Распределения состояний

7.2. ПАРАМЕТРЫ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СЛУЧАЙНОГО ПРОЦЕССА НА ВЫХОДЕ ЛИНЕЙНОЙ ЦЕПИ

7.2. Параметры распределения случайного процесса на выходе линейной цепи............................................................................................................. 107

20.2. Функциональные преобразования одномерного распределения случайного процесса...............467

Если функция распределения случайного процесса на входе линейного фильтра отлична от Гауссовой, решающую роль в том, как он трансформируется в фильтре, играет соотношение между временем корреляции входного сигнала тк и инерционностью цепи

Известно, что одномерные функции распределения случайного процесса не дают всех сведений, необходимых для анализа его действия на инерционные цепи. Поэтому обсудим вопрос о временных свойствах узкополосного нормального шума.

20.2. Функциональные преобразования одномерного распределения случайного процесса

Необходимо определить правило расчета одномерной плотности вероятности выходного напряжения при произвольном законе распределения случайного напряжения на входе ограничителя.

Иначе обстоит дело с определением закона распределения случайного процесса на выходе линейной цепи. В общем случае при произвольном распределении процесса на входе отыскание распределения на выходе инерционной цепи представляет собой весьма сложную задачу.

При Дх=соп51 относительная погрешность квантования 8х= существенно зависит от текущего значения сигнала x(t). В связи с этим при необходимости обработки и передачи сигналов, изменяющихся в широком диапазоне, нередко используется неравномерное (нелинейное) квантование, когда шаг Дх принимается малым для сигналов низкого уровня и увеличивается с ростом соответствующих значений сигнала (например, Дх выбирают пропорционально логарифму значения x(t) ). Выбор шага Дх=хд — х 1 осуществляется еще и с учетом плотности распределения случайного сигнала (для более вероятных значений сигнала шаг квантования выбирают меньшим, для менее вероятных — большим). Таким образом удается обеспечить высокую точность преобразования при ограниченном (не слишком большом) числе разрешенных дискретных уровней сигнала x(t).

В приборах для измерения интегральной функции F(x) и плотности вероятности р(х) используются методы, основанные на связи между функциями вероятностей и временем пребывания стационарного эрго-дического процесса в интервале заданных значений х. Это можно проиллюстрировать 12.5, где представлены структурная схема измерителя интегральной функции распределения случайного стационарного эргодического процесса и графики, поясняющие ее работу.

хождения закона распределения состояний цепи на п-м шаге я™ используют соотношение

Заметим, что исходная фукция f(n) может представлять различные процессы и понятия: функции времени для детерминированных процессов, функцию распределения состояний системы, распределение состояний системы. В последнем случае функцию f,(2) с учетом замены г да г~' в научной литературе чаще называют производящей функцией [6].

Изучение распределения состояний в запрещенной зоне путем моделирования. Из полученных выше результатов Ямасаки и др. определили профили состояний в запрещенной зоне N (Е) нелегированного и легированного фосфором a-Si:H путем теоретического моделирования [73].

При расчете распределения заряда в пленке a-Si : Н предполагается следующая U-образная функция распределения состояний в запрещенной зоне:

Определение функции распределения состояний в запрещенной зоне__________^^

В настоящей статье представлены общие аспекты разработок ТПТ на основе a-Si за период до 1983 г. В разделе 6.1.2 кратко описывается теория ТПТ на основе a-Si, в которой учитываются особенности распределения состояний в запрещенной зоне массивного аморфного кремния. В разделе 6.1.3 изложены некоторые детали производства приборов, их статические и динамические характеристики и данные о надежности. Результаты исследований применения a-Si-ТПТ в панелях дисплея и логических схемах изложены в разделе 6.1.4.

Теоретический анализ a-Si-ТПТ необходим для оптимизации конструкции прибора. Несмотря на то что анализ работы полевых транзисторов с МОП-структурой на основе кристаллического кремния проведен достаточно полно, при рассмотрении a-Si-ТПТ необходимо внести много изменений, обусловленных существованием непрерывного распределения состояний в запрещенной зоне, различием в механизме переноса носителей и малой толщиной слоя a-Si. Плотность состояний в середине запрещенной зоны аморфного гидрогенизированного кремния, полу-

Изучение распределения состояний в запрещенной зоне путем моделирования. Из полученных выше результатов Ямасаки и др. определили профили состояний в запрещенной зоне ,/V (Е) нелегированного и легированного фосфором a-Si:H путем теоретического моделирования [73].

При расчете распределения заряда в пленке a-Si: Н предполагается следующая U-образная функция распределения состояний в запрещенной зоне:

Определение функции распределения состояний в запрещенной зоне__________^^

В настоящей статье представлены общие аспекты разработок ТПТ на основе a-Si за период до 1983 г. В разделе 6.1.2 кратко описывается теория ТПТ на основе a-Si, в которой учитываются особенности распределения состояний в запрещенной зоне массивного аморфного кремния. В разделе 6.1.3 изложены некоторые детали производства приборов, их статические и динамические характеристики и данные о надежности. Результаты исследований применения a-Si-ТПТ в панелях дисплея и логических схемах изложены в разделе 6.1.4.

Теоретический анализ a-Si-ТПТ необходим для оптимизации конструкции прибора. Несмотря на то что анализ работы полевых транзисторов с МОП-структурой на основе кристаллического кремния проведен достаточно полно, при рассмотрении a-Si-ТПТ необходимо внести много изменений, обусловленных существованием непрерывного распределения состояний в запрещенной зоне, различием в механизме переноса носителей и малой толщиной слоя a-Si. Плотность состояний в середине запрещенной зоны аморфного гидрогенизированного кремния, полу-