Рассмотрим технологию

Рассмотрим структуру системы Г — Д постоянного тока применительно к электроприводу лебедки с параллельной коррекцией. Генератор приводится во вращение первичным двигателем, для упрощения будем рассматривать случай использования синхронного двигателя. Э. д. с. генератора в соответствии с общей формулой (75)

Рассмотрим структуру микропроцессора, изображенную на 3.18 [18]. Она практически полностью совпадает с функциональной схемой той части калькулятора, которая размещена на кристалле БИС. Особенность микрокалькулятора состоит в том, что он представляет собой полностью автономный прибор, поэтому комплект микропрограмм должен обеспечивать выполнение отдельных арифметических операций, обработку и анализ получаемых результатов и принятие решений.

оперировали матрицей главных сечений, построенной для конкретной схемы ( 1.8,а). Рассмотрим структуру этой матрицы для произвольной схемы.

Рассмотрим структуру преобразователя, показанную на 3.33. В данной модификации электроды расположены под углом а=3ч- 10° друг к другу, что обеспечивает изменение расстояния между противофазными электродами в пределах их апертуры от /mjn до /тах. В результате частота возбуждаемого сигнала изменяется соответственно от /тах до /min, где/тах=и/(2/т1п); /min=f/(2/max)- Ширина полосы пропускания преобразователя AF=(y/2)[(/max — /min)/'max'minl- Значение шага h в пределах апертуры определяет ширину полосы пропускания, а выбранное число пар электродов — оптимальное его согласование с внешними цепями.

Рассмотрим структуру части 2 программы, обеспечивающей (в режиме диалога учащегося с ЭВМ) анализ заданной электрической цепи и обучение составлению узловых и контурных уравнений для расчета токов в разветвленных электрических цепях. Она состоит из следующих семи блоков (см. 2.1):

Рассмотрим структуру транзистора с самосовмещенным затвором. Основные технологические этапы ее изготовления поясняет 5.3. Структуру создают на полуизолирующей подложке из арсенида галлия. Слой л-типа ( 5.3, а) для канала каждого транзистора микросхемы формируют селективным ионным легированием подложки кремнием через маску из диоксида кремния. Пороговое напряжение транзисторов [см. формулу (5.1)] регулируется изменением дозы ионов кремния. Например, при одинаковой энергии ионов, равной 59 кэВ, доза для нормально закрытых транзисторов 1012 см~г и вдвое больше для нормально открытых. Затем наносят металлический затвор 3, материалом которого служит сплав титан — вольфрам.

В качестве примера рассмотрим структуру со следующими параметрами: La = 3 мкм, ba/La = 5, da = 0,04 мкм, d = 0,4 мкм, ЗПРОВ = 3 X 100 мкм, Na п — 2 • 1016 см-3, площадь стока 5С „ = = 10Х 15 мкм, Un П1 = ?/„ П2 = 5 В, п = 3, &V1 = 1,5. Тогда Сзи = = 0,03 пФ, Ссп.а = 0,02 пФ, Спров = 0,02 пФ, С„ = 0,17 пФ, ^ пер = 1.3 пДж. При средней мощности 0,1 мВт, типичной для СБИС, /зд.ср = 13 не. В литературе часто приводят Лпер и /ад.ср для п = 1 и Спров = 0, измеренные в схемах кольцевых генераторов на кристалле. При этих условиях Лпер = 0,37 пДж, 4л.ср = 3,7 не.

Рассмотрим структуру при прямом напряжении, т. е. когда к крайним /?г и п2-областям приложены соответственно положительный и отрицательный потенциалы источника питания. Это напряжение будет распределяться между тремя р-п переходами П1—ПЗ ( 3.2, а). Переход Я/ называется анодным, переход ПЗ—катодным (управляющим).

Простейшая МДП-структура ( 2.25, а) содержит полупроводниковый кристалл — подложку 1, слой диэлектрика 2, металлический электрод — затвор 3, омический контакт к подложке 4. Структура имеет два вывода (затвор и контакт к подложке) и является МДП-конденсато-ром, емкость которого зависит от напряжения Us между затвором и выводом подложки. Более сложная МДП-структура ( 2.25, б) имеет сильнолегированную область истока 6, тип проводимости которой противоположен по отношению к подложке. К истоку создан омический контакт 5. Для определенности рассмотрим структуру с подложкой р-типа и истоком п+типа.

В качестве примера рассмотрим структуру АСУС телеграфной сети. Система управления телеграфной сетью строится по иерархическому принципу. На верхнем уровне располагается главный центр управления (ГЦУ), к которому по радиальной схеме подключаются территориальные узлы (ТЦУ), расположенные в узлах верхнего уровня. На нижнем уровне иерархии АСУС располагаются пункты управления сетью (ПУС); несколько ПУС по радиальным схемам подключаются к своему ТЦУ. Подразделения ГЦУ и ТЦУ являются выделенными службами со своим персоналом и собственными техническими средствами. Пункты управления сетью размещаются в узлах коммутации верхних уровней телеграфной сети, и функции ПУС выполняются техническим персоналом узла сети. Описанная структура АСУС является типичной для сетей иерархической структуры, в том числе и крупномасштабных сетей ПД.

Рассмотрим структуру и функции основных блоков телеграфного ЦКС-Т2 ( 6.39). Устройства сопряжения (УС), обеспечивающие подключение каналов связи к вычислительному комплексу, реализованы на базе аппаратуры сопряжения типа АС-160М или АС-250. Комплект АС-160М позволяет подключать 160, а комплект АС-250 — до 250 телеграфных каналов.

Рассмотрим технологию связи более подробно на примере одной из первых вычислительных сетей — АРПА ( 7.1), а затем перейдем к более формальному описанию сети, выполненной по международному

Рассмотрим технологию и способ изготовления нескольких типов обмоток.

Рассмотрим технологию и способ изготовления нескольких типов обмоток.

Рассмотрим технологию производства электроэнергии на заводской ТЭЦ. Поступившее на ТЭЦ твердое топливо до подачи в топку котла обычно подвергают' предварительной подготовке: уголь вначале дробят, а затем размалывают и подсушивают. Для полного сгорания угольной пыли в топку нужно подавать воздух, что выполняется специальными вентиляторами с мощными электроприводами.

для получения сложных по очертаниям изделий из обычных материалов, а также инструмента и других изделий из твердых, труднообрабатываемых режущим инструментом материалов. Изготовленные данным способом изделия не требуют механической обработки. Рассмотрим технологию данного вида литья. Вначале в специальной пресс-форме ( 2.5, а) изготовляется от одной до нескольких десятков моделей изготовляемой детали-отливки ( 2.5, б) из смеси парафина со стеарином (по 50 % каждого). В размерах моделей учитываются только размеры деталей и литейная усадка материала отливки. Припуск на мехобработку не дается, поскольку она не производится.

Для примера рассмотрим технологию токарной обработки корпуса электродвигателя с высотой оси вращения 100 мм на семипозиционном агрегатном станке ( 8.7).

Рассмотрим технологию изготовления валов и роторов для электродвигателей к стиральным машинам на заводе в г. Грюн-хайне (ГДР). Заготовки валов получают поперечно-клиновой прокаткой с минимальными допусками, что позволяет не производить токарную обработку. Базами при обработке служат шлифованные цилиндрические поверхности и торцы. В табл. 8.2 приведены технология и пооперационные эскизы изготовления валов и роторов.

Рассмотрим технологию изготовления стержней статоров крупных генераторов с непосредственным водяным охлаждением. Проводники для изготовления стержней поступают на завод в виде бухт. Материал полых проводников испытывают на проходимость канала и механическую прочность. Проходимость канала проверяют, подавая воду от гидравлического насоса в один конец бухты и наблюдая за ее вытеканием из другого конца. Для проверки

Наибольшее применение находят бескаркасные катушки. Рассмотрим технологию их изготовления. Намотку таких катушек производят на станках различной конструкции, но все они должны иметь механизм раскладки провода. На 20.1 показан шаблон, который состоит из сердечника 3 и двух щек 2 и 4. Шаблон прикреплен к планшайбе станка втулкой 1. Размеры шаблона по ширине и длине должны соответствовать размерам катушки с учетом припуска на изоляцию и неплотности намотки. В щеках шаблона имеется шесть пазов для скрепления катушки после намотки. Щека 4 крепится клином 5 к сердечнику 3. При намотке раскладчик станка производит рядовую раскладку провода, передвигаясь за один оборот шаблона на расстояние, равное диаметру

Рассмотрим технологию изготовления роторных обмоток с форсированным водородным охлаждением. Обмотка состоит из двух катушечных групп, одна из которых образует северный полюс, а другая южный. Катушечная группа выполнена из катушек. Каждая катушка группы имеет разную ширину пазовой части и разную длину вылета лобовых частей. Однако и в одной катушке все витки имеют разную ширину. Схемг. одной катушки показана на 20.16.

Рассмотрим технологию типовых конструкций звеньев волноводных фильтров. Она заключается в изготовлении корпуса волноводного фильтра; установке волноводных диафрагм; получении выступов заданной конфигурации на внутренней поверхности широких стенок волноводной трубы.

Длина канала в полевых транзисторах с затвором Шоттки является важнейшим параметром, определяющим быстродействие элемента. Другой важной величиной является сопротивление между затвором и областями стока и истока, которое определяет величину выходного сопротивления при различных включениях транзистора. Рассмотрим технологию изготовления приборов с коротким каналом и, следовательно, с ма-