Результате сопротивление

В полупроводниках первого вида межзонный переход электрона в результате собственного поглощения сопровождается лишь изменением его энергии. Импульс электрона остается практически неизменным. Такие переходы называют прямыми или вертикальными. При прямом переходе вследствие поглощения фотона из-

В результате собственного поглощения в полупроводнике образуются пары подвижных электрических зарядов: дырка в валентной зоне и электрон в зоне проводимости. Вероятность межзонного перехода, т. е. образования такой пары зарядов, зависит от ^степени заполнения состояний вблизи потолка валентной зоны, а также от плотности свободных состояний вблизи дна зоны проводимости.

При освещении полупроводника в результате собственного поглощения концентрации подвижных носителей изменяются до величин п0 + An и ра + А/7 и его проводимость равна:

Коэффициент поглощения а0, как известно, зависит от частоты. Предположим, что для частот, отвечающих условию (14-20), а() достаточно велик, так что основные акты поглощения происходят в толще р-полупроводника, недалеко от его поверхности. В результате собственного поглощения образуются пары свободных зарядов: электроны и дырки. В ^-полупроводнике, таким образом, создается неравновесная концентрация зарядов, обоих знаков, которые и диффундируют по направлению к области с меньшей концентрацией, т. е. к запирающему слою. Достигнув этого слоя, электроны увлекаются контактным полем §к и перебрасываются в га-область, где они являются основными носителями. Дырки тормозятся контактным полем и остаются в р-области. Таким образом, по обе стороны запирающего слоя увеличивается концентрация основных носителей зарядов.

Принцип действия. При освещении прибора (Ф > 0) в базе в результате собственного поглощения .образуются пары зарядов. Дырки — неосновные носители — диффундируют к коллекторному переходу и выбрасываются в коллектор, увеличивая ток в его цепи, подобно тому, как это происходит в фотодиоде. Но для фототранзистора характерен еще один процесс, отличающий его от фотодиода. Образовавшиеся электроны — основные носители базовой области — не могут покинуть базу, так как базовый вывод отсутствует. Скапливаясь в базе, они увеличивают отрицательный объемный заряд, в том числе и у эмиттерного перехода. В результате потенциальный барьер у этого перехода снижается и развивается диффузионный поток дырок из эмиттера в базу. Дырки, диффундируя в толще базы, подходят к коллекторному переходу и выбрасываются полем этого перехода в коллектор.

В полупроводниках первого вида межзонный переход электрона в результате собственного поглощения сопровождается лишь изменением его энергии. Импульс электрона остается практически неизменным. Такие переходы называют прямыми или вертикальными. При прямом переходе вследствие поглощения фотона из-

В результате собственного поглощения в полупроводнике образуются пары подвижных электрических зарядов: дырка в валентной зоне и электрон в зоне проводимости. Вероятность межзонного перехода, т. е. образования такой пары зарядов, зависит от ^степени заполнения состояний вблизи потолка валентной зоны, а также от плотности свободных состояний вблизи дна зоны проводимости.

При освещении полупроводника в результате собственного поглощения концентрации подвижных носителей изменяются до величин п0 + An и ра + А/7 и его проводимость равна:

Коэффициент поглощения а0, как известно, зависит от частоты. Предположим, что для частот, отвечающих условию (14-20), а() достаточно велик, так что основные акты поглощения происходят в толще р-полупроводника, недалеко от его поверхности. В результате собственного поглощения образуются пары свободных зарядов: электроны и дырки. В ^-полупроводнике, таким образом, создается неравновесная концентрация зарядов, обоих знаков, которые и диффундируют по направлению к области с меньшей концентрацией, т. е. к запирающему слою. Достигнув этого слоя, электроны увлекаются контактным полем §к и перебрасываются в га-область, где они являются основными носителями. Дырки тормозятся контактным полем и остаются в р-области. Таким образом, по обе стороны запирающего слоя увеличивается концентрация основных носителей зарядов.

Принцип действия. При освещении прибора (Ф > 0) в базе в результате собственного поглощения .образуются пары зарядов. Дырки — неосновные носители — диффундируют к коллекторному переходу и выбрасываются в коллектор, увеличивая ток в его цепи, подобно тому, как это происходит в фотодиоде. Но для фототранзистора характерен еще один процесс, отличающий его от фотодиода. Образовавшиеся электроны — основные носители базовой области — не могут покинуть базу, так как базовый вывод отсутствует. Скапливаясь в базе, они увеличивают отрицательный объемный заряд, в том числе и у эмиттерного перехода. В результате потенциальный барьер у этого перехода снижается и развивается диффузионный поток дырок из эмиттера в базу. Дырки, диффундируя в толще базы, подходят к коллекторному переходу и выбрасываются полем этого перехода в коллектор.

пературе, но даже и при температурах выше 30 °С. Другие, легкие сорта нефти имеют вязкость порядка 103 мкПа-с при комнатной температуре. При понижении температуры, естественно, вязкость существенно возрастает. Именно по этой причине нефть при транспортировке, например, по трансаляскинскому нефтепроводу должна подогреваться. (В этом нефтепроводе часть времени в году нефть разогревается в результате собственного трения о стенки труб.) Беспокойство у специалистов по охране окружающей среды вызывают именно нефтепроводы с подогревом.

Фотоприемники на основе материалов А2Вв хорошо согласуются по спектральным характеристикам с электролюминофорами. Область спектральной чувствительности фотоприемников типа CdS и его аналогов (CdTe, CdSe) и твердых растворов на их основе перекрывает всю видимую часть спектра от 400 до 900 нм. Интегральная чувствительность фоторезисторов на этих материалах достаточно высока и составляет 0,1... 10, А/(лм • В). В результате сопротивление при освещенностях 102... ...103 лк изменяется в пределах 10'...108 Ом.

нижнего завала частотной характеристики объясняется тем, что с уменьшением частоты заметно возрастает емкостное сопротивление разделительных конденсаторов СР1 и Сра (см. 6.10, б). В результате сопротивление XCPI становится сравнимым по величине с сопротивлением Rtl, поэтому часть входного напряжения падает на к/к0 конденсаторе СР1, и напряжение, действующее на резисторе /?С1, оказывается меньше входного напряжения. То же самое происходит и в выходной цепи, где часть выходного напряжения

прямого: Ua, /п и обратного; J7n6; /об включения. На участке А В вольт-амперной характеристики дифференциальное сопротивление г является отрицательным: положительному приращению напряжения Л/7 соответствует отрицательное приращение тока А/ — ив результате сопротивление оказывается отрицательным: г ~ • — А Ш А/. Отрицательное сопротивление является дифференциальным и возможно только для сравнительно небольших приращений тока и напряжения. При этом полное сопротивление R0 -- f/o/ /о в любом режиме работы положительно, что свидетельствует о потерях в процессе преобразования энергии. Схема усилителя напряжения (иллюстрирующая принципиальную возможность использования отрицательного сопротивления для усиления напряжения сигнала) приведена на 10, б. В схеме для упрощения опущена цепь питания, устанавливающая режим работы туннельного диода таким образом, чтобы через него протекал постоянный ток /о и падало напряжение Ue (см. 10, а), и таким образом туннельный диод работал бы в режиме отрицательного дифференциального сопротивления г. Если входной сигнал ?/вх достаточно мал, то в цепи протекает некоторый ток / •-

Решение 1-6. После включения выключателя резистор rg окажется присоединенным параллельно г4. В результате сопротивление между точками а и б уменьшится.

В результате сопротивление г аб участка цепи между точками а и б и эквивалентное сопротивление всей цепи rSKB также уменьшатся.

При небольшом числе приемников, включенных в различных точках линии (три на 16-11), сначала рассчитывают режим последнего участка линии длиной i's так же, как однородной линии с единственным приемником энергии в конце. Затем участок длиной /s с сопротивлением Z, в конце заменяют сосредоточенным сопротивлением, равным входному сопротивлению третьего участка и включенным параллельно с сопротивлением ?j. В результате сопротивление нагрузки участка линии длиной /2 оказывается известным, так что может быть рассчитан режим работы этого участка. Продолжая аналогичные преобразования, можно найти напряжения и токи на всех участках линии.

В результате сопротивление R оказывается замкнутым накоротко и ток в нем (как показано в доп. вопросе 7 к этой задаче) отсутствует.

Если же входное напряжение, поданное на эмиттер относительно базы Бь превысит (/„„, то p-n-переход открывается и начинается инжекция неосновных носителей заряда (дырок) в базу. Вначале инжекция происходит только через часть р-и-перехода, расположенную ближе к первому контакту базы Бь В результате сопротивление части базы протяженностью 1\ уменьшается, что приводит к еще большему смещению р-п-перехода эмиттера в прямом направлении и к появлению на входной статической характери-

При достижении температуры плавления (для меди она составляет 1083 °С) увеличивается объем металла, т. е. уменьшается его плотность, а вместе с ней и концентрация носителей. В результате сопротивление меди возрастет примерно в 2,4 раза. Для металлов, уменьшающих свой объем при плавлении (галлий, висмут, сурьма), значение удельного сопротивления имеет тенденцию к уменьшению.

В результате сопротивление на зажимах реле гр = Up/Ip оказывается уже не пропорциональным расстоянию / до места повреждения и не совпадающим на диаграмме с ZBB-При этом в общем случае zp может быть как больше (наиболее частый случай), так и меньше сопротивления до точки к. з. Для обеспечения работы реле сопротивления при к. з. в за-

Необходимо иметь в виду, что высшие гармоники поля статора индуктируют э. д. с. в обмотке ротора, а также в теле ротора, если оно является массивным. Вызванные этими э. д. с. токи создают свои магнитные поля, которые ослабляют, или частично демпфируют, поля высших гармоник статора. В результате сопротивление яд обмотки статора уменьшается. В случае если на роторе имеется фазная обмотка и его сердечник шихтован (например, асинхронные двигатели с фазным ротором), демпфирование весьма незначительно и формулы с поправкой Д&д являются достаточно строгими. Наоборот, когда на роторе имеется беличья клетка, а также когда ротор или его полюсы, массивные, демпфирование заметно, так как для токов, вызываемых высшими гармониками, образуются контуры с малым сопротивлением. Демпфирование может быть .учтено уменьшением значения &д посредством введения в качестве сомножителя соответствующего коэффициента демпфирования ?дм <с 1. Формуле для хя можно придать также вид формулы (23-33) путем замены Я„ на соответствующую величину А,д, которая называется магнитной проводимостью дифференциал ь-ного рассеяния. При этом