Расширения материала

В устройствах промышленной электроники генераторы пилообразного напряжения используют в каскадах сравнения, фиксирующих момент достижения напряжением заданного уровня, для временной задержки и расширения импульсов, для получения временных разверток в электронно-лучевых трубках и т. д.

•ское совмещение РО и РИ в один узел [2]. Время расширения импульсов должно несколько превышать период первой гармоники переменной составляющей на входе РО. Оно составляет 11 —12 мс при двухполупериодном выпрямлении однофазного тока частотой 50 Гц и 21—22 мс при'однополупериодном. Таким образом, рассматриваемое реле имеет время возврата, бл'изкое к времени расширения импульсов. Время срабатывания реле при двухполупериодном выпрямлении не превышает 10 мс.

Частотный спектр модулированной импульсной последовательности всегда содержит составляющую с частотой модуляции импульсов. Выделение этой составляющей можно осуществить с помощью фильтра нижних частот (ФНЧ). Демодуляция сигналов с АИМ производится путем стробирования по времени сигналов каждого канала, расширения импульсов с помощью пикового детектора и фильтрации полученной импульсной последовательности с помощью ФНЧ.

Интегрирующие цепи применяют для выполнения операции интегрирования в аналоговых вычислительных устройствах, сглаживания пульсаций в цепях питания при наличии импульсных помех, преобразования прямоугольных импульсов в треугольные, расширения импульсов по длительности.

Расширители импульсов предназначены для расширения импульсов по длительности, т. е. для получения выходных импульсов с длительностью, большей длительности входных. Одна из возможных функциональных и схем расширителя импульсов показана на 5.18, где Р/С— разрядный каскад, обеспечивающий под действием входного импульса кратковременное замыкание входных контактов а и Ь (на рисунке кон-

ности, а также редко повторяющихся и одиночных импульсов. Эти трудности обусловлены тем, что напряжение на конденсаторе пикового детектора оказывается меньше амплитуды импульсов t/m, так как за время паузы конденсатор успевает разрядиться. Это приводит к погрешности, зависящей от скважности импульсов. Для преобразования редко повторяющихся, в том числе одиночных импульсов, пиковые детекторы используются IB специальном режиме расширения импульсов.

При измерении последовательности импульсов наносекундной Длительности используется метод расширения импульсов на нагрузке диода. На этом вопросе остановимся ниже. Здесь отметим только, что для этого постоянная времени разряда конденсатора С1 должна быть много больше постоянной времени заряда. Необходимость расширения импульсов вытекает из трудностей построения широкополосных усилителей в канале индикатора и невозможности обеспечить малое по сравнению с длительностью импульса время заряда конденсатора.

Применяются три основных метода измерения напряжения одиночных и редкоповторяющихся импульсов: 1) метод, основанный на преобразовании импульсного напряжения в квазипостоянное на заданном интервале времени (метод расширения импульсов); 2) метод амплитудно-временного преобразования; 3) интегральный метод. Последний в данной книге не рассматривается.

Длительность выходного импульса /„ в основном определяется временем разряда емкостей Ск и С0, поэтому чем больше постоянная времени их разряда тр, тем больше и длительность импульса ta, Для расширения импульсов, как правило, используют нормально закрытые усилители, так как в них постоянная времени тр большей величины, чем в нормально открытых усилителях. 1ГО

Интегрирующие цепи применяют для выполнения операции интегрирования в аналоговых вычислительных устройствах, сглаживания пульсаций в цепях питания при наличии импульсных помех, преобразования прямоугольных импульсов в треугольные, расширения импульсов по длительности.

Функциональная схема аналого-цифровой СИФУ приведена на 6.26. Работа счетчиков и аналого-импульсного преобразователя, выполняющего функции управляемого генератора, подробно описана в § 3.3. В моменты времени, соответствующие заданному углу открывания тиристоров, на выходах счетчиков появляются сигналы на включение тиристоров, которые существуют до окончания полуволн фазных напряжений сети, т. е. до 180°. В сверхграничном режиме, подробно описанном в § 1.1, ток через нагрузку определяется линейными напряжениями, сдвинутыми на угол +30° относительно соответ-ств\ ющпх фазных. Для включения тиристоров в этом режиме импульсы управления для них должны быть расширены до 210°. Для расширения импульсов управления служат триггеры 77—Т6 и схемы выработки сигналов сброса триггеров ССТ. Каждая из схем реализована на двухвходовом логическом элементе И—НЕ. В качестве входных сигналов для схем ССТ используются сигналы синхронизации соседних для нее фаз, поэтому импульсы управления на ее выходе расширяются до 240°.

Схема интерполятора содержит два одинаковых канала и служит для расширения импульсов, отражающих погрешности дискретизации, и последующего их измерения методом счета числа колебаний опорной частоты. Формирователь готовности содержит дешифратор управления селектором и счетчики числа импульсов, а также вырабатывает специальный сигнал, задающий время работы селектора.

Подобным испытаниям подвергаются хрупкие материалы и изделия из них. Стойкость к термоударам зависит от температурного коэффициента линейного расширения материала; поэтому для приблизительной оценки этой характеристики можно пользоваться соотношением Л/а,, в котором А — коэффициент, определяемый механической прочностью и теплопроводностью материала; аг — температурный коэффициент линейного расширения. При неоднородности материала, а также дефектах роверхности (царапины и т. п.) стойкость к термоударам сильно снижается, что легко объяснимо теорией прочности хрупкого тела. Некоторые материалы, например стекло, подвергаются травлению плавиковой кислотой для повышения стойкости к термоударам; так же действует закалка.

Температурный коэффициент линейного расширения материала пластин амп, 0С-1

Температурный коэффициент линейного расширения материала корпуса амк, °C~i

ружающей среды, так как температурный коэффициент линейного расширения материала обмотки (медь) более чем в два раза меньше аналогичного коэффициента алюминиевого сплава и т. д.

Температурная погрешность тензопреобразователей обусловлена разностью температурных коэффициентов линейного расширения материала преобразователя и объекта измерения, а также ТК.С материала преобразователя.

щая поверхность полупроводника от проникновения водяного пара, не являются полностью герметичными для кислорода. Под слоем лака может продолжаться окисление поверхности. Кроме того, лаки и компаунды в большинстве своем содержат полярные компоненты, способные повлиять на свойства поверхности полупроводника. При затвердевании эти покрытия могут приводить к появлению механических напряжений в приповерхностном слое, которые зависят от степени несоответствия коэффициентов термического расширения материала покрытия и полупроводника.

не превышает 1 %. В связи с этим сопротивление тензорезистора должно обладать высокой временнбй стабильностью, иметь незначительный ТКС. Основными требованиями, предъявляемыми к материалам тен-зорезисторов, являются также возможно большее значение коэффициента тензочувствительности, высокое удельное электрическое сопротивление. Кроме того, температурный коэффициент линейного расширения чувствительного элемента преобразователя должен быть по возможности равным температурному коэффициенту линейного расширения материала исследуемого объекта.

Температурная нестабильность, или влияние температуры окружающей среды на основные параметры тензорезисторов, заключается, с одной стороны, в изменении сопротивления тензорезистора за счет его ТКС, а с другой — в появлении дополнительных механических напряжений вследствие различия в температурных коэффициентах линейного расширения материала тензорезистора и исследуемой детали.

Изменение температуры вызывает изменение функции преобразования тензорезисторов, что объясняется температурной зависимостью сопротивления преобразователя и различием температурных коэффициентов линейного расширения материала тензорезистора и исследуемой детали. Влияние температуры устраняется обычно путем применения соответствующих методов температурной компенсации.

Температурный коэффициент активной площади пластин непосредственно связан с температурным коэффициентом линейного расширения материала, из которого они сделаны (ТКЛР = амп). Активная площадь пластин зависит от смещения роторной системы пластин по отношению к статорнои вследствие деформации элементов конструкции конденсатора, вызываемой температурой. Следовательно, относительное изменение площади перекрытия статорных и роторных пластин (активной площади)

Величина dot в данном случае равна температурному коэффициенту линейного расширения материала обмотки (ТКЛР = аМ(). а» определяется способом намотки. При намотке с шагом увеличение диаметра провода скажется в уменьшении зазора между витками, а длину катушки практически не изменит. Если концы обмотки жестко закреплены, ан=0.