Рассмотрим различные

Рассмотрим распределение токов в р — п — р-структуре. Как отмечалось выше, ток эмиттера /э состоит из электронной /эп и дырочной /эр составляющей, причем соотношения между ними определяются выражением (6.7). Следовательно, ток, вытекающий из эмиттера, разделяется на две составляющие: /эр == Y/э и /Эп — (1 —Y) /э (протекает через базу). Направление этих составляющих показано стрелками на 6.4, в. Составляющая /эр => =---• Y/Э обусловлена свободным переходом дырок из базы в коллектор через обратносмещенный коллекторный переход. При этом не все дырки переходят в коллекторный переход: часть из них реком-бинирует с электронами. Явление рекомбинации количественно учитывается соотношением (6.8) и проявляется в том, что ток /эр разделяется на две составляющие: рекомбинационную, равную /рек — /aY (1 ~ Р)> и составляющую /Кр = YP/э = а/э тока эмиттера, замыкающуюся через коллекторную цепь. Явление ударной ионизации учитывается введением коэффициента умножения М [выражение (6.10)], который вводится в выражение для /кр = Ма,1э-Ударная ионизация приводит к увеличению величины Дырочной составляющей коллекторного тока в М раз.

!• i т.I. Рассмотрим распределение магнитного потока, создаваемого токами статора по окружности статора, в зазоре машины. "Возьмем однослойную статорную обмотку (см. 12-3, г), для которой z = 12, 2р = 4, q = 1. Проводники этой обмотки условно изображены на 12-8, а расположенными на развернутой окружности цтатора.

Рассмотрим распределение магнитного потока, создаваемого токами статора по окружности статора, в зазоре машины. Возьмем однослойную статорную обмотку (см. 12-3, г), для которой z = 12, 2р = 4, q = 1. Проводники этой обмотки условно изображены на 12-8, а расположенными на развернутой окружности статора.

При работе синхронной машины под нагрузкой по обмотке статора протекает ток. В связи с этим в машине образуется м. д. с. статора, создающая соответствующее магнитное поле. Распределение этой м. д. с. в пространстве по внутренней окружности статора зависит от конструкции обмотки. Рассмотрим распределение м. д. с. одной фазы статора в пространстве для двух случаев исполнения обмотки статора. 1. Случай, когда число пазов на полюс и фазу ^ = 1 и шаг ее у — = T!.

Рассмотрим распределение потоков носителей в транзисторе на примере структуры типа р-п-р.

этом сопротивлении падения напряжения, которые прикладываются к переходам транзистора, создавая обратные связи. Кроме того, и само сопротивление базы определяет значение постоянных времени заряда барьерных емкостей переходов. Поэтому для определения роли сопротивления базы и его места в эквивалентной схеме транзистора рассмотрим распределение токов в базе. Характер такого распределения в значительной степени зависит от конструкции транзистора ( 4.29).

Рассмотрим распределение потенциала в пространстве между катодом и анодом диода при различных напряжениях накала Ua и при некотором фиксированном напряжении на аноде, например Ua.

Рассмотрим распределение потенциала в пространстве между катодом и анодом диода при различных напряжениях накала Ua и при некотором фиксированном напряжении на аноде, например Ua.

плуатации. Это объясняется тем, что при сложной сети подземных сооружений создание новых путей для блуждающих токов может изменить всю картину протекания их. Дренажная защита является вариантом катодной защиты. Действительно, подземное сооружение в ; анодной зоне в этом случае присоединяется к рельсам в точке, имеющей отрицательный потенциал. Рассмотрим распределение потенциалов на участке с одной подстанцией и одной нагрузкой и с дренажем ( 10.9). Кривая распределения потенциалов рельсов срь получилась несимметричной, так как подстанция «заземлена» на подземное сооружение. В зоне около подстанции потенциал подземного сооружения Фй выше потенциала рельсов на величину 1ПКЛ (здесь /д и Кя — соответственно ток в дренаже и его сопротивление). :

Рассмотрим распределение источников тепла при зональном индукционном нагреве немагнитного цилиндра ( 1.3).

Рассмотрим распределение магнитного потока, создаваемого хжами статора по окружности статора, в зазоре машины. Возьмем однослойную статорную обмотку ( 12-3, г), для которой г — 12, 2р = 4, q = 1. Проводники этой обмотки условно изображены на 12-9, а расположенными на развернутой окружности статора.

Рассмотрим различные варианты электрических схем логики или, как говорят, различные типы логики.

Полагаем далее ЭДС е= /i"0 = const, индуктивность L, 7 —>0. Рассмотрим различные случаи заряда.

Рассмотрим различные соотношения между термодинамической работой выхода металла и полупроводника. При WM > Wa ( 1.5, а) объемный электрический заряд, возникший при контакте металла с полупроводником, вызывает искривление энергетических зон в слое полупроводника. В этом слое концентрация электронов низкая, поэтому слой полупроводника, примыкающий к контакту, является обедненным основными носителями. После контакта металла и полупроводника их уровни Ферми выравниваются и в состоянии динамического равновесия уровень Ферми для металла и полупроводника будет общим. При этом в зоне контакта образуется постоянный потенциальный барьер, величина которого равна разности термодинамических работ выхода металла и полупроводника.

Рассмотрим различные условия работы электростанций в энергосистеме.

Рассмотрим различные режимы работы линии без потерь.

Рассмотрим различные способы соединения сопротивлений подробнее.

Рассмотрим различные расчетные условия и последовательность расчета при выборе оптимальной установленной мощности, используя условие оптимальности (20.2)

Как известно из гл. 17, волны на проводах линий с тросами могут появиться в результате обратных перекрытий на опоре или в пролете или прорыва молнии. Рассмотрим различные случаи.

Рассмотрим различные варианты поведения дуги и определим предельные величины перенапряжений, используя (24-10).

Процессы разрушения и деформирования при ползучести являются термоактивированными кинетическими процессами и происходят одновременно в течение практически всего времени пребывания материала под нагрузкой. Изучение процесса разрушения должно происходить в тесной связи с изучением процессов деформирования при ползучести. Поэтому прежде, чем рассматривать морфологические особенности разрушения, рассмотрим различные температурно-силовые области, в которых в основе процессов ползучести и разрушения лежат разные механизмы, вызывающие кинетические закономерности накопления деформации и несплошностей при ползучести. Этой цели служат так называемые карты механизмов ползучести и разрушения.

Чтобы понять причину возникновения языка, рассмотрим различные варианты решения уравнения количества движения