Рассмотрим важнейшие

Рассмотрим выражение (4.63). Слагаемое fr+i(Rr) в фигурных скобках от U не зависит, а первое слагаемое является квадратным трехчленом относительно U. Следовательно, и вся функция является квадратным трехчленом относительно U. Это свойство позволяет найти соотношения, связывающие коэффициенты Vr, Wr, Ur с коэффициентами Vr+i, W/-+1, Ur+\. Действительно, с одной стороны,

Рассмотрим выражение (15.18) для а=\:

С целью получения схемы замещения рассмотрим выражение для приращения тока стока /с, зависящего от напряжения U между затвором и истоком и напряжения ?/с между стоком и истоком. Это выражение для функции двух переменных /с=/(?4. УС) имеет вид

элементов цифровых ИМС — произведение потребляемой мощности на время задержки (Pt3), удалось уменьшить с 200 до 50 пДж. В упомянутых схемах Pt3 = const при неизменных значениях паразитных емкостей и напряжений питания, что позволяет увеличивать быстродействие за счет повышения потребляемой мощности и наоборот, сэкономить мощность за счет ухудшения быстродействия. Постоянно ведется упрощение электрических схем базовых элементов СБИС с целью уменьшения паразитных емкостей и удобства технологической реализации. Для сравнения схем на БТ со схемами на ПТ рассмотрим выражение для обобщенного энергетического показателя элементарной схемы инвертора:

Рассмотрим выражение тока контура (5.45). В колебательном режиме ток ( 5.7, а) изменяется по закону экспоненциально затухающей синусоидальной функции. Запишем угловую частоту колебаний при учете (5.36) и (5.42)

характеризует степень использования предельной мощности. Чем меньше cos ф при заданной активной мощности, тем больше ток и потери в установках, передающих энергию. Поэтому желательно иметь cos ф нагрузки, близкий к единице. Для достижения этой цели параллельно нагрузке, обычно имеющей индуктивный характер, присоединяют конденсаторы, емкость которых выбирают из условия почти полной компенсации реактивных мощностей. Рассмотрим выражение мощности через комплексы напряжения и тока, называемое комплексной мощностью. По-СКОЛЬКУ действие умножения, необходимое для получения мощности, является нелинейной операцией, для которой неприменим метод комплексных амплитуд, произведение U/, как легко убедиться, не дает выражения мощности. Если вместо комплекса тока взять сопряженную ему величину, то получится нужное

Для определения А рассмотрим выражение (7.11) для момента времени /=0:

Для выявления способов и средств регулирования рассмотрим выражение, определяющее напряжение у потребителей U2 при напряжении источника питания (/,, добавочном напряжении июб, создаваемом регулирующими устройствами, мощностях нагрузок потребителя Рмакс и QMaKC, наличии у него компенсирующих устройств мощностью QK и параметров сети R, XL, х<-.:

Рассмотрим выражение мгновенной мощности для цепей, содержащих резистивный элемент, идеальную катушку индуктивности и емкость.

Регулирование скорости трехфазного асинхронного двигателя. Рассмотрим выражение для скорости вращения п двигателя

Рассмотрим выражение, полученное в § 16-3 для О, причем введем обозначения:

Микроэлектроника является направлением электронной техники, охватывающим проблемы и задачи разработки, проектирования, изготовления и применения микроэлектронных устройств. К микроэлектронным устройствам относят интегральные микросхемы (синоним термина интегральная микросхема—интегральная схема). Рассмотрим важнейшие этапы развития аппаратуры электронной техники и особенности микроэлектроники.

Рассмотрим важнейшие из этих параметров:

ЭТМ классифицируются по различным признакам. Рассмотрим важнейшие из них.

параметров рассмотрим важнейшие физические процессы, протекающие в транзисторной структуре при смещении р-я-переходов. В нормальном режиме работы транзистора на один из его р-я-пе-реходов со стороны эмиттера подается прямое напряжение смещения, а на другой со стороны коллектора — обратное, как показано на 2.7, на котором изображена идеализированная структура транзистора типа я-р-я, не содержащая пассивных областей. При рассмотрении принципа работы транзистора и выводе основных соотношений будем предполагать, что неосновные носители заряда распространяются в активных областях транзисторной структуры только под действием градиента их концентрации.

Рассмотрим важнейшие особенности конденсаторов, формируемых на основе p-n-перехода. Емкость перехода определяется диффузионной и барьерной составляющими. Барьерная емкость

До отверждения эпоксиды являются олигомерами в виде или вязких жидкостей, или твердых веществ с низкой температурой плавления (в зависимости от способа получения). Эти олигомеры при наличии в молекулах двух и более эпоксидных групп в смеси с некоторыми соединениями — отвер-дителями отверждаются, переходят в твердое неплавкое и нерастворимое состояние. Эпоксиды — полярные диэлектрики. Существует несколько разновидностей эпоксидных олигомеров. Рассмотрим важнейшие из них. Диановые смолы получают путем взаимодействия эпихлоргидрина и дифени-

Рассмотрим важнейшие характеристики и свойства основных материалов, которые должны обязательно проверяться службой входного контроля, и которые могут влиять на качество корпусов полупроводниковых приборов.

Рассмотрим важнейшие особенности конденсаторов, формируемых на основе p-n-перехода. Емкость перехода определяется диффузионной и барьерной составляющими. Барьерная емкость связана с образованием области объемного заряда и потенциального барьера между р- и и-областями перехода. Область объемного заряда p-n-перехода можно рассматривать как аналог диэлектрика обычного конденсатора, если считать, что она не содержит подвижных носителей заряда. Ширина этой области и плотность объемных зарядов неподвижных ионов донорных и акцепторных примесей зависят от напряжения обратного смещения, приложенного к переходу, а также от диффузионного, или контактного, потенциала фк. С повышением обратного напряжения ширина области объемного заряда увеличивается, и, следовательно, барьерная емкость уменьшается. Вычисление барьерной емкости сводится к вычислению зависимости ширины области объемного заряда от напряжения смещения, так как эту емкость можно определить как

Рассмотрим важнейшие в практике физического эксперимента характеристики усилителей.

Имеются синтетические жидкие диэлектрики, по тем или иным свойствам превосходящие нефтяные электроизоляционные масла. Рассмотрим важнейшие из них.

сопротивления охладителя и от температуры окружающей среды или охладителя. Ниже рассмотрим важнейшие методы и устройства охлаждения.