Рассмотренного устройства

После напыления контакт- „ ных выводов из золота или алюминия на поверхности плас-тинки формируется защитная пленка из двуокиси кремния SiO, или нитрида кремния Si3N4 . По отношению к подложке, выполняющей функции затвора полевого транзистора, исток, сток и канал образуют р-и-переход. В рассмотренной конструкции ( 4.1,а) эти элементы изготовлены из кремния электронной проводимости, а подложка — из кремния дырочной проводимости. Вмес-

Применение рассмотренной конструкции в ряде случаев позволяет резко повысить надежность аппаратуры. В связи с постоянным усложнением аппаратуры выполнение требований по надежности становится все более сложной задачей. Одним из параметров, характеризующих

(полюс на затвор, минус на основание), то между истоком И и стоком С начнет протекать ток. Это объясняется тем, что из приповерхностного слоя полупроводника, расположенного под затвором 3, электрическим полем будут оттесняться дырки и собираться электроны, образуя канал (с n-проводимостью, показанный на 18, а пунктирной линией), вследствие чего п—р-пере-ходы исток — канал и канал -1— исток перестанут существовать. Проводимость n-канала будет тем больше, чем больше напряжение, приложенное между затвором и основанием. Транзистор рассмотренной конструкции принято называть МДП-транзистором с индуцированным каналом, работающим в режиме обогащения носителями заряда. Зависимость тока стока /с от напряжений Ua и Uc приведена на 18, д. Условное графическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным n-каналом приведено на 18, б.

Оптроны рассмотренной конструкции могут быть использованы как преобразователи частоты световых сигналов: например, на фоторезистор можно действовать невидимым (инфракрасным или ультрафиолетовым) светом, а на выходе светодиода излучение может быть видимым (белым, красным, зеленым и т. д.).

Диаметр проводов обмоток 110 В [определяется током, найденным из (VII.6)] больше, чем у обмоток 17 В [определяется током, найденным из (VI 1.7)]. Однако, если разница в диаметрах невелика, то с целью унификации проводов их берут одинаковыми — большего диаметра. При рассмотренной конструкции переключателя ( VII. 10, б) расчетная мощность трансформатора PI составляет Рс.а -f- 2 • 17 • /127, т. е. больше, чем в трансформатора, рассчитанного только на одно напряжение 110 или 220 В, на величину 2 • 17 • /127 = 0,134 Рс.а [здесь учтена формула (VII.7)].

На границе областей сплавной технологией получают два р-п перехода — эмиттерный и коллекторный. Чаще всего переходы изготавливаются несимметричными по своей конструкции, т. е. с неодинаковыми геометрическими размерами. Переход с меньшей площадью имеет приграничный слой полупроводника р-типа с большей концентрацией примесей (легирован сильнее), чем приграничный слой полупроводника р-типа со стороны перехода большей площади. Полупроводник с большей концентрацией примесей обычно обозначают р +. Средний слой называется базой, крайний сильно легированный — эмиттером, а слой с большей площадью — коллектором. Части поверхностей эмиттера, базы и коллектора покрываются металлическими пленками. К этим пленкам сваркой или пайкой прикрепляются внешние выводы. Сам кристалл крепится на кристаллодержателе и помещается в герметизированный металлический корпус, а выводы через изоляторы выводятся наружу. Реже изготавливается биполярный транзистор симметричной конструкции ( 5.2,6). Симметричный транзистор сохраняет свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера и коллектора. Конструкция биполярного транзистора, изготовленного по диффузионной технологии с точечными р-п переходами, не отличается от рассмотренной конструкции сплавного транзистора, однако электрические параметры его существенно отличаются вследствие малых токов и емкости переходов. Кроме сплавной и диффузионной технологий при изготовлении биполярных транзисторов применяется планарно-эпитаксиальная технология, позволяющая получить транзисторы с малыми отклонениями значений электрических параметров.

Водородный электрод рассмотренной конструкции является только электродом сравнения при измерении потенциалов электродов, а не электродом промышленного источника тока. Тем не менее водородные электроды значительно более сложной конструкции, но работающие на подобном принципе, нашли применение в топливных элементах. Другие газовые электроды — кислородный, хлорный — также нашли применение в некоторых химических источниках тока.

рассмотренной конструкции применяются в КТПБ 110/35/6(10) кВ (см. 6.14).

Таким образом, у рассмотренной конструкции развитая система водяного охлаждения и простота обеспечивают устойчивую и безаварийную работу электро-додержателя, а достаточные размеры нажимных болтов позволяют иметь значительные давления на каждой щеке, что гарантирует надежный контакт и невозможность проскальзывания электрода. Подвод тока и удержание электрода «а весу осуществляются одним и тем же устройством, что типично для рабэты на свинчиваемых или наращиваемых вне печи электродах.

На 6.7 схематически показана конструкция волноводного приемного преобразователя. В волноводе применяется ступенчатый или плавный переход / для согласования терморезистора 2 с характеристическим сопротивлением волновода. Терморезистор включен во внутренний проводник отрезка короткозамкнутого коаксиального волновода 3. С помощью короткозамыкателей компенсируются реактивности выводов терморезистора. Наружный проводник верхней части отрезка коаксиального волновода 3 изолирован от корпуса прокладкой 4. Образующийся конденсатор представляет собой ничтожное сопротивление для токов СВЧ. Таким образом, один вывод терморезистора через короткозамыка-тель 5 по низкой частоте замыкается на корпус, а другой — не имеет контакта с корпусом. Загрушка 6 располагается от терморезистора на расстоянии ~W4, благодаря чему он оказывается в пучности электрического поля. Для лучшего согласования в узкой полосе частот в плоскость заглушки вводится диэлектрический стержень с металлической пластинкой на конце. Недостаток рассмотренной конструкции состоит в сложности регулировки, которую надо производить при каждой смене терморезисторов.

На основе рассмотренной конструкции созданы приемные преобразователи М5-40 ... М5-45, которые пятью приборами перекрыва-.ют диапазон частот 5,64... 37,5 ГГц. КСВН преобразователей не превышает 1,7; при этом не производится никаких регулировок.

ность дифференцирования рассмотренного устройства существенно выше точности, обеспечиваемой обычной дифференцирующей цепочкой, описанной в § 7.10.

Важными достоинствами рассмотренного устройства являются возможность установки требуемого порога срабатывания и высокая точность работы устройства. Следует отметить существенное отличие свойств рассмотренного устройства от пороговых устройств с цепями ПОС, обладающих разными порогами срабатывания и возврата в исходное состояние (т. е. гистерезисом). В рассмотренном устройстве вместо ПОС используется ООС, при этом пороги срабатывания (при um~^Unof) и возврата в исходное состояние (при мвх^С/пор) соответствуют с высокой точностью одному и тому же значению напряжения (Unop=Ul при положительных мвх либо Uaap=U2 при отрицательных ивх). Другим достоинством рассмотренного устройства является возможность независимой установки порогов срабатывания Ui и U2 путем соответствующего выбора управляющих напряжений ?/упр1 и

На 9.6, б показана принципиальная схема рассмотренного устройства. Оно не является функционально завершенным, поскольку может быть использовано (в усилителе с ОЭ, ОК и т. п.) лишь при подключении к нему ряда внешних элементов. Такая функциональная незавершенность обычно возникает из-за трудностей выполнения некоторых элементов (например, катушек индуктивностей) в виде, пригодном для монтажа внутри микросхемы. Иногда микросхему специально делают функционально незавершенной, чтобы расширить возможности ее использования.

Недостатком рассмотренного устройства является наличие начального скачка напряжения, который не удается устранить даже схемным путем.

ность дифференцирования рассмотренного устройства существенно выше точности, обеспечиваемой обычной дифференцирующей цепочкой, описанной в § 7.10.

Важными достоинствами рассмотренного устройства являются возможность установки требуемого порога срабатывания и высокая точность работы устройства. Следует отметить существенное отличие свойств рассмотренного устройства от пороговых устройств с цепями ПОС, обладающих разными порогами срабатывания и возврата в исходное состояние (т. е. гистерезисом). В рассмотренном устройстве вместо ПОС используется ООС, при этом пороги срабатывания (при u3X^Unop) и возврата в исходное состояние (при мвх^?Упор) соответствуют с высокой точностью одному и тому же значению напряжения (Unop=U1 при положительных мвх либо Unop=U2 при отрицательных ивх). Другим достоинством рассмотренного устройства является возможность независимой установки порогов срабатывания Ux и U2 путем соответствующего выбора управляющих напряжений UyTipl и

Устройство АПВУС, как и АПВОС, осуществляет поочередное включение выключателей: сначала включается выключатель на том конце линии, на котором контролируется отсутствие напряжения, а затем включается выключатель на другом конце, если позволяют органы, контролирующие разность частот. Устройство АПВУС отличается от рассмотренного устройства АПВ (см. 7.5) наличием органов, контролирующих разность частот напряжений разделившихся частей энергосистемы. Наиболее рас-пространен орган контроля разности частот, состоящий из двух минимальных реле напряжения KSV1 и KSV2. К. обоим реле подводится напряжение биения Us ( 11.7). Время t\,2> в течение которого оба реле держат замкнутыми контакты в цепи обмотки реле времени, зависит от скорости изменения напряжения, характеризующей разность частот. Повторное включение разрешается, когда время tii2 достигает или превышает заданное время контроля tK (на 11.7 второй период биения). Схема собрана так, что пуск устройства АПВУС происходит только в конце периода биения.

Если контролируемое напряжение находится в зоне нечувствительности, то в цепях включения В и отключения О и регулятора — логические 0. При снижении напряжения первая логическая единица — импульс команды включения через И1.1, на втором входе которого имеется единица с инверсного выхода 77, поступает на триггер 77, переключая его. Триггер Т2 первым импульсом не переключается, так как на второй вход логического элемента И2.1 подается сигнал запрета 0 с прямого выхода триггера 77. По этой причине не переключается и триггер ТЗ. Переключившись, тригер 77 выдает команду на действие исполнительного элемента ИЭ1, включающего первую секцию, и подает разрешающий сигнал — единицу на второй вход элемента И2.1. В связи с этим второй импульс команды включения переключает триггер Т2; при этом триггер 77 остается в прежнем положении (так как на втором входе элемента И1.1 сигнал запрета — нуль с инверсного выхода 77). После переключения триггера Т2 действует исполнительный элемент ИЭ2, включающий вторую секцию, и подается разрешающий сигнал на логический элемент ИЗ Л. Третий импульс переключает триггер ТЗ, при этом включается третья секция конденсаторной батареи. При поступлении сигналов отключения работа устройства происходит аналогично, но в обратном порядке. Необходимую очередность обратного переключения триггеров (сначала ТЗ, затем Т2 и TJ) обеспечивают логические элементы И3.2—И1.2. На основе рассмотренного устройства разработан регулятор АРК.ОН-1 [91].

Достоинством рассмотренного устройства является однопровод-ность, а недостатком — относительно небольшая дальность действия. При небольшом объеме телесигнализации с необслуживаемых объектов она может выполняться по схемам, показанным на 17.10. На первой схеме

Следует учитывать, что схему на 7-13 можно использовать только при применении в тракте формирования однополосного сигнала фильтра с полосой 0,3—1 кГц. При этом частота опорного генератора должна отстоять от ската АЧХ фильтра на 0,5—1 кГц, так что подавление несущей частоты и гармоник ЗГ составит не менее 60 дБ. Использование рассмотренного устройства с широкополосным (3 кГц) фильтром приведет к излучению на побочных частотах.