Результате транзистор

Как видно, основными проблемами химической металлизации являются низкая производительность, сложность процесса, использование дорогостоящих материалов. Для устранения указанных недостатков разрабатываются методы беспалладиевой металлизации, например термохимический. Процесс проводится в растворе (г/л): кальций фосфорноватисто-кислый—130 ... 170, медь сернокислая пятиводная — 200.. .250, гипофосфат аммония — 6 ... 10, аммиак (25%) —200 ... 300 мл/л. После обработки платы выдерживаются в термошкафу при 100 ... 150°С в течение 8 ... 10 мин. В результате термического разложения комплексной соли гипофосфита меди на поверхности ПП и в монтажных отверстиях образуется электропроводящее покрытие, которое служит основой для электрохимического наращивания металла.

кремния, образующимся в результате термического оксидирования кремния. Таким образом формируются области с электропроводностью р-типа, донная часть которых отделяется от подложки скрытым п + -слоем, а с боковых сторон — диэлектриком. После создания изоляции в изолированной области, используемой в качестве базы БТ, диффузией формируется эмит-терная область. В данной структуре транзистор является диффузионным, так как распределение примесей в базовой области равномерно. Изолированные области могут также выполнять функции интегральных резисто-ров. На 3.13 приведены структуры БТ с комбиниро-

Наиболее часто в качестве легирующей примеси для получения полуизолирующего арсенида галлия используют хром. Его вводят в реактор, пропуская хлорид мышьяка (III) над оксидом хрома (III), находящимся в отдельном источнике или образующимся в результате термического разложения хромилхлорида. Создаваемая таким методом концентрация хрома в эпитаксиальных слоях арсенида галлия строго пропорциональна объемной скорости потока хлорида мышьяка (III). Максимальное удельное сопротивление эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных хромом, доходит до 108 Ом-см.

Процесс кипения должен происходить без отложений на охлаждаемой стенке в результате термического разложения жидкости или выпадения в осадок содержащихся в ней солей. Жидкость должна быть химически инертной к материалам, из которых выполнены охлаждаемые поверхности. Во многих случаях требуется иметь малые диэлектрические потери на рабочей частоте.

Хрупкая прочность характеризует сопротивление удару рельсов при различных температурах. Работа разрушения сварных объемно-закаленных рельсов в результате термического упрочнения с индукционного нагрева стыков повышается примерно в два раза, а полный переход их из вязкого в хрупкое состояние резко смещается в сторону отрицательных температур ( 11.39). Хрупкая прочность таких сварных рельсов не ниже, чем прокатных стандартного производства (по данным МПС и М4М, работа разрушения прокатных рельсов типа Р50 при температуре —60°С составляет 2,2-103—2,5-103 кГ-м), которые надежно эксплуатируются при различных климатических условиях.

Полимерные материалы составляют большую группу диэлектриков. К ним относятся полихлорвинил, п о-ливинилхлорид, полиэтилен, капрон и другие. Полихлорвинил, например, изготовляют на основе полихлорвиниловой смолы, которую получают путем полимеризации хлористого винила—газообразного вещества. В результате термического прессования полихлорвиниловой смолы получают твердое вещество — винипласт.

На втором этапе в подложке я-типа формируются области стока и истока р-канального МДП-транзистора ( 1.7,6). Третьим этапом является получение стоковой и истоковой областей n-канального МДП-транзистора, достигаемого внедрением в карман р-типа легирующей примеси фосфора с таким же, как у бора, уровнем концентрации ( 1.7,е). Четвертый этап ( 1.7,г) связан с формированием подзатворных областей в р- и n-канальных транзисторах. Эти области представляют собой диэлектрические слои двуокиси кремния (SiO2), выращиваемые в результате термического окисления кремния кислородом.

Более сложный реактор термического разложения силана ( 114)* состоит из съемной металлической камеры 9 и основания (поддона) 17. Металлическая камера 9, полая внутри, снабжена входным 5 и выходным 7 патрубками для охлаждающей жидкости. Вверху камера снабжена патрубком 8 для вывода газа, образующегося в результате термического разложения. Для наблюдения за процессом

Расход угля в установке 5,9 т/ч; теплота сгорания Q" = = 16,29 мДж/кг; Wv •= 30,9%; Лс = 9,6%; Vr = 44,7%. Средняя температура пиролиза 590° С. Нагрев угля до реакционной температуры производится по схеме с комбинированным теплоносителем. Зольность образовавшегося в результате термического разложения полукокса составляет Ас = 17,0%; выход летучих 1/г = 10,7%. Теплота сгорания полукокса Qp = 27,2 мДж/кг; удельный выход полукокса на сырой уголь 0,325 кг/кг; расход угля на 1 т сухого полукокса 3,06 т. Как показывают приведенные исследования, полученный полукокс, кроме сжигания в топке энергетического котла, можно эффективно использовать в форме брикетированного бездымного высоко-

на нескольких десятках пластин с целью определения, типа кристаллических дефектов, главным образом обусловливающих взрывной шум у переходов с прямым смещением. Им изучалось воздействие дефектов, возникающих за счет термического удара (линии сдвига), индуцированных диффузией дислокаций внутри и вне области эмиттера сильно легированных транзисторов и металлических осаждений (золота и меди). Результаты исследования показали, что металлические примеси и осаждения не являются источниками взрывного шума, тогда как линии сдвига в результате термического удара и индуцированные диффузией дислокации при высоком уровне легирования эмиттера в обоих случаях приводят к взрывному шуму.

Примесное поглощение. При наличии в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней примесей обмен носителями заряда между этими уровнями и соответствующими разрешенными зонами осуществляется при участии фотонов, энергия которых меньше ширины запрещенной зоны. Полосы примесного поглощения располагаются за длинноволновым краем собственного поглощения полупроводника. Примесные атомы с малыми энергиями ионизации при комнатных температурах почти все ионизованы в результате термического возбуждения. Поэтому такие явления, как селективное поглощение и фотопроводимость для таких примесей, можно наблюдать лишь при достаточно низких температурах.

Высококачественный окисный слой получается также путем эпитаксии в результате термического разложения тетраэтокси-силана (T30C)==Si(OC2H5)4 при низком давлении. Этот процесс протекает при довольно высокой температуре (650—750 °С), поэтому его используют в основном для нанесения 5Ю2-слоя поверх кремния или поликремния с целью сглаживания ступенек и канавок на лицевой поверхности. В полученных слоях окисла водород почти не содержится.

В этом случае количество вторичных ячеек практически неограниченно, так как энергия для их перемагничивания поступает от постороннего источника ( 6.10). Транзистор может быть включен по схеме с общей базой, общим коллектором или с общим эмиттером. Учитывая принципиальную общность работы этих схем, рассмотрим более подробно схему с общим эмиттером. Транзистор в обычном состоянии заперт, и ток в цепи выхода отсутствует. Если на первом сердечнике записана единица (+ВГ), при подаче считывающего импульса (значительно меньшего, чем необходимо для полного перемагничивания) открывается транзистор и появляется ток в выходной цепи. Даже незначительное изменение индукции от -\~ВГ в сторону уменьшения приводит к появлению определенной э. д. с. в обмотке обратной связи wua и, следовательно, к появлению, пусть незначительного, отрицательного потенциала на базе транзистора. В результате транзистор несколько открывается и в цепи выхода появляется ток. Ток выхода, протекая по обмотке и>в, создает напряженность поля, направленную согласно с напряженностью считьшания. Это обусловливает дальнейшее изменение потока, увеличение отрицательного потенциала на базе и в конечном итоге увеличение тока выхода. Процесс перемагничивания нарастает лавинообразно и заканчивается полным перемагничивани-ем сердечника от +ВГ до —Вг, после чего изменение потока прекращается, отрицательный потенциал на базе транзистора исчезает, он вновь запирается и ток и выходной цепи становится равным нулю.

Потенциал базы транзистора Т2 близок к нулю, а переход коллектор — база транзистора 7\ открыт приложенным в прямом направлении напряжением источника +?. Ток коллекторного перехода транзистора 7\ проходит через переход эмиттер — база транзистора Т2, переводя его в режим насыщения, а на выходе появляется сигнал «О» (низкий потенциал). Если на одном из входов появится сигнал «О», то соответствующий переход эмиттер — база транзистора 7\ откроется и его базовый ток перебросится из коллекторной цепи в эмиттерную. В результате транзистор Т2 закроется и на выходе появится высокий потенциал («1»). Таким образом, сигнал «О» может быть на выходе только при сигналах «1» на всех входах, что соответствует операции И — НЕ.

Если теперь на вход усилителя мощности ( 3.32) будет поступать положительная полуволна Um, то полярности напряжений во вторичной обмотке трансформатора Tpl изменятся на противоположные. В результате транзистор VJ\ закроется, a VT2 — от-

телыюго потенциала. Поскольку напряжение на конденсаторе Cei мгновенно измениться не может, то это приращение прикладывается к базе транзистора Т^, подзапирая его. Коллекторный ток /К2 при этом уменьшится, напряжение на коллекторе транзистора Ту станет более отрицательным и, передаваясь через конденсатор С6-2 на базу транзистора Т\, еще более отпирает его, увеличивая ток /К. Этот процесс протекает лавинообразно и заканчивается тем, что транзистор Т\ входит в режим насыщения, а транзистор Тч — в режим отсечки. Схема переходит в о/но из своих временных устойчивых состояний (квазиустойчивое состояние). При этом открытое состояние транзистора Т\ обеспечивается смещением от источника Ек через резистор /?в, а запертое состояние транзистора Г2 — положительным напряжением на конденсаторе С(,\ (Uс.,,, — ^62 > 0), который через открытый транзистор Т\ включен в промежутке база — эмиттер транзистора 7Y На временных графиках ( 6.24,6) описанные процессы соответствуют моменту времени / = 0. Теперь конденсатор С62 быстро заряжается по цепи + ?к — эмиттер — база Т\ — С62 — RK2 — Е*. до напряжения ?к. Конденсатор Cai, заряженный в предыдущий период, перезаряжается через резистор /?в2 и открытый транзистор Т\ током источника питания ?к, и напряжение на нем стремится уменьшиться до — ?к ( 6.24, б). В момент времени t\ напряжение UCe, = Uuv меняет знак, что вызывает отпирание транзистора Тч и появление тока /К2. Увеличение тока /К2 приводит к процессу, аналогичному описанному при увеличении тока /К. В результате транзистор 7*2 войдет в режим насыщения, а транзистор Т\ — в режим отсечки (второе временно устойчивое состояние). В промежуток времени t\ — ti происходит зарядка конденсатора Cei и перезарядка

напряжения на R. В результате транзистор ТР больше отпирается и растет ток /н. Жирная линия соответствует гвых.с ->• 0, а штриховая — перекомпенсации. Последняя может быть полезной, так как этим компенсируется падение напряжения в соединительной линии.

При записи на одной из шин столбца устанавливается низкое напряжение. Пусть транзистор, управляющий коллектор которого соединен с этой шиной, первоначально включен и насыщен. При выборке строки, т. е. повышении напряжения на шине X', в управляющем коллекторе появляется вытекающий ток. В результате транзистор из режима насыщения переходит в активный режим, напряжение ?/Кэ повышается, второй транзистор триггера включается и триггер переходит в противоположное состояние.

С включением напряжений Ек и Ее ток проводит только один из транзисторов, другой будет закрыт по базе работающим транзистором, с коллектора которого снимается потенциал насыщенного транзистора ?/„„, близкий к нулю. Поскольку схема симметрична, то находиться в состоянии «открыто» (насыщение) может любой из транзисторов с равной вероятностью. Для определенности допустим, что транзистор VT1 открыт, a VT2 закрыт. Потенциалы относительно «земли» на коллекторе, базе и эмиттере примерно одинаковы и равны нулю: UK— U6\--- U3\ =0. Транзистор VT2 закрыт отрицательным потенциалом t/f,2. Через цепь база-эмиттер транзистора VT2 под действием запирающего напряжения Е& проходит ТОК /62=—/ксь гАе ^ко — обратный ток коллекторного перехода. Открытое состояние транзистора VT2 поддерживается током /ei = = EK/RZ. Такое состояние может быть сколь угодно долго.-С поступлением на базу транзистора VT1 запирающего импульса отрицательной полярности и амплитудой примерно равной или большей + ?к транзистор VT1 начинает закрываться, при этом запирающий потенциал на базе транзистора VT2 уменьшается из-за появления положительного потенциала на коллекторе транзистора VT1. Транзистор VT2 начинает открываться, и на его коллекторе потенциал понижается. Это понижение передается через цепь обратной связи R2 на базу транзистора VT1, который еще больше начинает закрываться И т. д. Развивается лавинный процесс. В результате транзистор VT1 полностью закрывается, а транзистор VT2 открывается. Устанавливается новое устойчивое состояние. Исходное состояние триггера наступит с приходом открывающего (положительного) импульса на базу транзистора У Т]. Перевод триггера из одного состояния в другое (запуск триггера) разнополярными импульсами запуска Ua можно осуществлять по одной из баз или по одному из коллекторов. Такой запуск называется раздельным. Существует также счетный запуск — это когда однополярные импульсы подаются сразу на два электрода: на два коллектора либо две базы. Счетный запуск применяется в триггерных счетчиках импульсов (см. гл. 13).

2 этап (формирование импульса). При поступлении в момент t\ положительного импульса «вх транзистор начинает открываться. Ток !к протекает по обмотке w, и создает падение напряжения Д^к. которое трансформируется в обмотку ОС ш0с. Напряжение на обмотке а.'0с создает отпирающий базовый ток. Процесс является регенеративным и развивается лавинообразно, в результате транзистор насыщается.

конденсаторе С6{ не может мгновенно измениться, это приращение прикладывается к базе транзистора Т2, подзапирая его. Коллекторный ток /к2 при этом уменьшается, напряжение на коллекторе транзистора Т2 становится более отрицательным и, передаваясь через конденсатор С62 на базу транзистора Ть еще более открывает его, увеличивая ток 1К[. Этот процесс протекает лавинообразно и заканчивается тем, что транзистор Г, входит в режим насыщения, а транзистор Тг - в режим отсечки. Схема переходит в одно из своих временно устойчивых состояний равновесия (квазиустойчивое состояние). При этом открытое состояние транзистора Т, обеспечивается смещением от источника питания ?, через резистор Я61, а закрытое состояние транзистора Т2 — положительным напряжением на конденсаторе C6i (1/с61 = ^62 > 0). который через открытый транзистор T! включен в промежутке база - эмиттер транзистора Т2. На временных диаграммах 10.23, б описанные процессы соответствуют моменту времени t = 0. Теперь конденсатор Сб2 быстро заряжается по цепи + ?к — эмиттер — база транзистора Т{ - С52 - Кк2-----?к до напряжения ?к. Конденсатор С61, заряженный в предыдущий период, перезаряжается через резистор R62 и открытый транзистор Ti током источника питания ?к и напряжение на нем стремится уменьшиться до —Ef (см. график для и62). В момент времени t{ напряжение «сб1 = и меняет знак, что вызывает отпирание транзистора Т2 и появление тока /К2. Увеличение этого тока приводит к процессу, аналогичному описанному ранее при увеличении тока /к,. В результате транзистор Т2 входит в режим насыщения, а транзистор Г, — в режим отсечки (второе временно устойчивое состояние равновесия). В промежуток времени tl - t2 происходит заряд конденсатора С6, и перезаряд конденсатора С62.

транзистор имеет низкий потенциал коллектора (ф % 0), поэтому соответствующий диод через резистор Л32 находится в проводящем состоянии. Пусть триггер находится в одном из устойчивых положений: транзистор Тг открыт и находится в режиме насыщения (срк, = ик, « 0, срБ1 = мБ1 < 0), транзистор Т2 закрыт и находится в режиме отсечки (фК2 = иК2 * — Ек, фБ2 = иБ2 > 0). Потенциал анода диода Д^ (через Яз1) равен примерно нулю. Потенциал катода диода Д] равен примерно фБ2 < 0, и, таким образом, диод Дг открыт. Потенциал анода диода Д2 (через Яз2) примерно равен фк2 = мк2 « — ?к-Потенциал катода диода Д2 несколько больше нуля. Диод Д2 надежно заперт отрицательным потенциалом на аноде, равным-----Ек. Конденсаторы С3) и Сз2 заряжены соответственно до напряжений иСз « О и мс,2 * — ?к (через резисторы Я3, и R,2 и выходное сопротивление генератора запуска). Положительный запускающий импульс, продифференцированный цепочкой Я3]С3,, проходит через открытый диод Д1 на базу транзистора 7\. В результате транзистор Г, выходит из области насыщения (плюс на базе), ток iK1 уменьшается, а так как фк) = — ?к + /?KI'KI» то потенциал фк, = ик{ становится более отрицательным. Отрицательный перепад напряжения передается на базу транзистора Т2, и он открывается. С этого момента транзисторы Т, и Т2 открыты, замыкается петля положительной обратной связи и возникает лавинообразный процесс уменьшения коллекторного тока одного транзистора и увеличения тока другого транзистора. В результате транзистор Т, закрывается, а Т2 переходит в режим насыщения.

Если на базу транзистора VT1 подается отрицательная полуволна входного синусоидального напряжения, то на базу транзистора VT2 в этот момент подается напряжение в противофазе (положительная полуволна). В результате транзистор VT1 закрывается, а транзистор VT2 открывается. Образуется замкнутая цепь для тока нижнего плеча («плюс» источника питания — нижняя половина первичной обмотки выходного трансформатора TV2 — открытый транзистор VT2 — «минус» источника питания). Переменный синусоидальный ток ij&, протекая по нижней части первичной обмотки трансформатора TV2, создает переменный магнитный поток (магнитодвижущую силу), который во вторичной обмотке трансформатора наводит ЭДС взаимной индукции, и под действием ее в нагрузке появляется ток определенного направления. Во вторую половину периода на базу транзистора VT1 приходит положительная полуволна синусоидального напряжения, и он открывается. В то же время с другой обмотки входного трансформатора TV1 на базу транзистора VT2 подается отрицательная полуволна синусоидального напряжения, и он закрывается. По верхнему плечу трансформаторного двухтактного каскада течет ток /Кь который в верхней