а, б, в, г используются транзисторы типа р-п-р. Однако все приведенные рассуждения справедливы и для транзисторов типа п-р-п, работа которых в общих чертах подобна работе лампового триода с током сетки.

Если длительность входного импульса тока t'BX ^> ткэ ( 4.32), то за время его действия амплитуда выходного тока успевает достигнуть максимального значения А/кмакс = = аЛ/э, а ток базы сильно уменьшится ( 4.32,6). При уменьшении длительности входного импульса амплитуда выходного импульса уменьшается, так что при t"Bli = ткэ {штриховые линии на 4.32) получаем А/к ~0,5 А 'к макс. Аналогичные рассуждения справедливы и в случае действия малого высокочастотного сигнала. Когда его период будет меньше, чем 2лткз> модуль коэффициента передачи /z2i будет меньше единицы.

Приведенные рассуждения справедливы и для любой асимметричной системы с тем отличием, что в этом случае численные значения углов аир будут другими, чем указанные в равенствах (16.5).

Приведенные рассуждения справедливы лишь при условии, что магнитное поле на поверхности детали однородно (Я0 == const). Это допущение принимается при всех приближенных расчетах. Лишь в последнее время появились расчеты по методу наведен-, ных э. д. с. [26, 27], в которых неоднородность поля учитывается заранее. Эти расчеты дают точные результаты, однако они разработаны только для простых индукционных систем.

Приведенные выше рассуждения справедливы только при синусоидальном входном сигнале x(t) =Xmisin((nt+(pi). Наличие гармоник или апериодических составляющих смещает начало и длительность прямоугольных импульсов sgn[Xmisin(a)/ + + 9i) +Xmks\n{k