Результат свидетельствует

На Вых/ и Вых2 формируются сигналы, определяющие результат сравнения байт по численному значению в соответствии со следующим правилом:

Вых] Вых2 Результат сравнения 1 1 ?><С

Команда CMPS позволяет осуществить поэлементное сравнение двух строк, одна из которых располагается в памяти с относительного адреса, указанного в SI, а вторая — с относительного адреса, указанного в DI. По команде CMPS производится вычитание элемента строки с адресом в SI из элемента строки с адресом в DI. Как обычно, при выполнении операции сравнения результат вычитания не фиксируется, а устанавливаются соответствующие значения флагов, по которым определяется результат сравнения. По аналогии с командой MOVS при сравнении изменяются значения индексных регистров по правилу: SI-«-SI± ±Л; DI-<-DI±A, где « + » — используется при DF=0; «—» — при DI=1; Д=1 — при ш = 0; Л —2 при w=L

гистра МС программа канала за- мс \rnioooo\wotorto\ гружает число, с которым будет производиться сравнение, в младший байт регистра, а маску — в старший байт. Значение «О» в маске исключает соответствующий разряд загруженного числа и он не влияет на результат сравнения ( 3.20).

На основании (3.10) составляется структурная схема реле ( 3,1, б). Здесь сначала посредством преобразователей — трансформатора тока, нагруженного на резистор, или трансреактора Пр1 и регулируемого трансформатора напряжения Пр2 входные ток и напряжение преобразуются в напряжения &i/p и k2Up. Для сравнения этих величин по абсолютному значению они выпрямляются выпрямителями В1 и В2, выходы которых включены в схему сравнения. Результат сравнения сглаживается фильтром Ф и подается на вход нуль-индикатора НИ.

В общем случае в состав АЦП входят следующие основные функциональные узлы: изменяемое по значению эталонное напряжение (или набор различных по значению эталонных напряжений), устройство сравнения напряжения сигнала с эталонными напряжениями и устройство кодирования, представляющее результат сравнения в заданном цифровом коде.

Результат сравнения — напряжение ALf усиливается операционным усилителем, подается на транзисторы VT1, VT2, их открывает, в результате чего напряжение на нагрузке увеличивается. Это напряжение вновь подается на вход, сравнивается 296

Для осуществления автоматического регулирования необходимо измерить сигнал обратной связи, затем этот результат в виде напряжения сравнить (произвести алгебраическое суммирование) с заданным в виде напряжения значением регулируемой величины и направить результат сравнения регулируемому объекту. Обычно энергии измерительного органа оказывается недостаточно для воздействия на регулирующий орган, поэтому возникает необходимость в применении усилительного устройства. Пере-~ численные элементы (измерительный орган, усилитель и регулирующий орган) входят в устройство регулятора, осуществляющего процесс регулирования.

Пусть в рассмотренном вы;не примере (4,20) результат сравнения величины 76 < А < 77 с весом <р, (п •-• 1) = 55 под воздей-

жений: ?/эт+?/эт/2 и результат сравнения отражается на цифре п—1 разряда. Аналогичные действия производятся для всех используемых эталонов. Схема реализации этого метода и временная диаграмма его показаны на 7.2.

В режиме измерения отношения частот ( 7.16) сигнал с более высокой из сравниваемых частот поступает через формирующее устройство на селектор, открывающийся на 1 или 10 периодов сигнала низкой частоты. На цифровом табло индуцируется результат сравнения.

Полученный результат свидетельствует о том, что входные импульсы не могут быть удовлетворительно переданы на выход, так как длительность фронта выходного импульса оказалась больше длительности входного импульса.

Последний результат свидетельствует о том, что в режиме наименьших нагрузок, реактивная мощность потреби-* телей подстанции Л полностью покрывается генерацией реактивной мощности примыкающих линий и даже часть

Этот результат свидетельствует о том, что в рассматриваемом режиме генераторы КЭС работают без перегрузки по току статора и току ротора.

Линейный амплитудный детектор воспроизводит огибающую узкополосного колебания, независимо от особенностей структуры его спектра. Полученный результат свидетельствует о том, что огибающая каждой из реализаций рассматриваемого шума (на входе детектора) обладает спектром более широким, чем частотная полоса самой реализации. На первый взгляд это может показаться странным, поскольку известно, что для модулированного колебания ширина спектра огибающей либо совпадает со спектром самого колебания (при AM), либо уже его (при ЧМ). Это кажущееся противоречие легко устраняется, если принять во внимание полную корреляцию между колебаниями нижних и верхних боковых частот при модуляции. Достаточно нарушить, например, симметрию амплитуд или фаз боковых частот при амплитудной модуляции, чтобы

Интервал [I] соответствует быстрому затуханию дифрагированного света. Интервал [II] представляет собой квазистационарную область после быстрого затухания, как показано на 3.6.2, а. Из экспериментальных результатов, полученных в интервалах I и II, оценивались параметры т , D и К i /К с помощью анализа наблюдаемого затухания дифрагированного света для различных периодов решетки. Интервал [III] соответствует постепенному увеличению интенсивности дифрагированного света, как показано на 3.6.2, б. Интервал [IV] отвечает области стационарного фотопотемнения. На основании результатов, полученных в последних двух интервалах, можно оценить т \ и K-ilK. В эксперименте после первой составляющей затухания эффективность дифракции падает почти до нуля, как показано на 3.6.2, а. Отсюда следует, что в As2S3^i/^ ^0 (Ki/K— 0,1) согласно уравнению (3.6.16). Этот результат свидетельствует о том, что промежуточное состояние не вносит такого сильного изменения показателя преломления. Сплошными линиями на -3.6.3 показаны расчетные результаты, отвечающие выражению (3.6.15), для первой составляющей затухания при различных периодах решетки, когда KiJK = = 0,1. Расчетная кривая, показанная сплошной линией, удовлетворительно описывает экспериментальные результаты по первому затуханию. Построив график зависимости обратного времени затухания (1/1) от 4тг2/Л2 , можно, согласно выражению (3.6.6) , оценить величины г и D, как показано на 3.6.5. Наклон графика и пересечение с осью у позволяет определить коэффициент диффузии D и обратную величину времени жиз-ци (1/г). Значения D и т равнялись соответственно 1,4- 10~3 см2/с и 10 мкс. Величина подвижности, оцениваемая из полученного коэффициента диффузии с помощью соотношения Эйнштейна, составила 5,4 • • 10~2 см"2/ (В • с), йремя жизни находится в хорошем согласии со значением для захваченного электрона, полученным из измерений времени жизни при люминесценции с медленным затуханием [157]. Анализ данных,

Отметим, что после оптического освещения коэффициент диффузии снижается в 2 раза, а время жизни уменьшается на порядок по сравнению с соответствующими значениями для отожженных образцов. Этот результат свидетельствует о том, что оптическое освещение понижает фотопроводимость за счет уменьшения как времени жизни, так и подвижности, но основной вклад в этот процесс вносит резкое уменьшение времени жизни.

На 4.1.1 показаны ИК-спектры поглощения пленок a-Sio,sGeo,5 : Н в области волновых чисел, близких к 2000 см"1. Максимумы поглощения, обусловленные колебаниями связей Ge-H и Si-H, перекрываются. Интенсивность максимума поглощения колебания связи Si—Н2 растет с увеличением в исходной газовой смеси содержания СеН4, а интенсивности максимумов, связанных со связью Се—Н (1&50 см'1) и л-атомны-ми кольцами (Si-H2)w, возрастают одновременно. Бьшо показано, что низкие фотопроводящие свойства пленок a-Sii -.xGe* : Н обусловлены колебательной модой растягивания связей Si—Н2, концентрация которых оказывается в свою очередь обусловленной большим количеством свободных связей атомов Се. Этот результат свидетельствует о том, что решение проблемы качества пленок a-Si,-xGex :H следует искать в оптимизации условий плазменной реакции в газовой смеси SiH4 + СеН4.

Эффектом, обусловленным увеличением в р-слое ширины запрещенной зоны, является также рост потенциального барьера для электронов на границе р- и /-слоев. Соотношение ширины запрещенной зоны в гетерострук-туре a-SiC : Н (на основе метана)/a-Si: Н выбиралось таким образом, чтобы на границе р -/-слоев на краях энергетических зон появлялись ступеньки. Такой выбор позволяет практически исключить обратную диффузию электронов из /-слоя в р-слой. Наличие такого потенциального барьера играет особенно важную роль, если длины волн падающих фотонов малы. Как показано на 4.2.10, а в элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе этилена) /a-Si: Н ступенька в области границы р- и /-слоев образуется на краю валентной зоны. Так как дырки не могут свободно двигаться в р-слой, фототек в элементах на гетеропереходах a-SiC : Н (на основе этилена) /a-Si: Н может быть ограничен. Экспериментальным подтверждением сказанного может служить спектральная зависимость эффек- _ тивности сбора носителей заряда ( 4.2.11). На этом рисунке представлены экспериментальные данные по эффективности сбора носителей заряда в обычных солнечных элементах нар-/-«-гетеропереходах и в гетеропереходах a-Si: Н (на основе этилена и метана)/a-Si: Н. Эффективность сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходе a-SiC: Н (на основе CH4)/a-Si:H в области малых длин волн более чем вдвое выше эффективности обычных элементов на гомопереходе. В области длин волн ~ 550 нм прирост эффективности снижается до 20 %. Отсюда можно сделать вывод, что повышение эффективности сбора носителей заряда в области малых длин волн обусловлено в основном наличием потенциального барьера на границе р- и /-слоев гетероперехода a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н. Кривая спектральной зависимости эффективности сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе C2H4)/a-Si:H лежит несколько ниже кривой для элемента, изготовленного из a-SiC : Н (на основе СН4) - Положение максимумов спектральных зависимостей эффективности сбора в гетеропереходах a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н и a-SiC : Н (на основе C2H4)/a-Si :H совпадают. Этот результат свидетельствует о том, что положение потенциального барьера на границе р- и г'-слоев в гетеропереходе a-SiC :H (на основе C2H4)/a-Si: Н соответствует показанному на 4.2.10, а.

Интервал [I] соответствует быстрому затуханию дифрагированного света. Интервал [II] представляет собой квазистационарную область после быстрого затухания, как показано на 3.6.2, а. Из экспериментальных результатов, полученных в интервалах I и II, оценивались параметры г , D и К i /К с помощью анализа наблюдаемого затухания дифрагированного света для различных периодов решетки. Интервал [III] соответствует постепенному увеличению интенсивности дифрагированного света, как показано на 3.6.2, б. Интервал [IV] отвечает области стационарного фотопотемнения. На основании результатов, полученных в последних двух интервалах, можно оценить т i и -K^IK. В эксперименте после первой составляющей затухания эффективность дифракции падает почти до нуля, как показано на 3.6.2, а. Отсюда следует, что в As^S3KiJK ^0 (Ki/K= 0,1) согласно уравнению (3.6.16). Этот результат свидетельствует о том, что промежуточное состояние не вносит такого сильного изменения показателя преломления. Сплошными линиями на -3.6.3 показаны расчетные результаты, отвечающие выражению (3.6.15), для первой составляющей затухания при различных периодах решетки, когда KtjK = = 0,1. Расчетная кривая, показанная сплошной линией, удовлетворительно описывает экспериментальные результаты по первому затуханию. Построив график зависимости обратного времени затухания (1/7) от 4тг2/Л2 , можно, согласно выражению (3.6.6) , оценить величины т и D, как показано на 3.6.5. Наклон графика и пересечение с осью у позволяет определить коэффициент диффузии D и обратную величину времени жиз-ци (1/г). Значения D и т равнялись соответственно 1,4- 10~3 см2/с и 10 мкс. Величина подвижности, оцениваемая из полученного коэффициента диффузии с помощью соотношения Эйнштейна, составила 5,4 • • 10~2 см"2/ (В • с), йремя жизни находится в хорошем согласии со значением для захваченного электрона, полученным из измерений времени жизни при люминесценции с медленным затуханием [157]. Анализ данных,

Отметим, что после оптического освещения коэффициент диффузии снижается в 2 раза, а время жизни уменьшается на порядок по сравнению с соответствующими значениями для отожженных образцов. Этот результат свидетельствует о том, что оптическое освещение понижает фотопроводимость за счет уменьшения как времени жизни, так и подвижности, но основной вклад в этот процесс вносит резкое уменьшение времени жизни.

На 4.1.1 показаны ИК-спектры поглощения пленок a-Sio,5Ge0,5 : H в области волновых чисел, близких к 2000 см"1. Максимумы поглощения, обусловленные колебаниями связей Ge-H и Si-H, перекрываются. Интенсивность максимума поглощения колебания связи Si—Н2 растет с увеличением в исходной газовой смеси содержания СеН4, а интенсивности максимумов, связанных со связью Се—Н (1&50 см'1) и л-атомны-ми кольцами (Si-H2)w, возрастают одновременно. Бьшо показано, что низкие фотопроводящие свойства пленок a-Sii -*Ge.x : Н обусловлены колебательной модой растягивания связей Si—Н2, концентрация которых оказывается в свою очередь обусловленной большим количеством свободных связей атомов Се. Этот результат свидетельствует о том, что решение проблемы качества пленок a-Si,-xGex :H следует искать в оптимизации условий плазменной реакции в газовой смеси SiH4 + СеН4.

Эффектом, обусловленным увеличением в р-слое ширины запрещенной зоны, является также рост потенциального оарьера для электронов на границе р- и /-слоев. Соотношение ширины запрещенной зоны в гетерострук-туре a-SiC : Н (на основе метана)/a-Si: Н выбиралось таким образом, чтобы на границе р -/-слоев на краях энергетических зон появлялись ступеньки. Такой выбор позволяет практически исключить обратную диффузию электронов из /-слоя в р-слой. Наличие такого потенциального барьера играет особенно важную роль, если длины волн падающих фотонов малы. Как показано на 4.2.10, а в элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе этилена)/a-Si: Н ступенька в области границы р- и /-слоев образуется на краю валентной зоны. Так как дырки не могут свободно двигаться в р-слой, фототек в элементах на гетеропереходах a-SiC : Н (на основе этилена) /a-Si: Н может быть ограничен. Экспериментальным подтверждением сказанного может служить спектральная зависимость эффек- _ тивности сбора носителей заряда ( 4.2.11). На этом рисунке представлены экспериментальные данные по эффективности сбора носителей заряда в обычных солнечных элементах нар-/-«-гетеропереходах и в гетеропереходах a-Si: Н (на основе этилена и метана)/a-Si: Н. Эффективность сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходе a-SiC: Н (на основе CH4)/a-Si:H в области малых длин волн более чем вдвое выше эффективности обычных элементов на гомопереходе. В области длин волн ~ 550 нм прирост эффективности снижается до 20 %. Отсюда можно сделать вывод, что повышение эффективности сбора носителей заряда в области малых длин волн обусловлено в основном наличием потенциального барьера на границе р- и /-слоев гетероперехода a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н. Кривая спектральной зависимости эффективности сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе C2H4)/a-Si:H лежит несколько ниже кривой для элемента, изготовленного из a-SiC : Н (на основе СН4) - Положение максимумов спектральных зависимостей эффективности сбора в гетеропереходах a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н и a-SiC : Н (на основе C2H4)/a-Si :H совпадают. Этот результат свидетельствует о том, что положение потенциального барьера на границе р- и /-слоев в гетеропереходе a-SiC :H (на основе C2H4)/a-Si: Н соответствует показанному на 4.2.10, а.