Результате подстановки

Одновременное действие постоянной F0 и переменной Ft м. д. с. проявляется в цепях с раздельными катушками постоянного и переменного тока, а также в результате появления постоянной составляющей в катушке переменного тока:

свойствами диодов с накоплением заряда (см. § 9), эффективность умножения повышается в результате появления составляющих более

Новые конструкции должны появиться и в связи с широким внедрением приборов функциональной микроэлектроники, основанных на хорошо изученных эффектах, а также за счет использования малоизученных в настоящее время эффектов (например, эффекта сверхпроводимости при нормальных или повышенных температурах). Создание новых конструкций возможно и в результате появления новых материалов, например сплавов, полученных в условиях невесомости, и сплавов с более совершенной кристаллической решеткой.

В результате появления включений диэлектрика с е^Ва проницаемость вещества возросла с еа до среднего значения проницаемости смеси е(,р. При этом произошел прирост поляризации АР = — е0 (еср—8.,) Е0. Прирост поляризации произошел за счет того, что часть диэлектрика с е.2 оказалась замененной диэлектриком с Е!, напряженность поля в котором E±=f=- E0. Этот процесс частичной замены диэлектриков привел к увеличению поляризации АР — = ео (8i—е2) Е\и\- Приравнивая величины АР, получаем уравнение баланса поляризации гетерогенного диэлектрика

Внутренний фотоэффект, сопровождающийся переходами электронов и дырок внутри полупроводника из связанных состояний в свободные, имеет два проявления. Первое из них состоит в том, что в результате появления свободных носителей заряда изменяется сопротивление полупроводника. Фотоприемники, работающие на этом принципе, называются фоторезисторами. Второе проявление заключается в возникновении фото-э. д. с. на границе двух контактирующих материалов. Фотоприемники, основанные на этом явлении, называются вентильными (фотогальваническими) фотоэлементами. Вентильные фотоэлементы являются генераторными преобразователями.

Основной задачей, решаемой при разработке технологии выращивания монокристаллов полупроводников, является обеспечение устойчивости монокристаллического DOCT3 которая нарушается в большинстве случаев в результате появления в растущем монокристалле таких" дефектов структуры, как границы зерен и двойники. При выращивании монокристалла в заранее определенных оптимальных

выходе элемента Эг оно соответствует логическому «О» (Е0). Рассмотрение процессов формирования импульсов начнем с момента переключения, когда на выходе элемента 3i напряжение изменилось от Е0 до Ei (сформировался перепад «О—1»), а на выходе элемента 32 оно изменилось от Ei до Е0. Конденсатор С2 заряжается от выходного напряжения Ei элемента 5Х через его выходное сопротивление rnijill и резистор R2- На резисторе R2 зарядный ток создает запирающее напряжение, которое превышает пороговый уровень ?/пор. В результате появления этого напряжения диод Д2 заперт, а на выходе элемента Э2 поддерживается напряжение Е0, конденсатор Ci, зарядившийся в предшествующий полупериод колебаний (плюс — на левой, согласно 6.101, обкладке, минус— на правой), теперь разряжается через выходное сопротивление гвых 02 элемента 32 и открытый диод Д^. На входе элемента 9i поддерживается небольшое отрицательное напряжение —еод, соответствующее напряжению отсечки диода Д^ Постоянная времени цепи разрядки конденсатора 62 = Ci(rnp ± + гвых 02), постоянная времени цепи зарядки 6i = С2(/-вых,.,-f/?2). При симметрии элементов схемы (Сх = С2 = С; Кг = RZ = /?) 62 = С(гпр t + гвых 0); 0! = = C(JR + гвых j). По мере зарядки конденсатора С2 напряжение на входе элемента Э2 уменьшается; когда оно перейдет уровень ?/пор, в схеме развивается регенеративный процесс переключения, завершающийся скачкообразным изменением напряжения на выходе элемента Эг до значения Ei, а на выходе элемента 5t — до значения Е0. Конденсатор Ci, разрядившийся до напряжения Е0 + eOR, начинает заряжаться от выходного напряжения Ег элемента Э2 через его выходное сопротивление гвых 12 и резистор Rlf Положительное напряжение, по-

Для того чтобы электроны, обладающие наибольшей энергией, могли покинуть металл, эта энергия должна быть равна либо превышать энергию, известную под названием полной работы выхода электронов из металла W0. В нее входят: 1) составляющая, требующаяся для преодоления тормозящего действия поля, существующего у поверхности металла в результате появления здесь так называемого двойного зарядного слоя; 2) составляющая, необходимая для преодоления сил кулоновского притяжения электрона к металлу.

В результате появления термоэлектронной и электростатической эмиссии число электронов в.приборе резко увеличивается; пх объемный заряд компенсирует положительный объемный заряд ионов и напряжение уменьшается (область 6). Возникает дуговой разряд (область 7). Для этого разряда характерны малое падение напряжения между катодом и анодом (в основном вследствие незначительного катодного падения) и большой ток через прибор. Дуговой разряд используется в мощных ионных приборах, ртутных вентилях и игнитронах.

В результате появления термоэлектронной и электростатической эмиссии число электронов в.приборе резко увеличивается; пх объемный заряд компенсирует положительный объемный заряд ионов и напряжение уменьшается (область 6). Возникает дуговой разряд (область 7). Для этого разряда характерны малое падение напряжения между катодом и анодом (в основном вследствие незначительного катодного падения) и большой ток через прибор. Дуговой разряд используется в мощных ионных приборах, ртутных вентилях и игнитронах.

Включение в цепь экранирующей сетки гасящего сопротивления Ra снижает усиление каскада так же, как и включение RK в цепь катода. При подаче на управляющую сетку напряжения сигнала в цепи экранирующей сетки, так же как и в цепи анода., появляется ток сигнала. Создаваемое этим током падение напряжения на Rg приложено к экранирующей сетке в противо-фазе с напряжением сигнала на управляющей сетке. Так как экранирующая сетка управляет анодным током лампы аналогично управляющей, в результате появления на экранирующей сетке противофазного напряжения ток сигнала в анодной цепи уменьшается, а следовательно, падает и коэффициент усиления каскада.

В результате подстановки в (2-2) Bk ~ Ф/S/, получается зависимость между магнитным потоком и н. с., которую называют законом Ома для магнитной цепи:

ние уравнения (4-6) будем искать в форме *F = A cos со/, где А — положительная или отрицательная величина. В результате подстановки этой функции в (4-6) и учета соотношения cos3 wt = V4 (3 cos to/ -j- cos 3 со/) получается

в результате подстановки значения G в (4-7) получается уравнение

Ток /j в цепи резистора Rt находят в результате подстановки в первое уравнение значения тока /3 из третьего уравнения: 250/! = = 2/,200 + 2/i300 = 22, откуда /, = 22/850 = 0;026 А.

В результате подстановки в (5.5) значений D(p) и Ah j(p) получим операторные изображения токов:

где k — числовой коэффициент, получающийся в результате подстановки уравнения (8.12) в (8.15).

Комплексные частотные характеристики цифровых фильтров представляют собой функции, полученные в результате подстановки г = ехр (](лТ) в передаточные функции (5.44) или (5.45):

В результате подстановки в

§ 4-1). Решение уравнения (4-6) будем искать в форме W=A cos cut, где А — положительная или отрицательная величина. В результате подстановки этой функции в (4-6) и учета

в результате подстановки значения G в (4-7) получается уравнение

В результате подстановки числовых значений получим