Распределения неосновных

Распределение наработки до отказа может быть описано вероятностью безотказной работы Р (?), плотностью распределения наработки до отказа/(f) и интенсивностью отказов \(t). Вероятностью безотказной работы P(t) называют вероятность того, что величина Т - наработка до отказа - будет не меньше заданной:

Надежность ряда ремонтируемых объектов не всегда удобно характеризовать вероятностью беэожазной работы, так как Р (t) у них весьма близка к единице, особенно для небольших интервалов наработки, поэтому используется другой показатель надежности — плотность распределения наработки до отказа:

где с — нормирующий множитель; f(t) — функция нормального распределения наработки до отказа:

Если задаваться различными значениями вероятности безотказной работы, соответствующими определенному риску заказчика, и числом отказов (которые по сути дела будут приемочными числами), не трудно определить соответствующий . объем выборки на основании упомянутых законов, а следовательно, и построить таблицы, удобные для практического применения. В приложении приведена табл. П2, построенная для случая закона Пуассона, когда л<0,Ш и Р^0,9. Она позволяет по заданным-значениям PZ, С и р определить необходимый объем выборки. При неизвестном законе распределения наработки на отказ выборка, найденная из 260 .

Составление плана выборочного контроля партий изделий при неизвестном законе распределения наработки на отказ осуществляют, выбирая приемочное число С небольшим из экономических соображений, так как с ростом С резко возрастает объем выборки. С другой стороны, уменьшение приемочного числа приводит к увеличению необходимого для успешной сдачи продукции приемочного уровня надежности PI (см. § 1.6), а равенство С нулю соответствует наиболее неблагоприятным для изготовителя условиям сдачи продукции по результатам испытания выборки.-

При составлении плана контроля для известного закона распределения наработки на отказ уже нет необходимости проводить испытание выборки в течение всего гарантируемого времени. В этом случае предельная продолжительность испытания выбирается в зависимости от производственных и технико-экономических факторов (времени, которое может быть отведено на испытания, наличия образцов изделий, количества испытательного оборудования и т. д.).

Составление плана контроля при экспоненциальном законе распределения следует рассматривать как частный случай вейбулловско-го распределения наработки на отказ при равенстве параметра формы единице.

в случае неизвестного закона распределения наработки изделий на отказ продолжительность испытаний каждой выборки должна быть равной времени tr. Таблица 7.1

Экспоненциальный закон распределения наработки на отказ. В случае экспоненциального закона вероятность безотказной работы име-ет вид:

Распределение наработки на отказ, подчиняющийся закону Вейбулла. В случае распределения по закону

Таким образом, из эксперимента определяется вероятность безотказной работы Р,- в момент отказа изделия ti. Для каждого значения Pt по формуле (9.26) определяется соответствующее значение Fo(Z). Для найденных- значений .Fo(Z) по таблице для функций нормального распределения находятся значения Z,. В результате имеем значения Z/ и соответствующие' им значения t{. В прямоугольной системе координат эти точки должны группироваться около прямой вида (9.25). Проводя прямую .через нанесенные экспериментальные точки, графическим способом определяют количественные показатели надежности изделий в случае нормального» закона распределения наработки на отказ.

Физические процессы, протекающие в транзисторе при нарастании и спаде напряжения, иллюстрируются диаграммами распределения неосновных носителей рп, построенными для различных моментов времени 1...9, соответствующих характерным точкам переходного процесса, изображенного на 6.14, а.

В направлении от границ обедненного слоя концентрация неосновных носителей заряда возрастает, приближаясь к равновесной. Составляя на основе соотношений (2.58), (2.59) уравнения, аналогичные (2.56) и (2.57), получим аналитические выражения для распределения неосновных носителей заряда при экстракции:

а — напряжения, приложенного к диоду; б — напряжения на переходе; в — тока через переход; г — распределения неосновных носителей заряда в р-области базы; 0 — токового импульса, поданного на диод; е — напряжения на переходе

2.22. Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора

Максимальное значение напряженности электрического поля, возникающего под электродами вследствие неравномерного распределения неосновных дырок, определяется полуэмпирическим соотношением

§ 3.3. РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗЕ ДИОДА

§ 3.5. ЧАСТНЫЕ СЛУЧАИ РАСЧЕТА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ТОКА НАСЫЩЕНИЯ

§ 3.5. Частные случаи расчета распределения неосновных носителей заряда и тока насыщения...... 86

Диффузионная емкость. Как уже отмечалось, эта емкость обусловлена изменением зарядов у границ перехода при изменении напряжения U. При подключении обратного напряжения емкость CD невелика, так как изменение концентрации неосновных носителей от равновесного значения до значения, близкого к нулю, наблюдается лишь при изменении U от нуля до небольшой отрицательной величины (см. 10-4, в). При дальнейшем увеличении обратного напряжения закон распределения неосновных носителей остается практически неизменным.

Ток /квк > IKGO и ток /ЭБк > /эво, так как в режимах холостого хода и короткого замыкания цепи эмиттера или коллектора законы распределения неосновных носителей в базе различны. Этот вопрос мы рассмотрим ниже, при обсуждении процессов в базе транзистора.

Отсюда следует, что закон распределения неосновных носителей в базе транзистора в активном режиме и режиме насыщения линейный.