Результат справедлив

Как видим, результат совпадает с выражением, полученным методом присоединенной схемы.

Этот результат совпадает с выражением, полученным выше методом присоединенной схемы.

результат совпадает с (V.2). (В дальнейшем дробь —-~ заменена буквой рг.

Результат совпадает с (V.3). По формулам (V.4) определяют все токи и напряжения.

Можно показать, что этот результат совпадает с решением той ж» задачи в § 18.4 топологическим методом. Ток диагонали Z моста

Полученный результат совпадает с да 1-ными § 8-8 ( 8-21,6).

Нетрудно убедиться, что полученный результат совпадает с результатом примера 15-12, найденным с помощью преобразования Лапласа. В данном случае интеграл Дюамеля дал очень легкое решение.

Полученный результат совпадает с данными § 8-8 (см. 8-21, б).

Нетрудно убедиться, что полученный результат совпадает с результатом примера 15-12, найденным с помощью преобразования Лапласа. В данном случае интеграл Дюамеля дал очень легкое решение.

13,lsin40°16'=8,45. Результат совпадает с результатом примера 81.

Пусть (/(oo) = ?; u(/j) = 0; tz = т; ?/(*„) =?,= ? — ?,. Тогда согласно (1.28) Д/= т = einf/tj, т.е. результат совпадает с получаемым из (1.25), если при использовании (1.25) начальное значение экспоненты и ее значение в момент t = т отсчитывать от предельного уровня.

Если, например, для элемента АБ принять предельное число промежутков Л/» 102, то постоянная времени тг* 1,4 • 10 "7 с. Аналогичный результат справедлив и для АБ в целом, так как при последовательном соединении ее элементов (с параметрами Г,. Л.,л) общая емкость уменьшается, а внутреннее сопротивление возрастает пропорционально числу элементов. Указанное обстоятельство справедливо также для группы А Б: при параллельном включении АБ (для увеличения тока) суммарная емкость Сс растет, внутреннее со-противление падает, но их произведение остается неизменным; при последовательном соединении АБ (для увеличения напряжения) внутреннее сопротивление возрастает, емкость Сс уменьшается, а значение их произведения сохраняется постоянным.

Однако такой результат справедлив лишь при пренебрежении ее ставляющими, определяющими запаздывание. В действительност и здесь имеет место излучение, но доля энергии, не возвращающем к диполю, ничтожна по сравнению с энергией, успевающей возвра титься.

8 Интегрирование по времени (jm)-'G Результат справедлив, если s(/)=0 при t
Этот результат справедлив для любого т. Следовательно,

Полученный результат справедлив для любых способов обмена двух материалов электронами, в том числе и путем термоэлектронной эмиссии в вакуум, через внешнюю цепь и т. д. • .

Полученный для полупроводника я-типа результат справедлив и для полупроводника ^-типа, у которого рр — основные носители (дырки), пр — неосновные носители (электроны).

Здесь следует оговориться, что полученный цифровой результат справедлив при начальной температуре газов /нач = 500° С и дгХО1 = 40°С. Когда /Нач выше, например равна 600—700°, преимущество получает повышенное давление пара, и, наоборот, если /„ач = 350-ь450° С, выгоднее более низкое давление пара в КУ, даже если пар используется в конденсационных турбинах.

Следует подчеркнуть, что полученный результат справедлив только для время - инвариантного треугольного фильтра, у которого вид функции памяти совпадает с переходной функцией.

Полученный результат справедлив и для нагрузки, соединенной треугольником. В последнем случае для доказательства надо вместо векторов линейных напряжений строить на диаграмме векторы линейных токов. Таким образом, способ двух ваттметров позволяет измерить общую мощность трехфазной системы.

Легко видеть, что этот результат справедлив не только для сферической поверхности, но и для любой замкнутой поверхности и для любого произвольного расположения заряда внутри этой поверхности.

Из (15.3) также следует, что поток через замкнутую поверхность не зависит вовсе от расположения заряда внутри поверхности. Это значит, что полученный результат справедлив не только для одного заряда, но и для какого угодно числа произвольно расположенных зарядов, если только подразумевать под q алгебраическую сумму всех зарядов, находящихся внутри поверхности.