Рассеяния вторичной

Схема замещения многообмоточного трансформатора отличается от двухобмоточного тем, что она имеет несколько лучей во вторичнойцепи ( 3.9, б) в соответствии с числом вторичных обмоток. В маломощных низковольтных трансформаторах (UlHoM
Исследования поля рассеяния трансформаторов больших мощностей необходимы для создания точных методов расчета распределения поля рассеяния и вызываемых им механических сил, воздействующих на обмотки при коротком замыкании. Точное знание сил, действующих на обмотки и их отдельные части, позволит обеспечить электродинамическую стойкость и надежность трансформаторов мощностью 250—1000 MB-А и более. Исследования поля рассеяния трансформаторов этих и меньших мощностей имеют целью также определенную организацию и локализацию этого поля за счет рационального размещения обмоток и применения различных магнитных шунтов и экранов, позволяющих существенно уменьшить добавочные потери в обмотках и конструктивных деталях трансформатора — стенках бака, прессующих деталях обмоток и остова трансформатора.

14. Лурье С. И., Савельев М. П., Хубларов Н. Н. Подготовка и контроль исходных данных и представление результатов в новой программе расчета поля рассеяния трансформаторов на ЭЦВМ «Минск-22».— «Электротехническая промышленность», 1.971, вып. 6, с. 22—26.

на искажение формы импульса, прежде всего составляют полную схему замещения четырехполюсника, учитывая в ней все факторы, влияющие на частотные свойства [паразитные емкости ламп, импульсных трансформаторов, индуктивности рассеяния трансформаторов, емкостные свойства /ьп-переходов транзисторов, зависимость коэффициентов усиления транзисторов от скорости процесса (от частоты со)].

Исследования поля рассеяния трансформаторов больших мощностей необходимы для создания точных методов

расчета распределения поля рассеяния и вызываемых им механических сил, воздействующих на обмотки при коротком замыкании. Точное знание сил, действующих на обмотки и их отдельные части, позволит обеспечить электродинамическую стойкость и надежность трансформаторов мощностью 250—1000 MB-А и более. Исследования поля рассеяния трансформаторов этих и меньших мощностей имеют целью также определенную организацию и локализацию этого поля за счет рационального размещения обмоток и применения магнитных экранов, позволяющих существенно уменьшить добавочные потери в обмотках и конструктивных деталях трансформатора — стенках бака, прессующих деталях обмоток и остова трансформатора.

Для того чтобы выяснить влияние отдельных элементов схемы на искажение формы импульса, прежде всего составляют полную схему замещения четырехполюсника, учитывая в ней все факторы, влияющие на частотные свойства [паразитные емкости ламп импульсных трансформаторов, индуктивности рассеяния трансформаторов, емкостные свойства p-n-переходов транзисторов, зависимость коэффициентов усиления транзисторов от скорости процесса (от частоты со)].

183. Г. Н. Петров, а) Обобщенный метод расчета рассеяния обмоток трансформаторов, Вестник экспериментальной и теоретической электротехники, 1935, № 5—6, и Е. п. М., 1933,8. 345; б) Расчет рассеяния обмоток при произвольном их расположении на сердечнике, Бюлл. ВЭИ, 1934, № 5, стр. 1; в) К расчету рассеяния трансформаторов, Электричество, 1935, № 15, стр. 3.

Глубокие исследования магнитных полей и индуктивных сопротивлений рассеяния трансформаторов в СССР выполнены Г. Н. Петровым, Е. Г. Марквардтом, Э. А. Манькиным и др.

у его зажимов. Схема замещения для расчета ПВН ( 10.3) состоит из трех ветвей, включенных параллельно: индуктивного сопротивления местной станции Хм, емкости Cj и результирующего волнового сопротивления линий Zp. Как известно, длинные однородные линии воспринимаются в переходных процессах как активные сопротивления, численно равные волновым сопротивлениям Z = уL/C. При наличии нескольких линий с одинаковыми волновыми сопротивлениями в схему замещения следует ввести результирующее сопротивление Zp = Z/n, где и — число линий, не считая поврежденной. Линии следует считать разомкнутыми на удаленных концах, так как при высокой частоте переходного процесса сопротивление рассеяния трансформаторов, присоединенных на этих концах, весьма велико.

Снижение индуктивности с возрастанием частоты объясняется увеличением вихревых токов и усилением эффекта их вытеснения в активных элементах генераторов, трансформаторов или реакторов, что приводит к увеличению потокосцепления взаимной индукции и уменьшению результирующей индуктивности. На 4-31 приведена для примера зависимость индуктивности рассеяния трансформаторов от частоты [8].

деления важнейших параметров трансформаторов: мощности потерь в проводах, внутреннего падения напряжения и т. п. Опыт короткого замыкания, как и опыт холостого хода, обязателен при заводских испытаниях. В режиме короткого замыкания (<72 =0) ЭДС Егк, индуктируемая во вторичной обмотке, как следует из второго закона Кирхгофа (9.116), равна сумме напряжений на активном сопротивлении и индуктивном сопротивлении рассеяния вторичной обмотки:

Работа трансформатора основана на законе электромагнитной индукции. При подключении трансформатора на переменное напряжение Ut по первичной обмотке протекает переменный ток t-i .Он создает два переменных магнитных потока. Один из них замыкается вокруг первичной обмотки частично по стали и частично по воздуху и представляет собой магнитный поток рассеяния первичной обмотки °Poit • Другой магнитный поток, создаваемый '«окем ?4 , который можно назвать главным магнитным потоком первичной обмотки, замыкается полностью по сердечнику трансформатора и пересекает, наряду с первичной, такхе и вторичную обмотку трансформатора. В результате этого, по закону электромагнитной индукдои, во вторичной обмотке трансформатора наводится некоторая е.д. о. взаимоиндукции, Если вторичная обмотка замкнута через оопротивление нагрузки ?#р , то под действием а. д. о. взаимоиндукции по этой обмотке протекает некоторой вторичный переменный ток 1Л .Он создает, в свою очередь также два магнитных потока - магнитный поток рассеяния вторичной обмотки *P
а поток рассеяния вторичной обмотки •?&± наводит в послед-

Индуктивность рассеяния вторичной обмотки L2(f обусловлена магнитным потоком Ф2<(, создаваемым током i2 и замыкающимся по воздуху минуя первичную обмотку: и>2Ф2( — ^г^г- Схема замещения вторичной обмотки трансформатора показана на 8.3, б.

деления важнейших параметров трансформаторов: мощности потерь в проводах, внутреннего падения напряжения и т. п. Опыт короткого замыкания, как и опыт холостого хода, обязателен при заводских испытаниях. В режиме короткого замыкания (С/, =0) ЭДС ?'2к, индуктируемая во вторичной обмотке, как следует из второго закона Кирхгофа (9.116), равна сумме напряжений на активном сопротивлении и индуктивном сопротивлении рассеяния вторичной обмотки:

деления важнейших параметров трансформаторов: мощности потерь в проводах, внутреннего падения напряжения и т. п. Опыт короткого замыкания, как и опыт холостого хода, обязателен при заводских испытаниях. В режиме короткого замыкания (?/2 =0) ЭДС /Г2к, индуктируемая во вторичной обмотке, как следует из второго закона Кирхгофа (9.116), равна сумме напряжений на активном сопротивлении и индуктивном сопротивлении рассеяния вторичной обмотки :

Расчетное сопротивление в ветви Т-образной схемы замещения с первичной стороны практически не влияет на токи в схеме замещения ( 3.3). Поэтому оно из рассмотрения исключается и схема замещения ТА с нагрузкой, приведенная ко вторичной обмотке, приобретает Г-образ-ный вид ( 3.4, а). Величина L2s=L22—Mw2/Wi с размерностью индуктивности, не имеющая в общем случае явного физического смысла, может иметь в некоторых конструкциях отрицательное значение, но в литературе часто называется индуктивностью рассеяния вторичной 06МОТКИ. Трансформаторы тока работают в режимах, близких к КЗ на вторичных зажимах. Поэтому индуктивность нагрузки LH может быть соизмерима с расчетной L2s и правильное

Z2 = R2 + jX2 - комплексное сопротивление вторичной обмотки; R2 - активное сопротивление; Х2 — uLa2 - индуктивное сопротивление рассеяния вторичной обмотки; La2 — w2A.o2 - индуктивность рассеяния вторичной обмотки; Аа2 - магнитная проводимость рассеяния вторичной обмотки.

Из-за индуктивности рассеяния вторичной обмотки трансформатора переход тока от одного тиристора к другому происходит не мгновенно, а в течение времени, которое соответствует так называемому углу коммутации. В интервале ^ — tz работает тиристор VI; в момент tz начинается процесс коммутации тока с тиристора VI на V2, в течение которого работают оба тиристора. За счет ЭДС самоиндукции, наводимой в фазе и2а, ток ial спадает не сразу, а из u2s вычитается часть напряжения, соответствующая ЭДС самоиндукции, которая препятствует росту тока ia2 так, что сумма токов ial и ioa в момент коммутации остается равной выпрямленному току /d. К концу коммутации (момент /3)i обозначенной углом у, ток в тиристоре VI становится равным нулю, а в тиристоре V2 возрастает до значения 1а. В период коммутации выпрямленное напряжение становится меньшим и равным ил = 1/2 (н2„ + и2Ь); оно изменяется так, как показано на 4.12, б. К концу коммутации напряжение скачком возрастает до фазного напряжения ии. Следовательно, выпрямленное напряжение снижается из-за индуктивного падения напряжения, которое показано заштрихованной площадкой на 4.12,6. Среднее значение выпрямленного напряжения определяется соотношением (без учета падения напряжения на тиристоре) :

В этом случае можно выделить три потока: основной поток Ф, сцепленный как с первичной, так и с вторичной обмотками, поток рассеяния первичной обмотки Ф1р и поток рассеяния вторичной

с частью витков вторичной и первичной обмоток. На IV.1 поток рассеяния вторичной обмотки Ф82 условно показан линиями магнитной индукции, сцепленными только с витками вторичной обмотки. Поток рассеяния Ф82 создается током /2, поэтому при холостом ходе Ф8г=0.