Распределенности параметров

12.20. У транзистора при токе эмиттера /э=1 мА и и Г=300 К распределенное сопротивление базы г'б= =200 Ом, коэффициент передачи тока базы /i2ia=50. Сопротивление источника сигнала /?г=600 Ом. Определить: а) коэффициент шума транзистора; б) оптимальное сопротивление источника сигнала.

В этих формулах: гб — распределенное сопротивление базы; /К0 — ток коллектора при нулевом токе базы; /к — ток коллектора; /в — ток эмиттера; а <=> /в//„ — коэффициент передачи тока.

б) площадь базы определяет емкость перехода база — коллектор и распределенное сопротивление базовой области;

где Ска — барьерная емкость активной части коллекторного перехода; RK — сопротивление высокоомного коллекторного слоя под этой частью перехода; ГБ — поперечное распределенное сопротивление базового слоя под эмиттером в пассивной базе.

распределенное сопротивление канала, а также неосновные емкости структуры.

Таким образом, построенной модели униполярного транзистора с управляющим р—п переходом соответствует эквивалентная схема, показанная на 3.20. Распределенные емкости ее С1 и С2 определяют по формулам (3.88) или (3.90), распределенное сопротивление RK — по формулам (3.89) или (3.91), а зависимый источник тока — по формулам (3.86) и (3.87).

где re — распределенное сопротивление базы, измеренное без учета диффузионной составляющей, обусловленной влиянием напряжения коллектора на эмиттерный переход.

Принцип действия полевого транзистора не связан с инжекцией неосновных носителей заряда в базу и их относительно медленным движением до коллекторного перехода. Полевой транзистор — это прибор без инжекции. Поэтому инерционность и частотные свойства полевого транзистора с управляющим переходом обусловлены инерционностью процесса заряда и разряда барьерной емкости p-n-перехода затвора. Напряжение на затворе измениться мгновенно не может, так как барьерная емкость р-п-перехода затвора перезаряжается токами, проходящими через распределенное сопротивление канала и через объемные сопротивления кри-

структуры 2.21,6 — около 63x100 мкм. Увеличение площади базы « использование второго вывода позволяют уменьшить распределенное сопротивление базовой области и, следовательно, улучшить частотные свойства транзистора. Базовые выводы выполняют в виде металлизированных прямоугольных полосок. Изолирующий р-п-переход (переход подложка — коллектор) полностью ограничивает внутреннюю структуру транзистора. Между этим переходом и границей базовой области формируется металлизированный вывод коллектора.

где rg — распределенное сопротивление базы, измеренное без учета диффузионной составляющей, обусловленной влиянием напряжения коллектора на эмитгер-ный переход; Rr — выходное сопротивление генератора; ср, — температурный потенциал (см. раздел 3.2).

СЭ дает возможность визуализировать трещины образцов и их зародыши. В некоторых случаях неодновременность «зажигания» ЭЛ по поверхности образца при увеличении тока позволяет обнаружить локализованные утечки и определить их природу (дефект р—ге-пере-хода, следы металлизации на торце). Увеличивая далее прямой ток, можно определить границу диапазона токов, после которой начинает проявлять себя распределенное сопротивление СЭ. Неоднородность свечения образца указывает на причину появления распределенного сопротивления —• плохое растекание по фронтальной полупроводниковой области или по контактной сетке. Однако однородность свечения не гарантирует отсутствия омических потерь в СЭ, поскольку может иметь место падение напряжения на контактном сопротивлении. Его значение определяется по измерениям прямого падения напряжения, производимым одновременно с наблюдениями ЭЛ. Приведенные рассуждения легли в основу простой экспрессной методики выходного контроля арсенид-галлиевых СЭ, в том числе предназначенных и для преобразования сильноконцентрированного солнечного излучения, предложенной в работе [24]. Она включает в себя лишь измерение фототока под маломощным имитатором солнечного излучения для определения абсолютной токовой чувствительности СЭ и наблюдение пространственного распределения интенсивности ЭЛ при предполагаемом рабочем значении тока с одновременным контролем прямого падения напряжения на СЭ.

Интересно сравнить форму нагрузочных ВАХ, рассчитанных по эквивалентным схемам прямоугольного и круглого СЭ. Полагаем и в том, и в другом случае RK=0. Тогда контактная сетка на поверхности круглого СЭ ( 2.15) может рассматриваться просто как некоторое распределенное сопротивление, так же как и слоевое сопротивление в случае прямоугольного СЭ ( 2.4). На 2.16 линией 1 показана кусочно-линейная аппроксимация идеальной нагрузочной ВАХ р — га-перехода СЭ, линией 2 — ВАХ СЭ в присутствии омических потерь на сосредоточенном последовательном сопротивлении, линией 3 — ВАХ при чисто распределенных потерях в прямоугольной геометрии СЭ и линией 4 — при распределенных потерях в круглой геометрии. Исходные данные для расчета подбирались так, чтобы последние точки излома ВАХ на уровне /ф совпадали. Для всех линий штриховой чертой показано искусственное разделение последних точек излома на две — на уровне /ф и на уровне 0.95/ф. Из сравнения нагрузочных ВАХ 2—4 видно, что распределенный характер омических потерь приводит к более выпуклой форме ВАХ, чем это можно получить на основании анализа однозвенной эквивалентной схемы СЭ с последовательным сопротивлением. В то же

Сначала проведем анализ переходных режимов в системе динамического торможения с электродвигателем постоянного тока без учета распределенности параметров колонны. Режим динамического торможения представляет наибольший интерес в связи с тем, что система является существенно нелинейной, поток возбуждения двигателя здесь изменяется в наибольших пределах, в этом режиме требуется наиболее высокое быстродействие системы возбуждения. К этому следует добавить, что система динамического торможения исследована в значительно

В примере 1.14 подробно иллюстрируются различные способы учета распределенности параметров при определении сопротивления и проводимости П-образной схемы замещения линии электропередачи длиной до 1000 км при различных допущениях. Полученные результаты специфичны для линий сверхвысокого напряжения относительно большой протяжённости. Для линий же районных и местных электрических сетей, длина которых не превышает 200 км, в учете распределенности параметров нет практической необходимости и, кроме того, могут быть использованы более простые модификации полной схемы замещения, рассмотренные в примерах 1.15 и 1.16.

метры которой были найдены в примере 1.12, при вариа* ции ее длины от 250 до 1000 км при различных способах учета распределенности параметров и при допущениях об отсутствии потерь на корону (go = Q) и представлении ее как линии без потерь (/"о = 0, go = 0).

учет распределенности параметров 36—41

Нужно заметить, что в некоторых случаях, например при использовании быстродействующих устройств (регуляторов возбуждения, действующих в зависимости от изменения первой и второй производных регулируемых величин) в протяженных передачах (более 1000 км), может появиться необходимость в одновременном рассмотрении электромеханических и волновых процессов. Применение быстрого регулирования гидротурбин может привести к необходимости учета волновых процессов в трубопроводах одновременно с рассмотрением переходных электромеханических процессов. Однако пока практической необходимости в точных решениях, учитывающих и волновые, и электрические, и механические распределенные параметры, не возникало. При расчете сверхдальних электропередач должны специально выявляться случаи, когда учет распределенности параметров подлежит особому обсуждению.

При учете распределенности параметров линии эффективность компенсации зависит от расположения компенсирующих устройств вдоль линии и от величины включенных в линию реакторов, осуществляющих параллельную компенсацию.

Необходимость учета активных сопротивлений и емкостных проводи-мостей элементов системы электроснабжения, распределенности параметров воздушных линий и влияния вытеснения тока в проводниках на активные и индуктивные сопротивления элементов системы электроснабжения значительно усложняют расчеты уровней высших гармоник. Поэтому такие расчеты выполняют на ЭВМ [15, 16].

Уменьшить индуктивное сопротивлении линии можно, применяя продольную (емкостную) компенсацию реактивного сопротивления ВЛ, которая осуществляется последовательным включением в линию статических конденсаторов. При этом эквивалентное сопротивление линии (без учета распределенности параметров) определится как

электроэнергетической системы. Это в первую очередь учет распределенности параметров и волновых свойств линии, необходимость применения специальных устройств и мероприятий для управления режимом линии и увеличения передаваемой по ней мощности. Указанные особенности линии сверхвысокого напряжения требуют более подробного рассмотрения данного элемента электроэнергетической системы.

Учет распределенности параметров. В линиях сверхвысокого напряжения появляется необходимость в той или иной мере учитывать волновой характер передачи электроэнергии. При этом анализ работы подобных электропередач должен основываться на представлении линии длиной / как цепи с распределенными параметрами ( 7.1),

8. Учет распределенности параметров. Быстрые и медленные процессы. Диапазон изменения длительности и скорости протекания переходных электромеханических процессов очень велик (см. гл. 1, 1.6). В любом из процессов можно выделить такие, которые по отношению к основному (изучаемому) процессу или переходному режиму в целом можно считать быстрыми. Электромагнитные переходные процессы в генераторах и трансформаторах, равно как и изменения (мгновенные значения) с частотой 50 Гц тока и напряжения, будут быстрыми по сравнению с электромеханическими процессами (1—3 Гц). Эти процессы будут, в свою очередь, быстрыми по отношению к процессам, учитывающим влияние турбин и'котлов. Разделение на быстрые и медленные процессы иногда используется при исследовании систем, амеющих дифференциальные уравнения, содержащие коэффициенты при произ-