Распределения параметров

2. Определяется тип светильников (табл. 52) и их предварительное число п при наивыгоднейшем расположении. Наивыгоднейшее расстояние между светильниками или рядами светильников L к высоте подвеса над рабочей поверхностью (L/h) для получения наименьшей неравномерности распределения освещенности на горизонтальной поверхности для различных классификационных групп светильников (табл. 52) равно: (Д1) —1,3; (Д2)—0,96; (П)—0,91; (Г2)-0,77; (ГЗ) — 0,66; (Г4) — 0,57; (К1) — 0,49; (К2) — 0,42.

Явления фотопроводимости и электролюминесценции позволяют создать сравнительно простые полупроводниковые усилители-преобразователи световых изображений. На 25, б приводится схематическое устройство усилителя-преобразователя, состоящего из слоя фотополупроводника — фотослоя Ф, на который наносится слой полупроводникового люминофора Л, светящегося под действием приложенного напряжения. На внешние поверхности фотополупроводника и люминофора наносятся тонкие (полупрозрачные) слои металла, к которым подводится высокое напряжение. Если на фотополупроводник проектируется световое изображение (видимое или невидимое), то в зависимости от распределения освещенности в изображении изменяется и проводимость его отдельных участков. Вместе с этим меняется и распределение напряжения на поверхности люминофора, в результате чего отдельные его участки начинают светиться сильнее, другие слабее и возникает яркое вторичное изображение.

Величины площадей 50, Sf,-",-'Sll_1 могут быть найдены планиметрированием соответствующих диаграмм распределения освещенности по отдельным направлениям, выбранным на освещаемой поверхности.

Величины площадей 50, Si..... Sn— 1 могут быть найдены планиметрированием соответствующих диаграмм распределения освещенности по отдельным направлениям, выбранным на освещаемой поверхности.

Общее локализованное освещение предназначено для освещения помещений при необходимости получения неравномерного распределения освещенности. Это достигается применением не одинаковых по мощности светильников, неравномерно распределенных и подвешенных на разных высотах.

Приведенный метод расчета не учитывает распределения освещенности на освещаемой поверхности, поэтому не дает высокой точности расчета. Этот метод может быть использован при расчете освещения открытых пространств, когда не требуется большая точность расчета.

Рассмотрим следующие варианты: один и тот же фототек генерируется либо центральной частью СЭ, составляющей 1/3 или 2/3 общей площади, либо всей площадью СЭ, либо периферийной частью СЭ, когда 1/3 площади в центре затенена. Эти варианты схематически изображены на вставке 2.19. Важной особенностью работы СЭ при неравномерном освещении является зависимость Ux x от распределения освещенности при неизменном общем фототоке. Пусть засвечивается только центр СЭ, т. е. диод 3 на 2.15. Ясно, что в режиме холостого хода неосвещенные диоды 1 и 2 будут шунтировать фототок, т. е. вдоль контактной сетки по направлению к выходным клеммам будет течь выравнивающий ток. Возникающее падение напряжения на распрэделенном сопротивлении уменьшает UK x на выходе прибора, хотя напряжение на диоде 3 в этом случае выше, чем С7Х х

Как уже отмечалось, параметры СЭ гсэ, гк. з„> *o,i iot, Р/, А, Е , ЬЕ , Дц, Дш, ас при извесшом характере распределения освещенности на поверхности СЭ и заданном диапазоне изменения .ЙГсэ могут быть предварительно оптимизированы по критерию 7)СЭ -» -> max без сколько-нибудь заметного влияния результатов оптимизации на массу СЭ, что не противоречит критерию оптимальности СФЭУ. Поэтому они также могут считаться постоянными при оптимизации энергоустановки.

1) светораспределение (кривые распределения силы света или кривые распределения освещенности) и коэффициент усиления;

Светильники местного освещения, располагаемые в непосредственной близости от освещаемой поверхности, не могут рассматриваться как точечные излучатели. В связи с этим за характеристику светораспределения светильников местного освещения обычно принимают кривые распределения освещенности в плоскостях, перпендикулярных оси светильника и отстоящих от него на различных расстояниях.

Как уже было указано, равномерное размещение светильников предназначено для создания равномерного распределения освещенности по всей площади освещаемого помещения в целом.

Сущность метода статистических испытаний (МСИ) заключается в имитации на цифровой ЭВМ в соответствии с заданным законом распределения параметров элементов и использовании полученных значений для вычисления коэффициентов влияния. По результатам многократного моделирования оценивается математическое ожидание. Точность моделирования МСИ характеризуется числом реализаций розыгрыша случайной величины, которое определяется из выражения

Для использования МСИ необходимо иметь сведения о законах распределения параметров элементов, входящих в сборочную единицу. Весь диапазон изменения каждого параметра разбивается на k интервалов (k=l,c), и вычисление коэффициентов влия-300

метра лежит в поле допуска, оговоренном ТУ. Если плотность распределения погрешностей контроля имеет закон f(y), то плотность распределения параметров выходного потока изделий может быть записана следующим образом:

Расчеты погрешности настройки, границ изменения параметров элементов настройки и другие при случайном характере распределения параметров ЭРЭ и внешних параметров (напряжения питания, температура, влажность) производят методами математической статистики и ввиду их сложности в настоящее время выполняют, как правило, на ЭВМ [3].

С ростом степени интеграции ИМС усложняется процедура производственного контроля их качества, а визуальные и электрические методы контроля параметров отдельных слоев после выполнения соответствующих операций становятся малоэффективными из-за их ограниченности. Ограниченность рассмотренных в § 2.2, 2.3 методов и видов контроля при изготовлении БИС и МСБ состоит в том, что сведения, полученные в результате единичных измерений, распространяются на всю партию, т. е. статистически не обоснованы. Кроме того, в ходе межоперационного контроля, проводимого до металлизации, а при изготовлении гибридных БИС и МСБ — до сборки нельзя получить информацию о параметрах готовых элементов БИС и МСБ и об отдельных дефектах, а также о характере распределения параметров на пластинах (подложках) и в партии. На основе данных существующего производственного контроля качества невозможно практически установить степень взаимного влияния контролируемых параметров и влияния каждого из них на выход годных БИС. Следовательно, визуальные и электрические методы контроля параметров отдельных слоев при изготовлении БИС недостаточно полно характеризуют технологический процесс в целом и тем самым — качество БИС. Поэтому в отечественной и зарубежной практике в последнее время для контроля качества ИМС, в первую очередь БИС и МСБ, как в процессе разработки (см. § 2.1), так и при изготовлении применяют тестовый контроль.

Для обработки данных измерений, которые при тестовом контроле носят массовый характер, используют статистические методы, что позволяет достаточно полно характеризовать состояние и особенности технологического процесса. Первичная статистическая обработка включает в себя: представление множества экспериментальных данных в наглядном и информативном виде (гистограммы, карты распределения параметров); вычисление статистических показателей (оценок), характеризующих совокупность значений .(выборки) каждого параметра; определение (проверку) закона распределения параметров; определение доперитель-

Кроме перечисленных выше особенностей для всех ИМС характерен разброс параметров компонентов, который в свою очередь также существенно усложняет процесс их конструирования. Поэтому в настоящее время все большее внимание начинают уделять методам статистического расчета компонентов ИМС, которые могут в значительной мере уменьшить влияние недостатков, присущих другим методам. Применение статистических методов расчета позволяет, оперируя законами распределения параметров компонентов, оптимальным образом определять законы распределений выходных параметров и предсказывать процент выхода годных ИМС. Основные особенности статистических методов расчета компонентов ИМС сводятся к следующему.

Аналитические методы. Эти методы основаны на использовании известного из теории вероятностей метода моментов. Если известны законы распределения параметров компонентов, заданные средними значениями х/ и среднеквадратичными отклонениями at,, то, предполагая, что выходные параметры схемы распределены по нормальному закону, находят характеристики этих законов из выражений

Монте — Карло. Этим методам присущи как достоинства, так и недостатки. К достоинствам относится возможность их применения в условиях произвольных законов распределения параметров xt и неограниченного их разброса, а также при нелинейных функциях работоспособности. Недостатки связаны в первую очередь с трудоемкостью численных методов. Значительные трудности возникают также при моделировании вектора, если его составляющие распределены по законам, отличным от нормальных, и связаны с корреляционной зависимостью.

Учитывая, что распределения параметров элементов ИМС характеризуются большими дисперсиями, которые приводят к значительным дисперсиям выходных параметров, для расчета погрешности выходного параметра гибридной ИМС можно использовать уравнение

Описанные выше варианты измерительных схем или им подобные используются во многих типах автоматов или полуавтоматов по разбраковке импульсных приборов в производстве и при их испытаниях. В, этих автоматах параметр качества устанавливается равным границе разбраковки (например, по значению tp). Срабатывание порогового устройства свидетельствует о годности контролируемого (или испытываемого) прибора. Когда пороговое устройство не срабатывает, прибор не удовлетворяет установленной норме ]разбраковки. Обычно автоматы производят классификацию по нескольким группам качества с выводом на печать результатов измерения, по которым можно построить гистограммы распределения параметров.