Распределение электрических

Чтобы получить аналитическое выражение, связывающее удельное сопротивление образца с измеряемыми величинами, рассмотрим случай пластины в виде полуплоскости. Пусть на боковой поверхности пластины находятся контакты 1—4. Через контакты 1 и 4 протекает ток l\^ ( 1.14). Воспользовавшись распределением потенциала на плоскости, которое для системы двух источников тока соответствует выражению (1.9), вычислим потенциалы контактов 2 и 3:

Обычно корректировку приходится производить несколько раз, пока не будет получено распределение потенциала, совпадающее в пределах выбранной точности с заданными условиями задачи распределением потенциала на граничной кривой.

Обычно корректировку приходится производить несколько раз, пока не будет получено распределение потенциала, совпадающее в пределах выбранной точности, с заданным условиями задачи распределением потенциала на граничной кривой.

Восходящий участок реальной характеристики также несколько отличается от характеристики идеализированного диода. Реальные характеристики, как правило, идут более полого. Это объясняется главным образом неравномерным распределением потенциала и температуры по поверхности катода. В самом деле, при выводе закона степени трех вторых было принято, что потенциал катода в любой точке его поверхности остается неизменным и равным нулю (катод эквипотенциален). Мы.также считали, что удельная эмиссия по всей поверхности катода одинакова, т. е. что все точки катода имеют одну и ту же температуру (катод эквитемпера-турен). В реальных условиях ни одно из этих предположений не выполняется. В результате охлаждения концы катода и точки крепления его к специальным траверсам имеют меньшую температуру; а катоды прямого накала не эквипотенциальны.

На 8.3 сравниваются реальные и рассчитанные анодные характеристики. На 8.3, б изображен в увеличенном масштабе начальный участок кривых на 8.3, а. Рассмотрим ряд основных причин, обусловливающих отличие реальных характеристик от идеализированных. Реальные характеристики на восходящем участке, как правило, идут более полого. Это связано с неравномерным распределением потенциала и температуры по поверхности катода. Концы катода и точки его крепления к траверсам (выводам) из-за усиленного теплоотвода через выводы имеют меньшую температуру, чем середина, кроме того, прямонакальные катоды имеют падение потенциала вдоль нити накала. В результате указанных причин и режим насыщения для разных участков катода наступает при различных UA. Насыщение наступает раньше на уча-

Динатронный эффект можно устранить созданием тормозящего поля для вторичных электронов с анода с помощью сетки С3, вводимой в пространство А — С2, которая называется защитной. Распределение потенциала в пространстве катод — анод для многоэлектродной лампы с тремя сетками — пентода приведено на 10.3 и качественно совпадает с распределением потенциала для лучевого тетрода. Следует заметить, что снижение потенциала в пространстве А—С2 многоэлектродных ламп приводит также к появлению тормозящего поля для электронов с катода, которые вынуждены преодолевать потенциальный барьер. Поэтому некоторые из этих электронов возвращаются к экранирующей сетке, увеличивая ток /С2 .(режим возврата, см. § 9.2).

Восходящий участок реальной характеристики также несколько отличается от характеристики идеализированного диода. Реальные характеристики, как правило, идут более полого. Это объясняется главным образом неравномерным распределением потенциала и температуры по поверхности катода. В самом деле, при выводе закона степени трех вторых было принято, что потенциал катода в любой точке его поверхности остается неизменным и равным нулю (катод эквипотенциален). Мы.также считали, что удельная эмиссия по всей поверхности катода одинакова, т. е. что все точки катода имеют одну и ту же температуру (катод эквитемпера-турен). В реальных условиях ни одно из этих предположений не выполняется. В результате охлаждения концы катода и точки крепления его к специальным траверсам имеют меньшую температуру; а катоды прямого накала не эквипотенциальны.

шения между МДС F и распределением потенциала ф на воз-

В зоне пробоев характерным является пологое изменение импульсного поля с резким изломом на ее границе и последующим плавным уменьшением до нуля. Направление с наиболее пологим распределением потенциала до границы пробоев, т. е. до излома кривой, очевидно, ближе всего к направлению наиболее развитого канала разряда в земле с наибольшим током и наименьшим сопротивлением. Из кривых видно, что таким направлением является направление III. Кроме того, можно заключить, что первоначальное направление каналов разряда в земле сохраняется и при последующих импульсах в течение всего времени снятия осциллограмм по разным направлениям.

В зоне пробоев характерным является пологое изменение импульсного поля с резким изломом на ее границе и последующим плавным уменьшением до нуля. Направление с наиболее пологим распределением потенциала до границы пробоев, т. е. до излома кривой, очевидно, ближе всего к направлению наиболее развитого канала разряда в земле с наибольшим током и наименьшим сопротивлением. Из кривых видно, что таким направлением является направление ///. Кроме того, можно заключить, что первоначальное направление каналов разряда в земле сохраняется и при последующих импульсах в течение всего времени снятия осциллограмм по разным направлениям.

В подобном опыте можно также обнаружить любопытную особенность катодных лучей, заключающуюся в том, что направление их распространения практически не зависит от положения анода. Если бы в трубке, изображенной на 358, мы помещали анод в различных местах, то положение тени оставалось бы неизменным. Это объясняется характерным для тлеющего разряда распределением потенциала ( 356). Так как почти все падение потенциала сосредоточено в при-катодной области, то и электроны

Особую разновидность ЭЛТ представляют запоминающие трубки, предназначенные для записи сигналов на диэлектрике с последующим их воспроизведением в виде электрического сигнала, оптического изображения или того и другого. Входные электрические сигналы преобразуются в таких трубках в распределение электрических зарядов (потенциальный рельеф) по поверхности диэлектрической мишени. Потенциальный рельеф может сохраняться длительное время (от долей секунды до нескольких часов или дней) и при необходимости может быть преобразован (считан) в выходные электрические или оптические сигналы (изображения), воспроизводящие введенную информацию. Запоминающие трубки применяют в специальных осциллографах, в радиолокации, для работы с ЭВМ в АСУ. Количество считываний лежит в пределах от одного до десятков и сотен тысяч. При желании потенциальный рельеф можно уничтожить (стереть) и произвести следующую запись информации.

ства и мощности КТП 5, 6, выполняется выбор способов канализации электроэнергии 8, 9, выдаются задания на смежные части проекта 7. На основании технико-экономического сравнения вариантов производится выбор схем питающей и распределительной сетей и осуществляется расчет нагрузок по распределительным шкафам, щитам, трансформаторам. Далее выполняется распределение электрических нагрузок, их перераспределение по щитам, шкафам, РП, трансформаторам 11, окончательный выбор схемы питающей сети (магистральная или радиальная) . Все вопросы формирования основных проектных решений рассматриваются в подсистеме силового электрооборудования 2—16.

В первой главе кратко описаны основные технологические этапы изготовления полупроводниковых ИМС. Рассмотрены вопросы теплового расчета, аппроксимации уравнений в частных производных, описывающих распределение электрических и магнитных полей конструкций ИМС, а также построения математических моделей механических напряжений, возникающих в конструкциях ИМС.

Описание процессов в конструкциях БИС с помощью уравнений в частных производных. С усложнением аппаратуры все более острой становится необходимость использования математических методов, позволяющих моделировать такие физические процессы в конструкциях радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), как распределение электрических и магнитных полей между элементами, явления теплопередачи, распределение механических деформаций. Названные процессы могут быть описаны системами дифференциальных уравнений в частных производных.

7-10. Распределение электрических импульсов при приеме телеграфным аппаратом буквы «ы».

Таким образом, для приема одного знака в аппарате предусмотрено всего семь импульсов, а именно: стартовый импульс, пять рабочих кодовых импульсов и импульс остановки. Импульс остановки обычно в полтора раза длиннее кодового, а пусковой равен кодовому импульсу. На 7-10 показано распределение электрических импульсов при приеме буквы «ы».

7-10. Распределение электрических импульсов при приеме телеграфным аппаратом буквы «ы».

Поэтому сначала рассмотрим наиболее простую задачу — распределение электрических нагрузок между различными тепловыми электростанциями системы, работающими как на органическом, так и на ядерном топливе. В этом случае суммарная потребляемая мощность энергосистемы

Общей задачей расчета электрического поля является определение напряженности поля во всех его точках по заданным зарядам или потенциалам тел. В случае электростатического поля задача полностью решается отысканием потенциала как функции координат. Если полностью задано распределение электрических зарядов в однородной и изотропной среде, то решение может быть получено методом, изложенным в § 6-3. Обратная задача отыскания распределения зарядов по заданному распределению потенциала решается с помощью уравнения Лапласа и граничного усло-

Распределение электрических потенциалов (электрического поля) работающей микросхемы

Общей задачей расчета электрического поля является определение напряженности поля во всех его точках по заданным зарядам или потенциалам тел. Для электростатического поля задача полностью решается отысканием потенциала как функции координат. Если полностью задано распределение электрических зарядов в однородной и изотропной среде, то решение может быть получено методом, изложенным в § 24.3. Обратная задача отыскания распределения зарядов по заданному распределению потенциала решается с помощью уравнения Лап-