Рассмотренная структура

Между тем, элементарные фрагменты электрической схемы ЭВМ можно оформить в виде бескорпусных полупроводниковых микросхем, а затем соединить их с помощью тонко- или толстопленочной коммутационной платы на диэлектрической подложке методами, описанными в § 2.2. При этом отпадает даже ограничение, касающееся построения электрической схемы БИС из однородных элементарных схем. Их подбор можно осуществить из числа разнообразных бескорпусных полупроводниковых микросхем, выбор которых достаточно широк. Недостающие бескорпусные микросхемы разрабатываются и изготавливаются заново. По этой причине, а также из-за того, что технологический процесс изготовления БГИС значительно проще, чем полупроводниковых БИС, этот метод наиболее подходит для построения неоднородных аналоговых устройств, например преобразователей аналог — код и код — аналог. Одновременно отметим, что достижимая степень интеграции для корпусных и бескорпусных БГИС — наивысшая из всех рассмотренных вариантов конструкций БИС. Так, например, одна из типовых БГИС на основе многослойных керамических коммутационных плат

На 5.25 приведены результаты расчетов: а) средней скорости передачи информации R; б) коэффициента использования канала S для рассмотренных вариантов. При расчетах было принято QK = 0,9, <7и=0,2. При изменении скорости модуляции имеются две области поведения R: при ТК.КЛ<ТКЛ и ТК.КВ<ТКВ она возрастает с ростом С, при ТК.КЯ>ТКЯ уменьшается и приближается к постоянному значению, определяемому быстродействием УЗО (микропроцессора). Различие в использовании алгоритмов кодирования приводит к существенной разнице скоростей передачи информации. Так, кодирование (декодирование) с применением табличных алгоритмов позволяет повысить скорость передачи информации в 7—10 раз при больших скоростях модуляции. Максимальное значение средняя скорость передачи информации принимает при Ткмя = Тт и Тк.кв = ТКъ, причем для табличного алгоритма она при реализации УЗО на микропроцессорном комплекте К589 порядка 1,5—4 Мбайт/с (при скорости модуляции в 2—5 МБод). Применение алгоритма деления при формировании циклического

Соотношение геометрических размеров блока — длины, ширины и высоты — для каждого из рассмотренных вариантов компоновки определяет соотношение геометрических размеров ячеек, а последние, в свою очередь, определяют длину электромонтажных связей в ячейке, ее помехоустойчивость, шаг установки ИМС. По данным, взятым из практики, ширина В блоков книжной конструкции не должна быть меньше 120 мм. Для блоков разъемной конструкции высота и ширина блоков должны быть равны для варианта / компоновки — //5sl80 мм, В^\20 мм, для варианта /// — Я^ 180 мм, S^180 мм. При этом нужно учитывать, что электрические соединители ячеек занимают в блоках зону, равную 25—35 мм (на 1.26 заштрихована), что увеличивает одну из сторон блока в зависимости от выбранного варианта компоновки; жгутовые соединения, гибкие пе-

паротурбинных установок для покрытия одного и того же графика нагрузки потребуют различные расходы теплоты (топлива). При пуске или останове блока к общему расходу топлива на выработку требуемого количества электроэнергии прибавятся пусковые потери; при переводе турбогенератора в МР или в режим ГВР появляются потери, определяемые расходом энергии на поддержание этих режимов; при уменьшении нагрузки блоков расход теплоты на выработку одного и того же количества электроэнергии увеличится из-за снижения КПД паротурбинной установки; при регулировании мощности турбоагрегатов по схеме 11.16 в диапазоне от 50 до 100% нагрузки показатели тепловой экономичности установок будут ниже, чем при полной нагрузке. Очевидно, что из всех рассмотренных вариантов оптимальным

Из рассмотренных вариантов основного оборудования необходимо выбрать тот, который удовлетворяет критерию минимума суммарных приведенных затрат в энергосистеме.

Для рассмотренных вариантов в соответствии с 11.23 находим:

Из рассмотренных вариантов при разных значениях коэффициента трансформации выбирается вариант с минимальной стоимостью.

Из рассмотренных вариантов при разных значениях коэффициентов трансформации k и коэффициента t выбирается вариант с минимальной стоимостью Сп.

В первом и втором вариантах температура питательной воды за экономайзером не изменяется и принята равной 316° С. Температура холодного воздуха 50° С. Расчеты показывают, что увеличение температуры горячего воздуха на 83° С ведет к повышению теоретической температуры горения примерно на 40° С, что практически не влияет на надежность экранных поверхностей нагрева. Сравнение рассмотренных вариантов показывает преимущество первого из них только при малых числах часов использования установленной мощности (Л<2000 ч/год).

В табл. 6.4 приведены значения экономии годовых приведенных затрат рассмотренных вариантов по сравнению со схемой, имеющей

В табл. 6.4 приведены экономические показатели оптимальных решений для некоторых из рассмотренных вариантов развития системы. Вариант 1 (оптимальный) соответствует структуре системы без РК в узлах 7 и 5 (см. 6.14) и без новых участков в схеме тепловой сети; вариант 2 по составу источников аналогичен варианту 1, схема же тепловой сети включает показанные на 6.14 новые участки; в вариантах 3 и 4 рассматриваются все существующие источники, а в схему тепловой сети в варианте 4 включен участок 8—9; вариант 5 соответствует структуре системы без РК в узле 8 и с участком 8—9 в схеме тепловой сети.

Кроме рассмотренных вариантов применения охлаждающих и термостабилизирующих устройств, термоэлектрические холодильники используются также в передвижных барах, кондиционерах, выполненных совместно с панелью люминесцентного освещения; для охлаждения печатных вальцов, массы в кондитерской промышленности, резцов и фрез; отвода тепла для повышения точности пре цизионных машин, охлаждения при производстве и нагреве сма зочных масел для точных механизмов, контроля при изготовлении фотобумаги, в установках для получения кремния.

В том случае, если ЭДН предполагается эксплуатировать в длительном циклическом режиме, в схему расчета необходимо вводить дополнительную процедуру, связанную с расчетом энергии Wa, подводимой в течение цикла к ротору от привода, с ограничением по допустимому касательному напряжению на валу ЭДН, а также процедуру, связанную с тепловым расчетом ЭДН с ограничением по допустимому превышению температуры обмоток и экранов. Такие исходные данные, как удельная электрическая проводимость обмоток и экранов, а также частота вращения ротора, могут меняться от цикла к циклу. В этом случае рассмотренная структура программы расчета ЭДН будет являться составной частью более сложной программы, состав которой будет определяться требованиями, предъявляемыми к установке, использующей ЭДН в качестве источника электрической энергии.

Рассмотренная структура устройства дает тем большую экономию, чем большее число разрядов требуется хранить в спецматрице.

Для переключательных п-р-п транзисторов при W3n —- 1 мкм глубины эмиттерного и коллекторного р-п переходов соответственно 0,5 и 0,2 мкм, а ширина базы 0,3 мкм, р^п = 150, граничные частоты /rpjv — 1,3 ГГц, /Гр/ = 9 ГГц. Площадь элемента при размерах коллектора 4x4 мкм равна 220 мкм2, минимальная задержка распространения 0,5 не. При Wan = 1,5 мкм, /и = 80 мкА, п = 1 и тех же размерах коллектора 4д.Р.ср = 1,14 не, Лпер = 20 фДж. При уменьшении размеров коллектора до 3 х 3 мкм минимальная задержка снижается до 290 пс. Рассмотренная структура перспективна для использования в цифровых СБИС. Она обеспечивает относительную площадь 20...30 литографических квадратов, минимальную задержку не более 1 не и работу переключения в режиме малых токов инжектора 0,03...0,05 пДж.

Рассмотренная структура АЛУ требует большого количества регистров, но позволяет проектировать АЛУ на простых и надежных тр аггерах потенциального типа. Кроме того, при данной структуре АЛУ легко осуществляется совмещение по времени операций сложения и сдвига, так как передача результата сложения из ре-

Рассмотренная структура имеет малый разброс напряжения включения f вкл. малое напряжение ивыкл, а при использовании быстродействующих транзисторов и более высокое быстродействие, чем обычные ОПТ. Недостатком ее является малое отношение /Выкл/'вкл и малый диапазон тока А/ = /выкл — — ^вкл> соответствующий участку отрицательного сопротивления входной в. а. х., что затрудняет использование структуры в автоколебательных генераторах, поскольку при малом значении /ВЫКл — 'вкл положение / нагрузочной прямой (см. 7.11) удается обеспечить лишь для узкого диапазона значений R времязадающей цепи 7.10.

Рассмотренная структура представляет собой так называемое каскадное соединение ЭВМ с ИИС, не позволяющее реализовать все те новые качества, о которых говорилось выше. Наиболее полно и качественно новые возможности ИВК проявляются, когда весь комплекс строится как замкнутая автоматическая система, объединяемая общей программой функционирования, обработки измерительной информации, принятия решений по воздействиям на объект

динат, т. е. обеспечивает равенство напряжений переключения обеих структур, их токов удержания и включения. При этом в проводящем направлении прибор имеет такое же сопротивление, как и обычная р-п-р-п структура. Симметричный ограничитель напряжения, основу которого составляет рассмотренная структура, может быть открыт либо за счет подачи на электроды напряжения, превышающего напряжение включения, либо за счет эффекта dU/dt,

Таким образом, рассмотренная структура позволяет включать тиристор с помощью транзистора, расположенного на анодной стороне.

стично, попадая в область объемного заряда р—«-перехода, увеличивают его обратный ток. Рассмотренная структура ОТ называется стержневой. Используются также кубическая и цилиндрическая конструкции.

Тем не менее, рассмотренная структура дрейфового транзистора имеет больше преимуществ, чем недостатков. Одним из главных преимуществ, наряду с полем в базе, является возможность получения с помощью двойной диффузии малых толщин базы. При этом опасность прокола базы значительно уменьшается, так как концентрация носителей в коллекторе много "меньше, чем в базе, и при увеличении VK область объемного заряда расширяется в основном в область коллектора. Дрейфовые транзисторы имеют и меньшую емкость коллекторного перехода вследствие плавного распределения примесей (1.9). По этим причинам fh2lB и fmax дрейфовых транзисторов, изготовляемых методом двойной диффузии, удалось повысить более, чем на два-три порядка. 130

Рассмотренная структура СПН по 3.3 имеет существенный недостаток, заключающийся в том что изменение частоты входного напряжения воспринимается ИПН как изменение выходного напряжения и соответственно при изменении частоты сети изменяется уровень стабилизируемого напряжения. Действительно, если интегратор ИПН стоит в цепи отрицательной обратной связи как показано на 3.3, то его напряжение в конце каждого периода квантования