Рассеиваемой мощностью

Максимальная мощность Рктах, рассеиваемая транзистором. Под этой мощностью подразумевается максимальная мощность, рассеиваемая в коллекторном переходе, так как мощность, расходуемая в цепи эмиттера, пренебрежимо мала по сравнению с Рк.

Решение. Мощность, рассеиваемая транзистором,

С другой стороны, при повышении температуры рассеиваемая транзистором мощность увеличивается:

Предельные параметры транзисторов определяют, исходя из требований надежной работы транзистора. К ним относятся: допустимая мощность Рктах, рассеиваемая транзистором в заданном интервале температур окружающей среды (без радиатора или с радиатором); максимальные токи электродов транзистора /кшах, /этах, /б max; максимальные напряжения на электродах ?/Кбтах, ?Аотах и f/эбтах; максимально допустимая темперзтурз переходов.

Рассеиваемая транзистором мощность определяется в основном мшшшстыот выделяемой на коллекторном переходе (так как

Мощность, рассеиваемая транзистором при f0 = 45°C, Pmax = = 200 мВт. Напряжение коллектор — база при холостом ходе в цепи эмиттера t/квотах — 15 В. Напряжение эмиттер — база при холостом ходе в цепи коллектора ?/эБошах = 15 В. Ток коллектора в режиме переключения при насыщении или в импульсном режиме /к, н тах= = 150 мА.

7. Максимально допустимые данные. Мощность, рассеиваемая транзистором без теплоотвода, Pmai — 150 мВт. Напряжение коллектор — база при холостом ходе в цепи эмиттера (/КБО шах — 30 В. Ток коллектора /к тах .= 50 мА.

6. При fc = 35° С максимально допустимая мощность, рассеиваемая транзистором без теплоотвода,

Мощность, рассеиваемая транзистором при t'0 = 75° С, Ртах*= = 150 мВт, а при fc = 120° С Ртах = 60 мВт.

прямого хода; Снаим — минимальная емкость времязадающего конденсатора; 6F = (6С — е) — разброс частоты; &с — разброс номиналов конденсаторов; PKj — средняя мощность, рассеиваемая транзистором Т] при максимальной рабочей температуре.

Транзистор, как и любой другой электронный прибор, характеризуется рядом эксплуатационных параметров, предельные значения которых - указывают на возможности практического применения того или иного транзистора. К числу таких параметров относятся: Максимально допустимая мощнсаПь Рк.шах, рассеиваемая коллектором, — это превращающаяся в тепло мощность тока коллектора, бесполезно расходуемая на нагревание транзистора. В общем случае мощность, рассеиваемая транзистором, складывается из мощностей, рассеиваемых каждым р-п переходом:

работы применяют резисторы на теплоемком каркасе из жаропрочного керамического материала ( 5.9,6), в которых тонкая проволока после намотки на цилиндр покрыта слоем стекловидной эмали для защиты от повреждений. Эти резисторы выпускаются с номинальной рассеиваемой мощностью 2,5—150 Вт.

сторы выпускаются с номинальной рассеиваемой мощностью 2,5—150 Вт.

Фотодиодный оптрон.Условное графическое обозначение его приведено на 9.2, а. В качестве излучателя используется светодиод на основе арсенида галлия. График зависимости яркости излучения Ф от тока диода /д при разных температурах Т светодиодов приведен на 9.3. Эти характеристики практически линейны, ток диода ограничен допустимой рассеиваемой мощностью. Отметим, что даже при небольших обратных напряжениях светодиод может 0ыть легко пробит и выведен из строя, поэтому необходимо принимать специальные меры защиты. Как было отмечено, из-за малого динамического сопротивления в прямом направлении светодиоды требуют питания от источника с высоким внутренним сопротивлением. Простейшая схема питания с ограничительным резистором /?0гр приведе-

При увеличении температуры транзистора возрастает максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе. Для определения зависимостей между рассеиваемой мощностью и температурой кристалла используется зависимость

Двухтактный выходной каскад на БТ работает следующим образом. При положительных входных сигналах транзистор Тг работает как эмиттерный повторитель, а транзистор Т 2 закрыт. При отрицательных входных напряжениях транзистор Т 2 работает как эмиттерный повторитель, а транзистор 7\ закрыт. Таким образом, транзисторы 7\ и Тг включаются попеременно в зависимости от полярности входного сигнала. При отсутствии входного напряжения оба транзистора закрыты. Максимальная мощность на выходе схемы определяется предельным током транзисторов и их рассеиваемой мощностью.

Коэффициент формы прямоугольных резисторов Кф = = 0,1ч-100. Для высокоомных резисторов необходимы большие значения /Сф. Повышение /Сф возможно при уменьшении b и увеличении /. Минимальные значения Ъ ограничены возможностями технологии, требованиями к точности сопротивления и рассеиваемой мощностью, а максимальные значения / — как возможностями технологии, так и габаритными размерами резисторов. Например, при формировании тонкопленочных резисторов с помощью масок не рекомендуется /Сф > 10, так как длинные щели в маске снижают жесткость ее конструкции. Низкие значения /Сф в основном лимитируются технологическими ограничениями на минимальные расстояния между контактными площадками резисторов.

при использовании метрической системы мер и 2,54 мм для дюймовой системы; допустимой рассеиваемой мощностью, габаритами, массой, механической прочностью, защищенностью от климатических воздействий, конструкцией электрических соединений, наличием или отсутствием магист-ральности, соответствием международным стандартам, стоимостью. Параметры конструкционных систем чаще всего приведены в отраслевых стандартах.

ция резисторов может быть произвольной, однако во всех случаях отношение длины резистора к его ширине должно быть согласовано с удельным сопротивлением материала исходного диффузионного слоя и обеспечено получение заданного номинала. Ширина резистора ограничивается разрешающей способностью фотолитографии. Высокоомные резисторы рекомендуется выполнять в виде параллельных полосок с перемычками между ними. Номинал резистора в этом случае будет выдержан более точно, чем для резистора изогнутой формы. Любой диффузионный резистор может пересекаться проводящей дорожкой, так как проведение металлизированного проводника по слою оксида кремния, покрывающему резистор, не оказывает существенного вредного влияния. Резисторы, у которых необходимо точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться в непосредственной близости друг от друга. Если ИМС содержит резисторы с большой рассеиваемой мощностью, то их следует располагать в периферийных областях кристалла.

6. Если транзисторы ИМС работают при различных потенциалах коллекторных областей, то их располагают в отдельных изолированных областях. Для улучшения электрической развязки между коллекторными изолированными областями контакт к подложке рекомендуется выполнять в непосредственной близости от транзистора, характеризующегося наибольшей рассеиваемой мощностью. Для обеспечения согласованности характеристик транзисторов их необходимо располагать в соседних изолированных областях, причем геометрическая конфигурация коллекторной, базовой и эмиттерной областей должна быть идентичной.

Например, снижение рассеиваемой мощности на 50 мВт приводит к уменьшению температуры кристалла на 10°С и увеличению надежности примерно в два раза. Это особенно важно при проектировании БИС, где степень интеграции начинает сдерживаться не столько разрешающей способностью литографии, сколько предельно допустимой рассеиваемой мощностью на кристалле (~1 Вт).

Температура сердечника зависит не только от температуры окружающей среды, но и от разогрева сердечника за счет потерь энергии в обмотках и в самом сердечнике (потери на гистерезис). Эти потери характеризуются рассеиваемой мощностью