Распределение напряженности электрического

26. Распределение напряженности электрического поля в кристалле полупроводника с отрицательной дифференциальной проводимостью под действием внешнего напряжения

Ток абсорбции приводит к накоплению носителей заряда в определенных местах диэлектрика - дефектах решетки, границах раздела, неоднородностях. Вследствие появления объемных зарядов распределение напряженности поля в диэлектрике становится неоднородным. Накопление в диэлектрике объемных зарядов приводит и к такому нежелательному явлению, как неполный разряд конденсатора при коротком замыкании его обкладок, характеризуемый коэффициентом абсорбции, равным отношению остаточного напряжения к начальному.

4-1. Система 11:1 двух весьма широких шин с противоположно направленными токами и распределение напряженности магнитного поля при {•---- 0 и f > О

Распределение напряженности поля по объему тела позволяет найти внутренние источники тепла, суммарную выделяющуюся мощность и, следовательно, приведенное активное сопротивление, а распределение зарядов на электродах —- емкость загруженного

Распределение напряженности электрического поля

модели распределение напряженности поля Я — fH (х, у, z), a также объемной плотности магнитной энергии w не воспроизводится, в дальнейшем эта модель называется неполной линейной макромоделью магнитного поля. Обоснование этой модели (модели Ампера) дано в [1, с. 280], где показано, что для воспроизведения в немагнитной среде с проницаемостью цс найденного распределения индукции ~В = fB (х, у, z) = \iH [\i =-- fi0fir = ц (х, у, г)] к заданному распределению макротоков с объемной плотностью / — rot Н (см. 1.9, а) необходимо добавить некоторые дополнительные макротоки с объемной плотностью

На 1.16, б представлено распределение напряженности поля и индукции вдоль оси х для магнитной проницаемости материала проводов [1 > (V Посередине между проводами поле минимально, но в нуль не обращается. Поле также не равно нулю на осях проводов. На внутренней стороне проводов напряженность поля и индукция

Распределение напряженности в момент t == 0 изображается кривой прямоугольного вида, которая аналитически может быть представлена следующим рядом Фурье:

Интегрируя (5.141), получаем распределение напряженности электрического поля в дуговом промежутке:

газ в этом промежутке в плазму с плотностью ионов, гораздо большей, чем в канале лидера. Распределение напряженности поля в промежутке в этот момент времени при отрицательной полярности стержня показано на 2-9. Большая напряженность на границе вновь образовавшегося канала обеспечивает быстрое распространение зоны интенсивной ионизации по направлению к стержню. Этот процесс, который развивается от плоскости к стержню, т. е. в направлении, противоположном движению стримера, со скоростью около 107 м/с, обычно называют обратным (или главным) разрядом. Обратный разряд создает между электродами канал, обладающий очень высокой проводимостью.

означающее, что распределение напряженности в изоляции определяется только удельными объемными сопротивлениями слоев. Изменение напряженностей ?х и ?2, а также токов ?х и ?2 во времени происходит по экспоненциальному закону ( 10-7).

26. Распределение напряженности электрического поля в кристалле полупроводника с отрицательной дифференциальной проводимостью под действием внешнего напряжения

Распределение напряженности электрического поля

Интегрируя (5.141), получаем распределение напряженности электрического поля в дуговом промежутке:

§ 2.5. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И ПОТЕНЦИАЛА В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОМ ПЕРЕХОДЕ

При отсутствии токов распределение напряженности электрического поля и потенциала в p-n-переходе можно найти, решив уравнение Пуассона

Соотношение (2.12) дает возможность найти распределение напряженности электрического поля или градиента потенциала в р-н-переходе с любым характером изменения в нем разности концентраций доноров и акцепторов. Если для этого уравнения учесть граничные условия (2.11), то

Распределение напряженности электрического поля в резком несимметричном м+-р-переходе линейно (2.18), и практически вся область объемного заряда расположена в слаболегированной области полупроводника (2.22). Тогда в соответствии с (2,18) и с учетом изменения принятого начала координат (б«6р)

3.57. Структура лавинно-пролетного диода (а), распределение напряженности электрического поля по структуре (б) и положение рабочей точки (постоянного смещения) на ВАХ (в)

Принцип действия при этом режиме работы связан с тем, что скорость перераспределения электрического поля в структуре диода может значительно превышать скорость дрейфа носителей заряда. На 3.59 показано распределение напряженности электрического поля в слаболегированной n-области р+-п-п+-структуры лавинно-пролетного диода в различные моменты времени после включения диода на обратное напряжение, превышающее пробивное напряжение. В первый момент (t\) напряженность электрического поля максимальна около металлургической границы. Именно здесь из-за ударной ионизации начинается образование электронно-дырочной плазмы.. Это приводит к перераспределению электрического поля в п-области.

3.59. Распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области р-гс-перехода в различные моменты времени при работе лавинно-пролетного диода в режиме с захваченной плазмой

При напряжении насыщения (Л-.инас происходит перекрытие канала около стока и дальнейшее увеличение напряжения на стоке вызывает очень малое увеличение тока стока. Распределение напряженности электрического поля у поверхности полупроводника при напряжении на стоке, превышающем напряжение