Результате снижается

В качестве излучателей в оптронах используют обычно светодиоды на основе арсенида-фосфида галлия GaAsP, алюми-ний-арсенида галлия GaAlAs, характеризующиеся большой яркостью, высоким быстродействием и длительным сроком службы. Кроме того, они хорошо согласуются по спектральным характеристикам с фотоприемниками на основе кремния. Излучение в светодиодах появляется в результате рекомбинации дырок с инжектированными через p-n-переход электронами. Для этого к светодиоду должно быть приложено напряжение в прямом направлении. Возникающий ток вызывает интенсивную

Начнем снижать потенциальный барьер перехода Пг напряжением управления Uy. Это вызывает протекание тока управления /У и инжекцию электронов в р-базу. Часть электронов а/э, которая не успевает рекомбинировать, проходит в и-базу. Это приводит к уменьшению потенциального барьера Яз в результате рекомбинации вышедших электронов и неосновных носителей (дырок) в «-базе. Уменьшение потенциального барьера вызывает ток /р, обусловленный инжекцией дырок из р-эмиттера в д-базу. В свою очередь, это вызывает вторичную эмиссию электронов из р-базы. В результате развивается лавинообразный процесс увеличения тока / через тиристор и нагрузку R,

Таким образом, в условиях электронейтральности совокупность неравновесных носителей заряда дрейфует в направлении электрического поля со скоростью \Ьр&, расширяясь по мере движения за счет процесса диффузии и уменьшаясь по амплитуде в результате рекомбинации.

Механизм замещения примесными атомами узлов кристаллической решетки может быть различным: динамическое замещение, когда ион встает на место вакансии, образованной им при последнем столкновении; попадание иона в узел в результате рекомбинации примесного атома с диффундирующими вакансиями, образованными данным ионом или его «партнерами»; замещение ионами вакансий в процессе отжига после внедрения (при этом вакансии образуются в ходе распада

Излучательные переходы могут происходить, например, в результате рекомбинации электронов, захваченных на примесный уровень вблизи дна зоны проводимости с дырками в валентной зоне, или в результате рекомбинации дырок, находящихся на локальных уровнях вблизи потолка валентной зоны с электронами из зоны проводимости.

В результате рекомбинации электронов с дырками выделяется квант энергии — фотон.

Светоизлучающий диод — полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок. Светоизлучающий диод может быть самостоятельным прибором или входить в качестве излучающего элемента в конструкцию оптопары. В качестве самостоятельного прибора излучающий диод применяется в световых индикаторах, в которых используется явление излучения света р-п переходом при прохождении через него прямого тока. Кванты света возникают в процессе рекомбинации инжектируемых р-п переходом в базу диода неосновных носителей с основными носителями заряда. Такое явление называется люминесценцией. Люминесценцию такого типа можно возбудить постоянным и переменным током; пороговое напряжение, при котором начинается излучение, близко по величине к контактной разности потенциалов р-п перехода. Свечение охватывает видимый спектр излучения. Яркость свечения линейно зависит от плотности тока, цвет свечения — от ширины запрещенной зоны и типа полупроводника. Для создания красно-оранжевого и желтого свечений применяют карбид кремния, а для создания красного или зеленого свечения — полупроводники из арсенида галлия.

Яркость и мощность излучения во многом определяются конструкцией светодиода. Чем больший ток можно пропускать через диод при допустимом его нагреве, тем больше яркость и мощность излучения: увеличение их с ростом тока обусловлено тем, что интенсивность спада избыточной концентрации неосновных носителей заряда в результате рекомбинации пропорциональна начальной концентрации последних, которая тем больше, чем активнее протекает процесс инжекции, а следовательно, чем больше ток /пр.

В открытом состоянии тиристор будет находиться до тех пор, пока за счет проходящего тока будет поддерживаться избыточный заряд в базах, необходимый для смещения коллекторного перехода в прямом направлении. Если же ток через тиристор уменьшить до некоторого значения, меньшего удерживающего тока /уд, то в результате рекомбинации и рассасывания уменьшится количество неравновесных носителей заряда в базовых областях тиристора, коллекторный переход окажется смещенным в обратном направлении, произойдет перераспределение падений напряжения на выпрямляющих переходах тиристорной структуры, уменьшится ин-жекция из эмиттерных областей и тиристор перейдет в закрытое состояние (см. 5.1). Таким образом, удерживающий ток тиристора — это минимальный ток, который необходим для поддержания тиристора в открытом состоянии.

При выключении тиристора путем разрыва цепи основных электродов рассасывание неравновесных носителей заряда происходит только в результате рекомбинации. Такой способ выключения применяется, когда время выключения тиристора не влияет на работу той или иной схемы.

В ряде случаев ускоренный полем электрон при столкновении с частицами газа передает им свою энергию, однако ионизации не происходит. Энергия затрачивается на перевод в возбужденное состояние электронов в атомах или молекулах. В последующем электроны возвращаются в невозбужденное состояние, а запасенная избыточная энергия излучается в виде кванта света, (ротона. Фотоны образуются и в результате рекомбинации электронов и ионов. Фотоны распространяются со скоростью света (3-10я м/с), и их энергия в некоторых случаях достаточна, чтобы произвести фотоионизацию других атомов или молекул, расположенных далеко впереди фронта первичной лавины. В результате появляются цторичные. образовавшиеся за счет фотоионизации электроны, которые в свою очередь начинают процесс ударной ионизации и порождают новые электронные лавины, расположенные далеко впереди фронта первичной лавины.

По конструктивному выполнению такие тиристоры отличаются от однооперационных тем, что у двухоперационных тиристоров управляющий электрод выполнен распределенным, что позволяет регулировать эффективность инжекции с катодного управляющего перехода по всей площади. Физическая сущность процесса выключения заключается в том, что для отключения тиристора на управляющие электроды подается отрицательное напряжение. В результате снижается эмиттерный ток и тиристор выключается.

При подаче на диод импульса тока ( 2.29, д) напряжение на переходе будет изменяться, как показано на 2.29, е. В начальный момент (t = 0) падение напряжения на переходе будет наибольшим. Напряжение на переходе спадает во времени, достигая при / = туст стационарного значения. Величина туст называется временем установления прямого сопротивления. Снижение падения напряжения на переходе ( 2.29, е) связано с тем, что по мере прохождения прямого тока повышается концентрация носителей заряда в переходе и в результате снижается падение напряжения на нем. После отключения импульса тока напряжение на переходе будет спадать во времени ( 2.29/, е). Длительность спада среза импульса напряжения определяется длительностью процессов рассасывания неравновесных носителей заряда. Нетрудно видеть, что переходные процессы в диодах определяют их быстродействие, являющееся важнейшим параметром приборов, используемых в импульсных и цифровых схемах. Для повышения быстродействия диодов необходимо уменьшить параметры твос и туст, которые определяются процессами накопления и рассасывания инжектированных носителей заряда. Поэтому для увеличения быстродействия в первую очередь необходимо уменьшать время жизни неосновных носителей заряда и диффузионную емкость /?-/г-перехода. Значение твос можно снизить, уменьшая толщину базы диода.

Трудности мыслительной работы заключаются в большем утомлении от напряженного умственного труда, чем от физического, а также невозможности охвата больших объемов информации. Первая трудность связана с физиологическими возможностями человека, который легче переносит физические нагрузки, чем умственные, вторая обусловлена большим объемом информации и ее рассредоточенностью. Часто легче изобрести что-то заново, чем найти старое решение. В результате снижается доля крупных изобретений, сужаются темы диссертаций, облегчаются требования к конструкциям и т. д,

Нестабильность амплитудно-частотных и фазо-частотных характеристик радиоэлектронной аппаратуры обусловлена прежде всего начальным разбросом параметров узлов и деталей, вызванным производственными погрешностями; влиянием изменяющихся условий внешней среды (температуры, влажности, давления, наличия химических примесей, воздействия вибраций и ударов), а также изменением физико-химических свойств материалов во времени (старением). В результате снижается точность и ухудшается помехозащищенность радиотехнических систем.

/?8 и Сэ). Увеличение количества деталей сопровождается увеличением числа паек, в результате снижается надежность схемы. Не менее серьезным недостатком схемы с автоматическим смещением является и то, что она потребляет большую мощность, чем схема с независимым смещением. В последней напряжение коллекторного питания Ек выбирается равным

В связи с этим большой практический интерес представляет влияние коэффициента мощности присоединенной нагрузки на степень возможного использования номинальной мощности синхронных генераторов и их первичных двигателей. У большинства трехфазных генераторов отечественного производства номинальный коэффициент мощности равен 0,8. При cos cp < 0,8 невозможно нагрузить обмотку статора номинальным током /н. Это объясняется тем, что при пониженном cos <р„„д усиливается размагничивающее действие реакции якоря и для ее компенсации необходимо увеличивать ток возбуждения. Но это не может быть сделано из-за опасности перегрева обмотки ротора током /„ > /в.н. В этих условиях приходится уменьшать нагрузочный ток генератора и тем самым ослаблять размагничивающее влияние реакции якоря. В результате снижается полная мощность S = 1/3 Ual и в еще большей мере уменьшается получаемая от генератора активная мощность Р = "J/St/H/costp.

вышения октанового числа спиртового горючего; в результате снижается выброс в атмосферу свинцовых соединений.

При работе в режиме частых лусков и торможений завышение габарита АД может не дать ожидаемых результатов. Соотношение моментов инерции АД и механизма определяет динамические моменты и соответствующие им потери в АД, затрачиваемые на сообщение приводу необходимой кинетической энергии. При значительном увеличении габаритов АД его момент инерции увеличивается в большей степени, чем допустимая мощность потерь, и поэтому допустимое число включений с ростом габарита может уменьшиться. В подобных случаях целесообразен переход к АД с меньшим значением номинальной скорости при соответствующем изменении передаточного числа редуктора. Тогда доля момента инерции АД в общем приведенном моменте инерции привода становится значительно меньше и увеличение габарита АД не столь существенно сказывается на его энергетике. Кроме того, АД с уменьшенной номинальной скоростью имеет большие габариты и большие возможности отвода энергии потерь, в результате снижается коэффициент завышения габарита.

В результате снижается э. д.с. генератора и резко падает скорость двигателя.

меризованную смолу, освобождает предприятие радиотехнической промышленности от ответственных операций дозировки и смешивания смолы и отвердителя, так как в этом случае эти операции выполняет предприятие-поставщик при приготовлении^ г порошка. В результате снижается трудоемкость и вредность технологического процесса заливки.

не влияют друг на друга, поэтому пропускная способность линии пропорциональна количеству проводов в фазе. Эти линии имеют значительно меньшее удельное индуктивное сопротивление, но повышенную емкостную проводимость. В результате снижается волновое сопротивление и повышается натуральная мощность.