Распределение светового

Заметим, что исходная фукция f(n) может представлять различные процессы и понятия: функции времени для детерминированных процессов, функцию распределения состояний системы, распределение состояний системы. В последнем случае функцию f,(2) с учетом замены г да г~' в научной литературе чаще называют производящей функцией [6].

Таким образом, задача об отыскании полной функции распределения частиц по состояниям сводится к отысканию функции g (E) dE, описывающей распределение состояний по энергиям; и функции / (Е), определяющей степень заполнения этих состояний частицами. Определим сначала функцию g (E) dE.

пературные зависимости сечений захвата электронов состояниями в запрещенной зоне а-& : Н. Изучение фотопроводимости методом види-кона позволяет оценить основные параметры, влияющие на фотопроводимость: эффективность генерации носителей, пробег носителей, дрейфовую скорость. С помощью этого метода можно также эффективно определять и изучать распределение состояний в запрещенной зоне a-Si: Н.Наконец, метод пикосекундной нестационарной дифракционной спектроскопии внес определенную ясность в динамику возбужденных носителей в аморфных полупроводниках, в частности для процесса фото потемнения халькогенидного стекла As2S3, а также оптически освещенного a-Si: Н, полученного в тлеющем разряде.

Все расширяющимся перспективам применения аморфного, поликристаллического кремния посвящена гл. 6, в которой рассмотрены экспериментальные достижения и теоретические разработки в области создания тонкопленочных полевых транзисторов на период до 1983 г. Наблюдаемые характеристики транзисторов на основе аморфного кремния качественно объясняются теорией, которая рассматривает непрерывное распределение состояний в запрещенной зоне аморфного кремния. Показано, что тонкопленочные транзисторы на основе как аморфного, так и поликристаллического кремния могут с успехом использоваться в плоскопанельных дисплеях большой площади. В гл. 6 описана также разработка тройного аморфного сплава Si-Ge-B с проводимостью, превышающей проводимость легированного аморфного' кремния. Малая высота барьеров для дырок в контакте аморфный сплав/кремний позволяет успешно использовать его для создания высокочастотных диодов, с малыми потерями.

с частотой модуляции. Поэтому энергетическое распределение состояний в запрещенной зоне можно рассчитать из спектра фазового сдвига, построенного в зависимости от частоты модуляции. Одним из преимуществ этого метода является то, что измерения можно проводить на образце с компланарной конфигурацией металлических переходов без каких-либо структур перехода в условиях термического квазиравновесия. Поэтому метод не подвержен воздействию кинетики избыточных носителей с неравновесным распределением, вводимых в область пространственного заряда материалов с низкой подвижностью. Сообщались экспериментальные результаты, полученные на нелегированных пленках a-Si:H методом спектроскопии фазового сдвига модулированного фототока, в которых снималось распределение состояний в "хвосте", имеющее "скачок"" примерно на 0,6 эВ ниже порога подвижности зоны проводимости [94].

где Fa(E) и Fm(E) - заселение уровней электронами с энергией Е в моменты t = О и : = о» соответственно; g(E) - распределение состояний (уровней) в запрещенной зоне; еп (ер) - скорости тепловой эмиссии электронов (дырок); t'c -

Рассмотрены экспериментальные и теоретические достижения в области исследования тонкопленочных транзисторов на основе аморфного кремния (a-Si-ТПТ). Наблюдаемые характеристики приборов объясняются на основе теории, учитывающей распределение состояний в запрещенной зоне для массивного a-Si. Определены также основные факторы, определяющие совершенство приборов. Представлены детали процессов производства приборов и последние достижения технологии, которые улучшают свойства отдельных приборов. На основе широких исследований статических и динамических характеристик, а также надежности a-Si-ТПТ высказывается предположение о перспективности применения тонкопленочных приборов большой площади. Описаны некоторые характеристики панелей дисплеев на жидких кристаллах с a-Si-ТПТ.

пературные зависимости сечений захвата электронов состояниями в запрещенной зоне а-& : Н. Изучение фотопроводамости методом види-кона позволяет оценить основные параметры, влияющие на фотопроводимость: эффективность генерации носителей, пробег носителей, дрейфовую скорость. С помощью этого метода можно также эффективно определять и изучать распределение состояний в запрещенной зоне a-Si: Н.Наконец, метод пикосекундной нестационарной дифракционной спектроскопии внес определенную ясность в динамику возбужденных носителей в аморфных полупроводниках, в частности для процесса фото потемнения халькогенидного стекла As2S3, а также оптически освещенного a-Si: Н, полученного в тлеющем разряде.

Все расширяющимся перспективам применения аморфного, поликристаллического кремния посвящена гл. 6, в которой рассмотрены экспериментальные достижения и теоретические разработки в области создания тонкопленочных полевых транзисторов на период до 1983 г. Наблюдаемые характеристики транзисторов на основе аморфного кремния качественно объясняются теорией, которая рассматривает непрерывное распределение состояний в запрещенной зоне аморфного кремния. Показано, что тонкопленочные транзисторы на основе как аморфного, так и поликристаллического кремния могут с успехом использоваться в плоскопанельных дисплеях большой площади. В гл. 6 описана также разработка тройного аморфного сплава Si-Ge-B с проводимостью, превышающей проводимость легированного аморфного' кремния. Малая высота барьеров для дырок в контакте аморфный сплав/кремний позволяет успешно использовать его для создания высокочастотных диодов, с малыми потерями.

с частотой модуляции. Поэтому энергетическое распределение состояний в запрещенной зоне можно рассчитать из спектра фазового сдвига, построенного в зависимости от частоты модуляции. Одним из преимуществ этого метода является то, что измерения можно проводить на образце с компланарной конфигурацией металлических переходов без каких-либо структур перехода в условиях термического квазиравновесия. Поэтому метод не подвержен воздействию кинетики избыточных носителей с неравновесным распределением, вводимых в область пространственного заряда материалов с низкой подвижностью. Сообщались экспериментальные результаты, полученные на нелегированных пленках a-Si:H методом спектроскопии фазового сдвига модулированного фототока, в которых снималось распределение состояний в "хвосте", имеющее "скачок"" примерно на 0,6 эВ ниже порога подвижности зоны проводимости [94].

где fa(E) и Fm(E) - заселение уровней электронами с энергией ?" в моменты t = О и f = <*> соответственно; g(E) - распределение состояний (уровней) в запрещенной зоне; еп (е„) - скорости тепловой эмиссии электронов (дырок); Ь'с -

Рассмотрены экспериментальные и теоретические достижения в области исследования тонкопленочных транзисторов на основе аморфного кремния (a-Si-ТПТ). Наблюдаемые характеристики приборов объясняются на основе теории, учитывающей распределение состояний в запрещенной зоне для массивного a-Si. Определены также основные факторы, определяющие совершенство приборов. Представлены детали процессов производства приборов и последние достижения технологии, которые улучшают свойства отдельных приборов. На основе широких исследований статических и динамических характеристик, а также надежности a-Si-ТПТ высказывается предположение о перспективности применения тонкопленочных приборов большой площади. Описаны некоторые характеристики панелей дисплеев на жидких кристаллах с a-Si-ТПТ.

Распределение светового потока в пространстве характеризуется силой света. Силой света / называется отношение светового потока к телесному углу, в котором он излучается

Входное напряжение Ux ( 6.28, а) вызывает ток /г в цепи гальванометра / и отклонение его зеркала, освещаемого лампой 2 через конденсор 3. При этом распределение светового потока, падающего на фоторезисторы ФСг и ФС2, включенные по дифференциальной схеме и питаемые от постороннего источника постоянного тока, изменяется так, что ток в одном из них возрастает, а в другом уменьшается. Вследствие этого в цепи нагрузки /?н появляется разностный ток /к, значение которого устанавливается таким, чтобы он, проходя по сопротивлению /?к, создавал на нем падение напряжения UK = /„/?„, близкое к значению Ux и противоположно ему направленное; этот ток и является мерой Ux.

пространственное распределение светового потока. Отра-

Распределение светового потока реального источника излучения в окружающем пространстве обычно неравномерно. Поэтому световой поток еще не может являться исчерпывающей характеристикой источника, если одновременно не определяется распределение излучения по различным направлениям окружающего пространства.

1-7. Распределение светового потока по спектру. Цветность излучения

Согласно ГОСТ 6825-70 цветность излучения люминесцентных ламп регламентируется предельно допустимыми отклонениями координат цветности (табл. 3-7), а для ламп ЛДЦ регламентируется относительное распределение светового потока по зонам видимой области спектра (табл. 3-8), что более правильно определяет качество цветопередачи люминесцентных ламп.

В основу светотехнической классификации светильников, разработанной Ю. Б. Айзенбергом и Г. М. Кноррин-гом, положено два признака: распределение светового потока, излучаемого светильником, между нижней и верхней полусферами окружающего светильник пространства и форма кривой силы света.

Распределение светового потока, излучаемого светильником в нижнюю и верхнюю полусферы окружающего светильник пространства, и форма кривой силы света являются основными показателями, определяющими выбор светильника для освещения производственных помещений различной высоты и с разными отражающими свойствами поверхностей, ограничивающих заданное помещение.

1-7. Распределение светового потока по спектру. Цветность излучения.................... 29

Люминофоры экранов преобразователей должны быть стойкими по отношению к нагреву до +350ч-+ 400° С, т. е. не менять своих свойств при изготовлении преобразователя. Наиболее часто сейчас применяются следующие составы: цинк-сульфиды и селениды; кадмий-сульфиды и селениды; силикат цинка (виллемит). Спектральное распределение светового излучения экрана зависит от количественных соотношений между ними и обработки этих материалов. Если прибор работает с глазом, то максимум спектральной характеристики экрана стремятся совместить с максимумом чувствительности глаза (0,560 мк).