Расположением элементов

Так как мгновенные значения переменного тока непрерывно изменяются в течение каждого полупериода, то изменяются по величине и направлению действующие на фазы электродинамические усилия. На 1-15 дана эпюра сил взаимодействия фаз трехфазной печи с расположением электродов по треугольнику в течение полупериода. Проведенные Ю. Е. Ефроймовичем с помощью фотостробоскопического аппарата наблюдения положения дуги в течение полупериода в конце плавления в дуговой сталеплавильной печи (поверхность ванны была очищена от шлака) показали, что вследствие выдувания дуги к стенкам печи торцы электродов приобретают, скошенную форму ( 1-16) со стороны, обращенной к близлежащей стенке печи. В момент, когда ток равен нулю, часть пространства под электродом заполнена светящимся газом. При появлении тока в моменте t\ разряд, имеющий более яркое рвечение, чем фон, возникает вблизи середины торца электрода ( 1-16,6). По мере роста тока дуга со скоростью порядка де-

7,50 CaC2 8,20X3,00 1,80 1 100 2,50 3,04 129,0 136,0 32 расположением электродов в линию

• Трансформатор 4 200 ква реконструирован таким образом, что он может переключаться на 7 350 ква. •• Печь прямоугольная с расположением электродов по прямой; вместо Dp э приведено расстояние между центрами соседних электродов.

Схема «звезда на электродах» характерна для всех трехфазных печей небольшой мощности (до 2,5— 3 Мва) и некоторых печей с расположением электродов на одной линии.

Схема III. «Треугольник на электродах». Эта схема отличается от предыдущей тем, что соединение в треугольник производится не на шинах, а непосредственно на щеках электрододержателей. Шинные пакеты проходят вокруг печи, а гибкие пакеты подводят ток от концов шинных пакетов трубам, подводящим ток к щекам электрододержателей. Таким образом, все участки токоподвода обтекаются фазными токами, а линейный ток проходит только по электродам. Такая система широко применяется на мощных печах с расположением электродов по вершинам равностороннего треугольника.

Транзистор, изображенный на 12-1, б, изготовлен по пла-нарной технологии, на'звание которой (от англ, planar) обусловлено расположением электродов прибора и их выводов в одной плоскости — на поверхности кристалла. -В пластине п—Si, служащей коллектором, методом локальной диффузии (введением атомов легирующего вещества в кристалл полупроводника через некоторую часть его поверхности) образована базовая область (р—Si). В этой области также методом локальной диффузии образована эмиттерная область (ге+—Si) с высокой концентрацией донорной примеси.

Имеется достаточно большое число структурных модификаций си-мистеров. Например, на Ф.8 представлена семислойная структура с центральным расположением электродов, обладающая хорошими номинальными характеристиками.

Транзистор, изображенный на 12-1, б, изготовлен по пла-нарной технологии, на'звание которой (от англ, planar) обусловлено расположением электродов прибора и их выводов в одной плоскости — на поверхности кристалла. -В пластине п—Si, служащей коллектором, методом локальной диффузии (введением атомов легирующего вещества в кристалл полупроводника через некоторую часть его поверхности) образована базовая область (р—Si). В этой области также методом локальной диффузии образована эмиттерная область (ге+—Si) с высокой концентрацией донорной примеси.

Структуры. На 6.1.5 показаны поперечные сечения a-Si-ТПТ, пригодных для интеграции. ТПТ со ступенчатым расположением электродов, в которых затворный электрод формируется на противоположной стороне по отношению к электродам стока и истока, показаны на 6.1.5, а, а компланарные ТПТ, в которых все три электрода располагаются на одной стороне, - на 6.1.5, б. Основная масса ТПТ изготавливается на подложках из стекла или плавленого кварца. Однако

Влияние толщины пленки a-Si, которое может характеризоваться сопротивлением между электродом стока или истока и границей раздела a-Si/подззтворный диэлектрик, еще более затрудняет анализ характеристик- a-Si-ТПТ со ступенчатым расположением электродов. В

Для получения более высоких динамических характеристик желательно создание приборов со структурой неперекрывающихся электродов. Существуют ТПТ со ступенчатым расположением электродов, как показано на 6.1.6, но сообщения об их электрических свойствах отсутствуют.

Для устранения монотонности можно придать динамичность лицевой панели асимметричным расположением элементов, разнообразием их форм и различием размеров. При этом стремятся так организовать композицию, чтобы направление обзора осуществлялось от краев к центру панели ( 4.3, а) соответствующим расположением второстепенных элементов относительно главных элементов ( 4.3, б), если это не противоречит эргономическим требованиям. Чтобы динамическая ком-

Размещение элементов в реальных координатах можно получить из символической схемы с относительным расположением элементов путем определенного преобразования информации. С этой целью используются принятые соответствия между типовыми топологическими фрагментами и их символическими обозначениями ( 5.25).

Связь, возникающая в результате индуктивного и емкостного взаимодействия между деталями и проводами усилителя. Предупреждение подобного вида нежелательных обратных связей достигается рациональным расположением элементов схемы, правильным монтажом, экранированием катушек, трансформаторов и отдельных проводов.

взаимным расположением элементов фильтра и его входных

TRYKT — термоэмиссионный реактор на тепловых нейтронах с расположением элементов в активной зоне;

DD—TR — реактор на тепловых нейтронах с двухдиодной конструкцией элементов; SRYKT — термоэмиссионный реактор на быстрых нейтронах с расположением элементов в активной зоне;

SRAf\T—WR — реактор на быстрых нейтронах с - внешним расположением элементов, эмиттеры нагреваются за счет теплового излучения.

Значения сопротивлений были получены расчетами ja ЭВМ по алгоритму наведенного потенциала, выполненными в ВИЭСХ [36, 37]. Однако по этому алгоритму можно рассчитывать заземлители только с перпендикулярным и параллельным расположением элементов. Поэтому сопротивление заземлителей с горизонтальными лучами, пересекающимися не под прямым углом {•при числе лучей лл=3, 5, 6), определялось в МЭИ методом физического моделирования в электролитической ванне, наполненной водопроводной водой (однородный грунт). Для заземлителей некоторых типов результаты измерений их сопротивлений в электролитической ванне были сопоставлены с данными расчетов на ЭВМ. Максимальные расхождения между ними не превышали 6%. • Рассматриваются основные типы заземлителей опор линий электропередачи и различных размеров и конфигураций, начиная от простых (полоса, одиночный вертикальный электрод) до наиболее сложных многолучевых заземлителей с вертикальными электродами.

Ртутные батареи и элементы могут иметь дисковую или цилиндрическую конструкцию ( 4.1). В электрохимическом отношении обе указанные модификации идентичны и отличаются лишь конструкцией _ корпуса и внутренним расположением элементов. Анод представляет собой цилиндр или таблетку из порошкообразного амальгамированного цинка высокой чистоты ( 4.1, а) либо пастообразную смесь электролита и цинка ( 4.1 б). Деполяризующим катодом является прессованная в форме втулки или таблетки смесь окиси ртути и двуокиси марганца (напряжение элемента 1,4 В) или чистая окись ртути (напряжение элемента 1,35 В). В качестве электролита — он не изменяется в результате реакции — служит концентрированный водный раствор NaOH или КОН. Катод отделен от анода ионно-проницае-мым сепаратором. Во время работы в этой системе образуется металлическая ртуть, которая не препятствует протеканию тока внутри элемента ( 4.2).

К блокам резисторов с литыми плоскими рези-стивными элементами относятся блоки СЖ с двухрядным расположением элементов ( 23.1). Такой блок состоит в зависимости от назначения из 56—112 резистивных элементов 1, закрепленных на изолированных стяжных шпильках 2 между двумя штампованными рамами 3, выполненными из листовой стали толщиной 3—4 мм. Количество резистивных элементов в одном ряду не должно превышать 30—50. Просвет между ними по условиям теплоотдачи выбирается равным 10—15 мм. При использовании блоков СЖ в высоковольтных цепях они изолируются от заземленных частей специальными подвесками 4, укрепленными на опорных изоляторах J. Выводы б блоков выполнены стальными или медными шинами, зажатыми между резистивными элементами.

Прежде чем приступить к регулировке, следует ознакомиться с расположением элементов настройки блока БЦ-10 ( 9.5).

Применение однорядной линейки с большим числом элементов позволяет использовать в аппаратуре сканирование только по одной координате, что значительно ее упрощает и повышает надежность. К сожалению, часть информации теряется из-за наличия зазоров между элементами. Для устранения этого дефекта либо используют двухрядные линейки с шахматным расположением элементов, либо применяют чересстрочное сканирование. В ряде сл'учаев применение одно- или двухстрочных линеек позволяет вообще отказаться от сканирования в аппаратуре, например, при снятии карты местности с летящего самолета или спутника Земли.,