Распределение концентраций

Формирование теплового поля при пайке ИК-излучением проводится при помощи различных по геометрии отражателей (рефлекторов). Для фокусирования излучения в точке или вдоль линии применяют отражатели эллиптической формы, в ближнем фокусе которого помещается источник, а в дальнем — объект нагрева. Равномерное распределение излучения по поверхности изделия достигается использованием отражателей параболической или гиперболической формы. Рефлекторы изготавливают из хорошо обрабатываемого материала (медь, латунь, алюминий), а их внутренние поверхности полируют. Длительная и непрерывная работа рефлекторов обеспечивается охлаждением внутренних полостей проточной водой; расход воды составляет 0,3 ...0,5 л/мин. Использование РЖ-излучения для пайки на ПП поверхностно-монтируемых элементов позволяет проводить соединения как индивидуальным, так и групповым методами. Разделение при групповой пайке зоны обработки на два участка (на первом производится предварительный нагрев и выравнивание температур платы и компонентов, а на втором — пайка под действием мощного импульса энергии) позволяет уменьшить брак из-за возникновения в соединении больших внутренних напряжений. Для ограничения зоны нагрева и снижения температурного влияния излучения на паяные ЭРЭ применяют защитные маски из металла. На качество паяного соединения важную роль оказывает размер галтели припоя. Эта галтель должна обеспечить равномерную передачу термических и механических напряжений от платы к керамическим пассивным элементам. Рекомендуется массу припоя регулировать таким образом, чтобы размеры галтели не превышали 2/3 полной толщины компонента. При большем размере могут произойти отслаивания торцевого электронного вывода или возникнуть напряжения вблизи верхних углов галтели и в керамике.

Спектральные приборы характеризуются следующими основными параметрами: рабочим спектральным интервалом, дисперсией, зависимостью дисперсии от длины волны, разрешающей способностью в рабочем интервале. Дисперсия прибора характеризует пространственное распределение излучения по длинам волн. Различают линейную и угловую дисперсии. Линейная дисперсия определяется расстоянием d/ в фокальной плоскости прибора между двумя линиями спектра, которые различаются по длине волны на dA,. Линейная дисперсия d//dX выражает линейную ширину единичного спектрального интервала. Обычно используется обратная линейная дисперсия dh/dl, которая показывает, какой спектральный интервал соответствует линейной единице. Для ряда промышленных оптических приборов в видимой области спектра обратная линейная дисперсия находится в интервале от единиц до сотен ангстрем на миллиметр. Угловая дисперсия характеризует угловое расхождение линий, имеющих близкие длины волн.

Пирометры частичного излучения. На спектральное распределение излучения тела влияют линзы, зеркала, детали оптики, а также фильтры. Если пирометр имеет селективный фильтр или селективный приемник излучения, то он является пирометром частичного излучения.

Пирометры частичного излучения. На спектральное распределение излучения тела влияют линзы, зеркала, детали оптики, а также фильтры. Если пирометр имеет селективный фильтр или селективный приемник излучения, то он является пирометром частичного излучения.

где п — оптический показатель преломления материала СЭ. Физически г"0 выступает здесь как «фототок, генерируемый собственным тепловым излучением полупроводника». Для его вычисления использовано спектральное распределение излучения абсолютно черного тела при температуре, равной температуре СЭ, причем вклад в i0 дают фотоны с hv > EQ материала СЭ. Полученное, например, для кремния при Г = 300 К минимально допустимое значение i0 составляет г™пя» 1.4-10~15 А-см~2, а для арсеиида галлии при тех же условиях г0Ш1П ?а 2.2- 10~20 А-см~2. Аналогично можно найти значения г„ для других материалов. Значения п для полупроводников обычно составляют тг^З — 4. Далее, зная гф, можно найти UK x по (1. 51) и ?ша* по (1. 61).

1. Графоаналитический метод определения энергетических характеристик концентрирующих систем основан на геометрических построениях, которые позволяют определить отображение на приемнике пучка лучей, отраженных элементарной площадкой зеркала. При этом используется закон зеркального отражения и рассматривается либо параллельный пучок лучей, либо расходящийся с угловым размером ср0 ^ срс- Распределение излучения в пучке по направлениям принимается равномерным, а при необходимости учета неравномерности распределения отраженный пучок разделяют на ряд элементарных пучков с равномерным распределением. Глобальная геометрия зеркала задается обычно в виде идеальной математической поверхности определенной конфигурации. Анализ полученных при отслеживании распространения пучка геометрических фигур дает возможность выразить размеры элементарной площадки зеркала и отображения пучка на приемнике через одни и те же характерные параметры концентрирующей системы и найти их соотношение, определяющее элементарный геометрический коэффициент концентрации. Интегрирование последнего по всей отражающей поверхности позволяет определить среднее или локальное значение этого коэффициента на приемнике.

17. Тепляков Д. И. Перенос и распределение излучения в гелиоустановках

ства будем в дальнейшем характеризовать средним коэффициентом концентрации KG, полагая при этом, что спектральное распределение излучения после его переотражений от зеркал не изменится. Кс можно выразить через коэффициенты затенения входной апертуры ДСК гиперболоидным зеркалом Клт и держателями К3 Л1 а также коэффициент перехвата излучения Ка апертурой радиусом г„Н1. Соответствующее выражение будет иметь вид

Распределение светового потока реального источника излучения в окружающем пространстве обычно неравномерно. Поэтому световой поток еще не может являться исчерпывающей характеристикой источника, если одновременно не определяется распределение излучения по различным направлениям окружающего пространства.

Таблица 3-8 Распределение излучения ламп типа ЛДЦ по спектральным зонам

2.17. Распределение концентраций свободных носителей заряда вдоль симметричного (а) и несимметричного (б) переходов

На 2.17, а, б показано распределение концентраций свободных носителей заряда вдоль симметричного и несимметричного /г-п-переходов. Поскольку электроны и дырки представляют собой свободные подвижные носители заряда, их концентрации не могут изменяться скачком от пп до пр и от рп до рр как для жестко связанных с кристаллической решеткой атомов доноров и акцепторов. Эти изменения происходят в некоторой узкой области. Кривые

На 2.20, а, б показано распределение концентраций легирующей примеси и плотности объемного заряда р (я) в так называемом линейно-плавном р-п-переходе. При этом изменение концентрации примеси N (х) = ах, где а = grad /V (x) = = const. Решение уравнения Пуассона для толщины слоя объемного заряда в этом случае выглядит так:

2.20. Распределение концентраций легирующей примеси (а) и плотности объемного заряда р (б) в линейно-плавном переходе

?/КБ =—1 Ё распределение концентраций дырок в базе имеет вид, показанный на 8.3.

Типичное распределение концентраций примесных атомов в структуре планарно-эпитаксиального транзистора полупроводниковой ИМС показано на 2.16.

На 16.5,6 показано распределение концентраций дырок р(х) и электронов п(х) в полупроводнике. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от «-области к /7-области, как показано на 16.5, а. Это поле является тормозящим для основных носителей заряда. Теперь любой электрон, проходящий из л-области в /7-область, попадает в электрическое поле, стремящееся возвратить его обратно в электронную область. Аналсгично любая дырка, проходящая из

' терным р-п переходом и связанный с этим слоем заряд дырок, что уменьшает время рассасывания и увеличивает коэффициент передачи p/vn. Повышение концентрации акцепторов в пассивной р+-базе уменьшает заряд электронов, накапливаемых в ней при включении переключательного транзистора, снижает сопротивление пассивной базы и увеличивает (iyvn- Распределение концентраций примесей в активной области базы, создаваемое диффузией акцепторов «вверх» — из подложки (см. 7.29, в), обеспечивает ускоряющее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, тем самым уменьшается их время пролета через базу. Напомним, что в активной базовой области переключательного транзистора со структурой, показанной на 7.20, существует тормозящее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, что связано с инверсным (по отношению к обычным п-р-п транзисторам) включением этого транзистора. Для данной структуры Рд'п = 30...300, ^зд.р.ср = 2,5 не при Рср = 0,4 мВт, работа переключения в области малых токов инжектора Апер = 0,2 пДж.

1-18. Распределение концентраций зарядов при одно-полярной (а и 6) и двуполярной диффузии (в и г).

Рассчитать с удовлетворительной точностью распределение концентраций внедренных ионов для канали-лированного пучка не представляется возможным, так как в пределах угла 4я действует много деканалирую-щих факторов (тепловые колебания атомов мишени, несовершенства структуры и др.). Если отвлечься от влия-

2.5. Распределение концентраций дырок и электронов (а) п их плотности токов (б) в п-р-п транзисторе