Результате окисления

Электропроводность электронных полупроводников определяется свободными электронами, которые здесь являются основными носителями заряда. Дырок здесь очень мало, они образуются за счет термогенерации подобно собственным носителям в беспримесном .полупроводнике. В результате оказывается, что количество свободных электронов практически равно количеству ионизированных доноров.

В результате оказывается возможным использовать коррекцию в процессе проектирования ИМС с целью минимизации дисперсии выходного параметра и даже вводить элементы синтеза оптимальной топологии пленочных элементов. Поэтому, используя выражение (4.16) в качестве исходного, можно осуществлять

При скольжениях, близких к единице, формула (5.51) казалось бы должна давать завышенные значения момента, так как при больших токах сильнее сказывается падение напряжения в статоре. Однако в реальных машинах при скольжениях, близких к единице, уменьшается сопротивление Х2 из-за явления вытеснения тока в проводниках ротора, что ведет к увеличению момента. В результате оказывается, что погрешность, обусловленная пренебрежением падения напряжения в статоре, и погрешность, вызванная изменением параметров ротора, взаимно противоположны, вследствие чего точность приближенной формулы (5.51) достаточна для практических целей.

В результате оказывается возможным определить следующие множества:

сгруппируем все слагаемые с sinco/, cos2o>/, sin3w( и т. д., а также отдельно выделим постоянную составляющую. В результате оказывается, что коэффициентами при тригонометрических функциях являются ряды, которыми изображают функции Бесселя различных порядков от чисто мнимого аргумента jxm. Окончательно получим

В результате оказывается возможным использовать коррекцию в процессе проектирования ИМС с целью минимизации ее выходного параметра и даже вводить элементы синтеза оптимальной топологии пленочных элементов. Поэтому, используя выражение (4.16) в качестве исходного, можно осуществлять оптимизацию выходного параметра на двух этапах проектирования: схемном и топологическом.

Действительная картина распределения напряжения при перенапряжении значительно сложнее. В результате оказывается, что опасность повреждения изоляции существует для любого витка обмотки.

нужный ток покоя в соответствии с уравнением Эберса-Молла. Однако так сделать нельзя, потому что напряжение (7БЭ зависит от температуры (при фиксированном значении /к) и изменяется на 2,1 мВ/°С (фактически напряжение уменьшается при повышении температуры Г из-за того, что изменяется ток 7нас; в результате оказывается, что напряжение иЕЭ приблизительно пропорционально 1/Т, где Г-абсолютная температура). Это ведет к тому, что коллекторный ток (при фиксированном значении 1/БЭ) будет увеличиваться в 10 раз при повышении температуры на 30 °С. Такая нестабильность делает смещение неработоспособным, так как даже небольшие колебания температуры будут приводить усилитель в режим насыщения. Например, если напряжение смещения сделать равным половине напряжения питания коллектора, то усилитель с заземленным эмиттером будет переходить в режим насыщения при повышении температуры на 8°С.

От схемы смещения с использованием согласованной пары транзисторов легко перейти к так называемому токовому зеркалу ( 2.44). Работа токового зеркала «программируется» путем задания коллекторного тока транзистора Тх. Напряжение UR3 для 7j устанавливается в соответствии с заданным током, температурой окружающей среды и типом транзистора. В результате оказывается заданным режим схемы, и транзистор Т2, согласованный с транзистором Tt (лучше всего использовать монолитный сдвоенный транзистор), передает в нагрузку такой же

Резонансные АИ (АИР) могут быть разделены на две подгруппы в зависимости от отсутствия или наличия диодов, включенных встречно-параллельно тиристорам в плечах вентильного коммутатора (называемых обычно "обратными" диодами). Эти две подгруппы различаются своими характеристиками, причем возможно их дальнейшее деление в зависимости от способа подключения конденсаторов и дросселей относительно нагрузки, вентильного коммутатора и источника питания. Однако характерной особенностью всех инверторов данного типа является колебательный характер кривой выходного тока тиристоров в течение каждого рабочего полупериода, в результате оказывается возможным выполнение преобразователей на сравнительно дешевых однооперационных тиристорах. Такой характер процессов обусловлен резонансными свойствами цепи анодного тока, состоящей из специально введенных в схему инвертора емкостей и индуктивно-стей и элементов схемы нагрузки.

При динамических методах пайки продолжительность процесса меньше и температура припоя ниже, чем в предыдущем случае, что связано с несколькими факторами. Припой, непрерывно подаваемый «асосом из нижней части ванны, всегда имеет постоянную температуру и лишен такой возможности для охлаждения, как поверхность ванны, на которую действуют вентиляционные токи и сквозняки в помещении. Кроме того, этот непрерывный поток припоя из нижних слоев ванны не имеет контакта с внешним атмосферным воздухом, так что попадает на плату не загрязненным пленкой окислов. Эти два фактора, а также смывающее действие потока припоя на паяемую поверхность в значительной мере способствуют снижению времени пайки. В результате оказывается возможным паять плату за 2—3 сек.

Процесс химической металлизации основан на окислительно-восстановительной реакции ионов металла из его комплексной соли в определенной среде, при которой необходимые для восстановления катионов металла электроны получают в результате окисления специальных веществ, называемых восстановителями. На диэлектрике реакция восстановления протекает при наличии на его поверхности каталитически активного слоя. Для придания диэлектрику способности к металлизации производят операции сенсибилизации и активирования.

стороны — извне окислитель (например, хлор, фтор, азотная кислота, кислород, воздух). Топливо под действием окислителя, не выделяя дыма или газа, бесшумно и без пламени сгорает. Продукты окисления отводятся из элемента наружу. В результате окисления топлива на одном из электродов, у окислителя, накапливаются положительные ионы, а на другом — электроны, что создает разность потенциалов от 1 до 2 В (в зависимости от типа элемента). Напряжение такого элемента около одного вольта, его к. п. д. достигает 70%. Удельная мощность: 25—100 Вт/кг и 50—100 Вт/дм3.

Однако из опыта эксплуатации и лабораторных испытаний установлено, что со временем поверхность полимерной изоляции разрушается, образуются науглероженные дорожки, приводящие к перекрытию изоляторов. Исследованиями, проведенными в ЛПИ, установлено, что разрушение полимерной изоляции происходит в результате окисления ее поверхности продуктами разложения воздуха в стволе дуговых разрядов. Действительно, при температуре 4000°С значительная часть (более 50 %) молекул кислорода распадается на атомы. Диффундируя, атомы достигают поверхности изолятора либо непосредственно, либо в составе легко распадающихся молекул озона.

В качестве окислителей при выплавке стали используются закись железа FeO, образующаяся в ванне в результате окисления железа кислородом воздуха, а также чистый кислород, вдуваемый в переплавляемый жидкий чугун.

Поверхностная рекомбинация является разновидностью рекомбинации через ловушки. На поверхности кристалла полупроводника вследствие нарушения кристаллической структуры образуются .так называемые поверхностные состояния с энергетическими уровнями, лежащими в запрещенной зоне. Поверхностные состояния возникают также в'результате окисления поверхности и адсорбции атомов посторонних веществ. Эти атомы могут играть роль доноров или акцепторов. Присоединяя и ли отдавая электроны,

Поверхностная рекомбинация является разновидностью рекомбинации через ловушки. На поверхности кристалла полупроводника вследствие нарушения кристаллической структуры образуются .так называемые поверхностные состояния с энергетическими уровнями, лежащими в запрещенной зоне. Поверхностные состояния возникают также в'результате окисления поверхности и адсорбции атомов посторонних веществ. Эти атомы могут играть роль доноров или акцепторов. Присоединяя и ли отдавая электроны,

В микроэлектронике наибольшее распространение получили следующие структуры контактов: металл—металл, металл—полупроводник, металл—диэлектрик, полупроводник—полупроводник и полупроводник—диэлектрик. Контакты двух металлов наиболее распространены, поскольку интегральные микросхемы содержат большое число контактов, рабочие напряжения которых близки к контактным разностям потенциалов. Такие контакты представляют, по существу, структуру металл—диэлектрик—металл независимо от способа их создания. Тонкий диэлектрический слой образуется в результате окисления поверхности исходной пленки. Поскольку металлические контакты используются в качестве омических, их свойства не всегда оказываются удовлетворительными.

ние под действием электрических разрядов. Часто наблюдается увлажнение изоляционных масел. Вода попадает в масло из воздуха, из плохо высушенной твердой изоляции, например из обмоток трансформаторов, а также образуется в результате окисления углеводородов масла.

Оксиды азота образуются в результате окисления как молекулярного азота воздуха, так и азота, содержащегося в топливе. Экспериментальные исследования показали, что основная доля образовавшихся в топках котлов N0^ (96—100 %) приходится на монооксид (оксид) азота N0. При типичных условиях факельного сжигания топлив в котлах молярные концентрации диоксида азота N02, как правило, пренебрежимо малы по сравнению с содержанием N0 и обычно составляют от 0 до 0,0030 %.

Оксиды азота образуются в результате окисления как молекулярного азота воздуха, так и азота, содержащегося в топливе. Экспериментальные исследования показали, что основная доля образовавшихся в топках котлов NOj. (96—100 %) приходится на монооксид (оксид) азота NO. При типичных условиях факельного сжигания топлив в котлах молярные концентрации диоксида азота NO2, как правило, пренебрежимо малы по сравнению с содержанием NO и обычно составляют от 0 до 0,0030 %.

пространяясь под слой SisN4 или же, наоборот, запаздывать. Как видно на 4.48, г в результате окисления, проведенного после ионной имплантации В, происходит диффузия, в том числе в горизонтальном направлении.