Расположения элементов

Реализация широкополосных устройств ( 4.14) достигается при использовании гребенок с переменным шагом (неэквидистантных ВШП). Отдельные группы электродов на различных участках ВШП соответствуют разным частотам сигнала. Форма структуры выбирается таким образом, чтобы расстояния между соответствующими «резонирующими» электродами излучающей и приемной решеток были одинаковы (1нч = LBM). Передаточная функция такой системы содержит фазовый член, линейно зависящий от частоты и, следовательно, система (в первом приближении) обладает нулевой дисперсией независимо от закона расположения электродов. Эквивалентная схема для расчета импедансных характеристик подобной решетки намного сложнее схемы эквидистантной гребенки с малым числом электродов. При расчетах в качестве первого приближения можно использовать рассмотренную выше схему при эффективном числе электродов:

Замер сопротивления заземлителя, как правило, выполняют в период наименьшей проводимости грунта (зимой при наибольшем промерзании или летом при наибольшем просыхании). Измерение выполняют методом амперметра — вольтметра или прибором М416 по схеме, изображенной на 71. В качестве электродов В и 3 могут быть использованы и стальные стержни, забиваемые в грунт. На рисунке показан один из вариантов расположения электродов. Расстояние их от испытуемого должно быть по возможности большим. Расчетное сопротивление заземлителя в омах определяется из выражения R = /?Изм/С, где К — поправочный коэффициент, зависящий от типа и размеров заземлителя и расстояния от поверхности земли до верхней

, 6-2. Схема расположения электродов

где А — постоянный коэффициент, зависящий от формы, размеров и взаимного расположения электродов; ?/а — анодное напряжение.

Для последовательного расположения электродов входного и выходного неэквидистантных многоэлементных преобразователей

2-69. Конструктивная схема декатрона (а), схема расположения электродов (б), электрическая схема их соединения (в).

Критерием выбора порядка расположения электродов в индикаторе служит стремление достигнуть минимальной экранировки

Устройство. Один из возможных- вариантов конструкции фототранзистора показан на 14-20, а. Как видно из этого рисунка, фототранзистор отличается от обычного транзистора лишь прозрачным окном в корпусе; через него световой поток падает на пластину полупроводника, служащую базой, в центре которой путем вплав-ления создан коллекторный переход. Возможны и другие варианты расположения электродов, например кольцеобразный коллектор на освещаемой поверхности базы.

Устройство. Один из возможных- вариантов конструкции фототранзистора показан на 14-20, а. Как видно из этого рисунка, фототранзистор отличается от обычного транзистора лишь прозрачным окном в корпусе; через него световой поток падает на пластину полупроводника, служащую базой, в центре которой путем вплав-ления создан коллекторный переход. Возможны и другие варианты расположения электродов, например кольцеобразный коллектор на освещаемой поверхности базы.

Выбором специальной конструкции и расположения электродов можно получить некоторые изменения в форме характеристик пентодов. Этим пользуются для изготовления так называемых ламп с переменной крутизной (с удлиненной характеристикой). У таких ламп при уменьшении анодного тока постепенно уменьшается крутизна характеристики, что достигается применением управляющей сетки с переменным шагом витков. На 5.14 изображены сеточные характеристики двух пентодов, приблизительно одинаковых по остальным параметрам, но с удлиненной (6К4П) и с нормальной (6Ж4П) характеристиками. Лампы, подобные 6К4П, удобно использовать, когда требуется плавно менять коэффициент усиления. Если изменять постоянное смещение ис0, то при этом усиление

Эта лампа имеет общий анод и 10 тонких катодов, помещенных в баллон, заполненный неоном. Все электроды имеют отдельные выводы. Анод подсоединяется через балластное сопротивление к положительному полюсу источника напряжения, а катоды через схему коммутации — к отрицательному. Система коммутации обеспечивает подачу соответствующего отрицательного сигнала на зажигаемый катод. Ореол светящегося газа вокруг катода дает четкое изображение цифр, находящихся даже в самой нижней плоскости. Определенный порядок расположения электродов также способствует получению четкого изображения. Высокая яркость, четкость и значительный размер изображения при малых габаритах таких ламп обеспечивают им преимущество перед декатронами.

11.2 Схемы расположения элементов в двусторонней (а) и односторонней

Часть производственного процесса, непосредственно связанная с изменением физического состояния материала, размеров, формы, внешнего вида и взаимного расположения элементов при изготовлении изделий, называется технологическим процессом.

В приборостроении совмещенные штампы в основном применяются для деталей, изготовляемых из материала, толщиной не более 3 мм с точностью размеров, соответствующей 8... 12-му квали-тетам, при повышенных требованиях к точности взаимного расположения элементов детали.

Контроль качества подвижных частей, производимый сборщиком, сводится к проверке взаимного расположения элементов, надежности соединений и уравновешенности. Контроль кернов, проверку наличия ферромагнитных включений, отсутствия обрывов, измерение переходных сопротивлений и числа витков в рамке, контроль отсутствия короткозамкнутых витков проводят на специально оборудованных рабочих местах.

Для быстрого нахождения упоминаемых в тексте элементов на схеме принята позиционная система их нумерации (ГОСТ 2.702—75). По этой системе порядковые номера элементам схем следует присваивать начиная с единицы в пределах каждого вида элементов (резисторы, конденсаторы, полупроводниковые приборы и т.д.), которым на схеме дано одинаковое буквенное обозначение, например #1, R2, ЯЗ; Cl, С2, СЗ и т.д. Порядковые номера присваивают в соответствии с последовательностью расположения элементов на схеме сверху вниз в направлении слева направо ( 7.14).

При выполнении нескольких МДП-транзисторов на одной подложке получается, что их истоки и стоки оказываются разделенными встречно включенными /7-и-переходами сток — подложка и исток — подложка. Поэтому гальваническая связь между элементами будет определяться лишь'малыми обратными токами этих переходов. Таким образом, для МДП ИМС в большинстве случаев дополнительная изоляция элементов не требуется. Отсюда следует, что МДП-транзисторы можно располагать ближе друг к другу и тем самым повышать плотность расположения элементов и использование площади подложки.

Технические предпосылки для использования ВОЛС в МЭА фактически существуют: возможно изготовление источников и приемников оптического излучения — светодиодных и фотодиодных матриц с малым шагом расположения элементов (100—150 мкм), имеются волоконно-оптические кабели, собранные из единичных оптических волокон с полным диаметром кабеля 70— 300 мкм ( 2.18), а также микросборки оптоэлектрон-ных преобразователей-усилителей.

Перечисленные свойства определяют образную выразительность композиции и достигаются различными композиционными средствами — единым приемом, пропорциями, масштабом, метрическим повтором и ритмом, цветом, светотенью, пластикой и т. д. Однако действенность средств композиции обусловлена особенностями психологии эстетического восприятия. Эти вопросы до конца еще не изучены. Установлено, что восприятие обладает структурностью и проявляется в том, что зрительная система человека группирует элементы композиции по размерам, форме, контрасту, цвету, фактуре, плотности расположения, направлению главных динамических осей (динамическая ось — направление деформации фигур, тел, поверхностей), причем движение глаз преимущественно происходит в направлении от больших элементов к меньшим, от более контрастных к менее контрастным и т. д. Особенности биомеханики глаз таковы, что движение глаз по наклонным направлениям осуществляется медленнее и менее точно, чем по горизонталям и вертикалям. Отсюда требования рядности и упорядоченности расположения элементов на лицевой панели, которые удовлетворяются размещением их на основе модульной координации размеров.

1.27. Фрагмент таблицы расположения элементов на печатной плате

2) должна быть предусмотрена возможность конвекции воздуха в зоне расположения элементов, выделяющих большое количество теплоты;

4. Высокая плотность расположения элементов при использовании приборов в интегральных схемах. Прежде всего это относится к применению их в схемах микроэлектроники транзисторов с индуцированным каналом. Действительно, транзистор с индуцированным каналом — идеальный прибор для использования в цифровых и логических схемах. Потребляемый затвором такого прибора ток пренебрежимо мал, так как сопротивление затвора определяется очень большим сопротивлением диэлектрического слоя. Это открывает возможность непосредственной связи выхода каждого каскада с большим числом входов других каскадов без изменения уровня напряжения.