Рассмотрим определение

Рассмотрим образование обмотки смешанного типа на простейшем примере. Пусть имеется четырехполюсная машина, '2р=4, и требуется получить обмотку с восемью параллельными ветвями. Поскольку число параллельных ветвей и петлевой и волновой частей обмотки одинаково, 2ап=2ав = 4. Следовательно, петлевая часть обмотоки должна быть простой: 2ап=2р=4, а волновая часть — двухходовой: 2ав=2/п=4. Шаг по коллектору простой петлевой обмотки равен единице: укол=1; потенциальный шаг на коллекторе для петлевой обмотки (шаг уравнительного соединения первого рода) у?рл=К/р. Если начало волновой секции припаять ко второй пластине, а шаг ее сделать равным Укоп.ъ—К/р—1, то она соединит секцию / с эквипотенциальной секцией. Если к тому же начало волновой секции положить рядом со второй стороной первой секции, а вторую сторону волновой — рядом с началом эквипотенциальной петлевой секции, то эквипо-

Рассмотрим образование связей между атомами германия Ge. Взаимодействие внешних электронных оболочек проявляется в том, что у электронов соседних атомов появляются общие орбиты ( 2.4), на которых в соответствии с принципом запрета Паули может находиться не более двух электронов с противоположными спинами. Эти общие орбиты связывают между собой атомы германия, образуя так называемые ковалентные или парноэлектрон-ные связи.

Рассмотрим образование р-п перехода при равновесной концентрации носителей. Допустим, что имеется два примесных полупроводника ( 3.4), один n-типа, другой р-типа проводимости. Состав акцепторных и донорных примесей в них пусть будет одинаков, т. е. Na = Na. Сблизим их до непосредственного контакта одного с другим.

Рассмотрим образование вращающегося магнитного поля на примере двухфазного синусоидального тока и двух катушек, сдвинутых в пространстве одна относительно другой на угол 90°.

Здесь мы рассмотрим образование смеси путем смешения отдельных газов при различных условиях смешения. Основная задача при смешении газов состоит в отыскании параметров смеси по заданным параметрам смешиваемых газов и заданным условиям смешения.

Рассмотрим образование потен-.... „., . -^_______^.. шального барьера с точки зрения

Диоды Шотки. Эти диоды обладают идеальными импульсными параметрами. Они выполняются на основе контакта металл — полупроводник. Рассмотрим образование такого контакта и его свойства ( 16.23). При контакте металла / с полупроводником 3 между ними возникает слой 2, который в зависимости от соотношения работы выхода электронов в металле и полупроводнике и от типа электропроводности полупроводника может быть обогащенным, инверсным или обедненным.

Рассмотрим образование потенциального барьера с точки зрения зонной теории твердого тела ( 1.13). При контакте полупроводников р (область 3) и п (область 1) типов образуется единая система, уровень Ферми в которой является общим для обеих областей (при условии термодинамического равновесия и в отсутствие внешнего электрического поля). На границе раздела уровень Ферми проходит через середину запрещенной зоны (сечение на границе обладает собственной электропроводностью). Поскольку в области n-типа уровень Ферми находится недалеко от дна зоны проводимости (I), а в области р-типа - недалеко от потолка валентной зоны (II), энергетические зоны смещаются

ДИОДЫ ШОТКИ. Эти диоды обладают идеальными импульсными параметрами. Они выполняются на основе контакта металл - полупроводник. Рассмотрим образование такого контакта и его свойства ( 1.23). При контакте металла 1 с полупроводником 3 между ними возникает слой 2, который в зависимости от соотношения работы выхода электронов в металле и полупроводнике и от типа электропроводности полупроводника может быть обогащенным» инверсным или обедненным.

Рассмотрим образование связей между атомами германия (Ge). Взаимодействие внешних электронных оболочек проявляется в том, что у электронов соседних атомов появляются общие орбиты ( 2.4), на которых в соответствии с принципом запрета Паули может находиться не более двух электронов с противоположными спинами. Эти общие орбиты связывают между собой атомы германия, образуя так называемые ковалентные, или парноэлектрон-ные, связи. Внешняя электронная оболочка каждого атома как бы дополняется до восьми электронов, что соответствует полностью занятым состояниям их, т. е. отсутствию свободных энергетических уровней в валентной зоне. Вследствие этого энергия электронов не может изменяться под действием электрического поля, т. е. кристалл будет являться диэлектриком.

Рассмотрим образование р—и-перехода при равновесной концентрации носителей. Допустим, что имеется два примесных полупроводника ( 3.4): один «-типа, другой р-тяпа. проводимости. Состав акцепторных и донорных примесей в них пусть будет одинаков, т. е. Na = Nu. Сблизим их до непосредственного контакта одного с другим.

В качестве примера рассмотрим определение силы в системе, состоящей из двух катушек индуктивности: неподвижной с числом витков wt и подвижной с числом виткон и>2 , подключенных согласно к источникам постоянного тока J\ и J2 ( 7.14).

В качестве примера рассмотрим определение силы в системе, состоящей из двух катушек индуктивности: неподвижной с числом витков м>1 и подвижной с числом витков w-2, подключенных согласно к источникам постоянного тока Jt и У2 ( 7.14).

В качестве примера рассмотрим определение силы в системе, состоящей из двух катушек индуктивности: неподвижной с числом витков W] и подвижной с числом виткон w2 , подключенных согласно к источникам постоянного тока Jt и J2 ( 7. 14).

Выше были рассмотрены уравнения насыщенной машины с бесконечным спектром гармоник в воздушном зазоре (9.4). Учгт связей между гармониками сложен. Рассмотрим определение связей между гармониками в насыщенном ЭП на примере трансформатора.

Выше были рассмотрены уравнения насыщенной машины с бесконечным спектром гармоник в воздушном зазоре (8.4). Учет связей между гармониками сложен. Рассмотрим определение связей между гармониками в насыщенном ЭП на примере трансформатора.

Рассмотрим определение композиции автоматов.

Рассмотрим определение постоянных интегрирования для первого случая (4.17). Подставим значения /„ = 0 и / = 0 в выражение (4.17), тогда 0 = Л4 + /Ь, откуда /Ь = — At и

Пример. Рассмотрим определение Н-параметров каскада усилителя на транзисторе со схемой, показанной па 9.11, а. Каскад усилителя образуется в результате параллельного соединения транзистора и П-образного пассивного четырехполюсника ( 9.1 1, б). Поэтому следует оперировать матрицами Y соединяемых четырехполюсников. Ранее для П-образной схемы была найдена матрица А. От нее с помощью та(5л. 9.1 можно перейти к матрице Y П-образного четырехполюсника. Для транзистора, включенною по схеме с общим эмиттером, Y-параметры возьмем из справочника. Просуммировав найденные таким образом матрицы Y П-образного четырехполюсника и транзистора, получим матрицу Y усилительного каскада. Далее по табл. 9.1 перейдем к искомой матрице Н усилительного каскада.

Рассмотрим определение силы F в общем случае.

Рассмотрим определение динамических параметров моделей на 6.11, 6.15, 6.16. Барьерные емкости перехо-

Рассмотрим определение оптимального значения <хт для наиболее простого случая — однотрубной системы теплоснабжения, график теплопотребления которой приведен на 2.25. Повышая давление в верхнем регулируемом отборе на величину <ЗР0т, повысим температуру подогрева сетевой воды на <Э/Пр и тепловую мощность отопительных отборов на величину dQ0T ( 2.25). Коэффициент теплофикации увеличится на дат.