Рассеяния соответственно

Допустимая мощность рассеяния резистора РДШ1 без изменения электрофизических свойств определяется удельной мощностью рассеяния Р0 материала пленки и площадью резистора SR:

Расчет тонкопленочных резисторов. Исходными для расчета тонкопленочных резисторов являются: 1) схемотехнические данные — номинальное значение сопротивления /?, [Ом]; допуск на номинал ±б/? [%]; расчетная мощность рассеяния резистора Pi [Вт]; 2) технологические данные и ограничения — технология нанесения пленок и формирования конфигурации; точность изготовления масок (фотошаблонов) по контуру А [мкм]; ошибка совмещения ЛС(Шм [мкм]; ошибка подпыления Азат [мкм]; погрешность удельного сопротивления у,.х [%] и геометрических размеров А/, А/7 или абсолютные среднеквадратические отклонения удельного сопротивления а,, , длины а/ и ширины а/,; 3) эксплуа-

Площадь резистора в зависимости от мощности рассеяния резистора равна

где PI и РО — номинальная и допустимая удельная мощности рассеяния резистора.

При проектировании ДУ на дискретных элементах источник стабильного тока /0 может быть выполнен с применением обычных резисторов, как показано на схеме 7.41, а. В интегральном ДУ выполнение резистора большого номинала связано со значительным расходом площади подложки интегральной микросхемы и существенным увеличением мощности рассеяния резистора (см. § 12.1). Поэтому в интегральном ДУ в качестве источника стабильного тока используют транзисторный каскад ОЭ, имеющий значительное сопротивление переменной составляющей тока.

Исходными данными для расчета являются: заданная величина сопротивления R, Ом; расчетное значение мощности рассеяния резистора Р, Вт; максимально допустимая удельная мощность рассеяния резистивной пленки Руд, Вт/см2; минимальная ширина пленки b (для резистора, 8.1, а) или со (для резистора, 8.1, б), см.

Расчет пленочных резисторов. Исходными для -расчета пленочных резисторов являются: 1) схемотехнические данные —номинальное значение сопротивления Rt [Ом]; допуск на номинал ±8R [%]; расчетная мощность рассеяния резистора Л [Вт]; 2) технологические данные и ограничения— точность изготовления масок (фотошаблонов) по контуру Д [мкм]; ошибка совмещения Асовм[мкм]; ошибка подпыления A3aT [мкм]; точность получения удельного сопротивления уРЛ%] или абсолютные среднеквадратичные отклонения удельного сопротивления оfs, длины ог и ширины 0Ь;3) эксплуатационные данные — диапазон рабочих температур AT [°C] и др.

Площадь резистора в зависимости от мощности рассеяния резистора равна

где PI и РО — номинальная и допустимая удельная мощности рассеяния резистора.

выполнение резистора с большим сопротивлением методами полупроводниковой технологии значительно увеличивает площадь подложки интегральной микросхемы и мощность рассеяния резистора.

Мощность рассеяния резистора с переменным сопротивлением указывается в технических условиях для всего проводящего элемента.

Ядг, ЯД2 — коэффициент проводимости дифференциального рассеяния соответственно статора, ротора

о; ад; ав.п — коэффициент магнитного рассеяния соответственно полюсов машины переменного тока и главных полюсов, добавочных полюсов, наконечников полюсов машин переменного тока и главных полюсов °ul > °F — среднее квадратичное отклонение соответственно фазных коммутационных напряжений, температуры обмотки

Индуктивные сопротивления самоиндукции, или, как их называют, индуктивные сопротивления рассеяния обмоток, характеризуют поля рассеяния, потоки которых сцеплены с витками каждой из обмоток в отдельности. Методы их расчета для машин различных типов имеют много общего. Поля рассеяния статора и ротора рассматривают раздельно. Потоки рассеяния каждой из обмоток, кроме того, подразделяют на три составляющие: пазового, лобового и дифференциального рассеяния. Соответственно подразделению потоков вводят понятия сопротивлений пазового, лобового и дифференциального рассеяний, сумма которых определяет индуктивное сопротивление рассеяния фазы обмотки статора или ротора. Для расчета сопротивлений рассеяния помимо размеров магнитопровода и обмоточных данных машины необходимо знать удельные коэффициенты магнитной проводимости пазового Хп, лобового Хл и дифференциального рассеяний Хд. Под удельной магнитной проводимостью понимают магнитную проводимость, отнесенную к единице расчетной длины магнитопровода с учетом ослабления поля над радиальными вентиляционными каналами:

где Хпви Хпн— коэффициенты магнитных проводимостей потоков пазового рассеяния соответственно верхней и нижней клеток, которые определяются в зависимости от конфигурации пазов верхней и нижней клеток по формулам табл. 8.32; ХД2 - коэффициент магнитной проводимости дифференциального рассеяния ротора, который определяется по (8.180); ХКЛ2 = ХЛ2 - коэффициент магнитной проводимости участков замыкающего кольца, приведенный к току ротора, который определяется по (8.178) или по (8.179).

В этих выражениях Хп „ и XniH - коэффициенты магнитной проводимости пазового рассеяния соответственно верхней и нижней клеток (рассчитываются в зависимости от конфигурации пазов по данным табл. 8.31); Хкл „, Хкл н - коэффициенты магнитной проводимости участков замыкающих колец [рассчитываются по (8.178) или (8.179)].

где йтсхн, йточн, ЬР—минимальные значения ширины резистора, обусловленные технологическими возможностями изготовления, точностью воспроизведения и мощностью рассеяния соответственно. Значение &тсхн определяется возможностями технологического процесса (см. § 4.5). Значение Ьтачн определяют из усло-

здесь 6 = 7?! (1 + TZ); с == л;0т; d = RI/XO; e = 1 + т1э где T! и т2 — коэффициенты рассеяния соответственно для статора и ротора, тх = хг1хй и та = д;2/л;о; т — общий коэффициент рассеяния,

четном столе в качестве входных независимых переменных целесообразно принять относительные параметры преобразованной схемы замещения (см. 11.2). За базовую величину удобно принять приведенное активное сопротивление ротора. В этом случае будем иметь три независимые переменные: относительное сопротивление взаимной индукции, относительное активное сопротивление обмотки статора и относительное сопротивление рассеяния соответственно, т. е.

С увеличением нагрузки двигателя растет cos qp двигателя и достигает максимального значения при нагрузке, близкой к номинальной. Это объясняется тем, что при увеличении нагрузки уменьшается доля реактивного намагничивающего тока, который составляет примерно 40 °/о номинального и от нагрузки не зависит. Активная составляющая тока зависит от нагрузки и с увеличением нагрузки растет. Прл нагрузке больше номинальной cos ф уменьшается, так как заметно увеличивается магнитный поток рассеяния. Соответственно с ростом коэффициента мощности двигателя увеличивается и его КПД (кривая ц).

где Яп,в и К„,и — коэффициенты магнитных проводимо-стей потоков пазового рассеяния соответственно верхней и нижней клеток, которые определяются в зависимости от конфигурации пазов верхней и нижней клеток по формулам табл. 6-29;

В этих выражениях Кп,в и Я,п,н — коэффициенты магнитной проводимости пазового рассеяния соответственно верхней и нижней клеток (рассчитываются в зависимости от конфигурации пазов по данным табл. 6-29); ХКл,в, Якл,н — коэффициенты магнитной проводимости участков замыкающих колец [рассчитываются по (6-176) или (6-177)].