Рассасывания избыточных

Требуется: а) рассчитать зависимости напряжения кон-

денсатора ис (t) и тока цепи / (t), если С == 0,1 мкФ; б) подобрать емкость конденсатора так, чтобы время переходного процесса не превышало 5 мс; в) рассчитать зависимости напряжения конденсатора и тока цепи от времени, если в качестве конденсатора используется варикап с UCu = 24 В и С„ = 10 пФ.

Требуется: а) рассчитать зависимости тока цепи i (t) и напряжения катушки UL((), если ?=10 мГн; б) подобрать индуктивность катушки, чтобы время переходного процесса не превышало 1 мс; в) рассчитать зависимость тока в цепи от времени, если в качестве L используется катушка с числом витков w — 100 и магнитным сердечником из литой стали, для которого Вн — 1,3 Т; Ня = = 1400 А/м; S = 4- Ю-4 м2; / --= 0,2 м.

Требуется: а) рассчитать зависимости активной и реактивной мощности, тока и коэффициента мощности от сопротивления резистора при?=100мГн; б) рассчитать зависимости напряжений на резисторе и катушке, тока и коэффициента мощности от индуктивности катушки при R =10 Ом; в) выбрать такое соотношение между активным и реактивным сопротивлением цепи, чтобы вы-

Требуется: а) рассчитать зависимости магнитного потока и индуктивности катушки от тока обмотки; б) определить, какое активное сопротивление должна иметь обмотка, чтобы при токе в ней /=0,8 sin314? добротность была не менее 10.

Требуется: а) рассчитать зависимости тока от напряжения рабочей обмотки при /у = 0 и /у=0,25 А; б) построить графики мгновенных значений переменного магнитного потока и напряжения рабочей обмотки при />--== 0,25 А и 1р = 2зшЗШ(А).

Требуется: а) рассчитать зависимости тока, мощности потерь и коэффициента мощности в режиме холостого хода от изменения напряжения Ui=(0,5—1,1) ?/ш; б) определить активную и реактивную составляющие напряжения короткого замыкания; в) рассчитать зависимости изменения вторичного напряжения от коэффициента мощности Д«(созф2) при р = 0,8; Г) найти зависимость КПД от коэффициента нагрузки т](3) при cos ф2 = 0,92.

Требуется: а) рассчитать зависимости тока и напряжения нагрузки от напряжения на входе выпрямителя; б) определить КПД выпрямителя при номинальном токе в нагрузке /„ = 8 А.

Требуется: а) рассчитать зависимости тока и выходного напряжения от входного напряжения; б) определить коэффициент стабилизации и изменения выходного напряжения при подключении стабилизатора к источнику с напряжением 15±1,5 В.

ными трехполюсниками. Например^ схема 20.41 может быть4 заменена эквивалентным трехполюсником, зажимы которого совпадают с узлами 1, 2 и 3. Для эквивалентного трехполюсника нетрудно рассчитать зависимости ых (г", г") и «2 (i1, i"), где i' == = zi + ia, i" = h + Ч- С этой целью между узлами 2 и 3 присоединяют источник тока J" — i" и рассчитывают зависимость u± (^ -f-+ ia, J") для различных значений J". Присоединяя источник тока J' = i' между узлами / и 3, можно рассчитать зависимость ы2 (/', h ~Ь h) Для различных значений J'.

Выражения (4. 134. ..4. 141) позволяют при известных грнач, 8, /о, q, Втл. заданном характере изменения скорости во времени рассчитать зависимости изменения радиуса рулона, момента инерции и динамических моментов от времени ( 4.75).

Для выяснения причин, приводящих к увеличению реактивной мощности системы электропривода относительно мощности, потребляемой двигателем, необходимо произвести расчет мощностей по первым гармоникам напряжений и токов, а методом гармонического анализа напряжения статора рассчитать зависимости угла смещения первой гармоники напряжения на статоре относительно напряжения сети в функции угла открытия тиристоров при разных скоростях. На 3.34 показана зависимость угла смещения от утла открытия тиристоров для двигателя типа 4A200L6.

ствием, так как при протекании туннельного тока время туннели-рования электронов сквозь потенциальный барьер р — п-перехода чрезвычайно мало, а процессы накопления и рассасывания избыточных носителей отсутствуют. Схема замещения обращенного диода аналогична схеме замещения туннельного диода ( 5.27),

Быстродействие элемента определяется временами перезарядки паразитных емкостей схемы и временами рассасывания избыточных зарядов в насыщенных транзисторах. При значениях паразитных емкостей эмиттерных и коллекторных р-л-переходов, примерно равных 0,5 — 2,0 пФ, и емкостях нагрузки 5 пФ при 5=50, Л/=0,2 среднее время задержки составляет 10 — 20 не для Р— l-f-10 мВт

В качестве импульсных диодов используются точечные, плоскостные и микроплоскостные диоды. Исходный материал выбирают с малым временем жизни носителей заряда, т. е. с высокой концентрацией примесей. Благодаря этому удается получить малое время рассасывания избыточных носителей заряда.

Из-за инерционности процессов накопления и рассасывания избыточных носителей в базах открывание и закрывание тиристора происходит с некоторым запаздыванием, для описания которого используют параметры:

Для предупреждения появления «сквозных» токов в схему мощного усилителя вводят дополнительные элементы, задерживающие очередное открытие одного транзистора, пока закончится процесс рассасывания избыточных носителей в цепи базы другого (закрываемого) транзистора. При этом образуется промежуток времени, когда выходное напряжение равно нулю («пауза на нуле»).

Описанный элемент памяти применяется в микросхемах памяти ТТЛ с невысокой степенью интеграции (порядка 4 Кбит). Его недостаток заключается в невысоком быстродействии. Время записи (от момента поступления импульса выборки на шину X' до установки триггера в нужное состояние) велико из-за процесса рассасывания избыточных неосновных носителей в транзисторе, переключающемся из режима насыщения в закрытое состояние. Время считывания велико вследствие малого тока /сч.

После рассасывания избыточных носителей коллекторный переход смещается в обратном направлении и, когда напряжение на переходе достигает нескольких единиц фт, происходит спад тока коллектора. Начинается стадия формирования среза выходного импульса.

Переходные процессы в триггере, аналогично транзисторному ключу, складываются из процессов нарастания и спада коллекторного тока в транзисторе, а также рассасывания избыточных носителей из области базы в запираемом транзисторе. Кроме этого, в триггере имеет место так называемый регенеративный процесс (процесс переброса), когда транзисторы схемы находятся в активном режиме.

Стадия рассасывания избыточных носителей, накопленных у р-п переходов, количественно характеризуется временем рассасывания tvac, определяемым как время, прошедшее с момента подачи запирающего импульса до момента смещения р-п переходов в обратном направлении. В схемах на униполярных транзисторах эта стадия отсутствует. После запирания р-п переходов и перекрытия канала униполярного транзистора начинается стадия формирования среза выходного импульса, которая количественно характеризуется двумя величинами: временем задержки /а, определяемым как время, в течение которого срез выходного импульса изменяется на 0,1 от своего амплитудного значения, и длительностью среза выходного импульса tcp, представляющей собой время, в течение которого выходной импульс спадает от 0,9 до 0,1 своего амплитудного значения.

После рассасывания избыточных носителей коллекторный переход смещается в обратном направлении. Когда напряжение на переходе достигает нескольких единиц фг, ток коллектора резко спадает и начинается стадия формирования среза выходного импульса.

В параллельном ограничителе иногда наблюдается выброс на вершине импульса. Образование этого выброса объясняется модуляцией объемного сопротивления базы т^ вызываемой накоплением носителей заряда в базе. Накопление носителей заряда является также причиной расширения выходного импульса: в течение рассасывания избыточных носителей диод продолжает проводить, поэтому выходное напряжение практически остается постоянным (несмотря на изменение входного