Результате одновременного

Регулирование изменением числа пар полюсов осуществляется изменением схемы соединения обмотки статора с помощью переключателя. Обмотка каждой фазы двухскоростного асинхронного двигателя состоит из нескольких частей, которые соединяются между собой параллельно или последовательно. В результате образуются разные числа пар полюсов. На 10.25, а изображена обмотка одной фазы статора, имеющая две части, которые соединены между собой параллельно, на 10.25,6 — последовательно.

Аморфные полупроводники изготовляют в виде тонких пленок напылением или осаждением на подложку. Если температура подложки невысока, попадающие на нее атомы не имеют достаточной энергии для перемещения (миграции) и не могут выстроиться в кристаллическую решетку. В результате образуются пленки с некристаллической структурой, характерной особенностью которых по сравнению со стеклами является отсутствие эффекта размягчения. В процессе нагрева такой материал при некоторой температуре переходит из твердого некристаллического состояния в кристаллическое.

Через полученные окна происходит диффузия примеси «-типа, проникающей в глубь подложки. В результате образуются слои re-типа (островки), изолированные от подложки и от соседних островков с помощью запертых р-и-переходов ( 3.2, в). Такие островки являются основой для создания всех элементов ИМС.

нелирующих электронов [см. (4.11)]. Большая концентрация примесей в п- и р-областях туннельного диода приводит к расщеплению примесных уровней. В результате образуются примесные зоны / и 2 ( 3.4, а), которые сливаются с зоной проводимости в л-полупроводнике и с валентной зоной в /7-полупроводнике; р- и л-области становятся вырожденными. На 3.4, а приведена энергетическая диаграмма туннельного диода. Если на туннельный-диод подать небольшое прямое смещение ell, то электроны из зоны проводимости будут туннелировать на противостоящие им свободные уровни валентной зоны ( 3.4, б). С повышением прямого смещения прямой туннельный ток будет возрастать и станет наибольшим, когда максимальной концентрации электронов в примесной зоне будет соответствовать максимальное число свободных уровней в валентной зоне ( 3.4, в). При дальнейшем повышении прямого смещения перекрытие уровней ?с и ?s будет уменьшаться, что приведет к снижению туннельного тока ( 3.4, г), и когда уровень $с расположится против уровня ?В, туннелиро-вание электронов прекратится ( 3.4, д). При этом прямой ток не уменьшится до нуля, так как с повышением прямого смещения начинают возрастать диффузионные потоки JnD и JpD электронов и дырок через переход ( 3.4, е).

Рассмотрим кратко особенности диффузии примесей в кремнии и германии. Представляющие наибольший интерес электрически активные примеси — элементы III и V групп — образуют прочные ковалентные связи с атомами кристаллических решеток этих полупроводников. В результате образуются твердые растворы замещения, что обусловливает высокую растворимость элементов III и V групп в кремнии и германии. Так, в кремнии предельная растворимость бора составляет 1027 м~3, галлия — 1026, фосфора - 1028, мышьяка — 1026 м~3.

При падении потока излучения на фотопроводящий материал ( 1.19, б) световая энергия поглощается и в результате образуются пары носителей — электроны и дырки. Если теперь к полупроводнику приложить внешнее электрическое поле, дырки начнут двигаться в одном направлении, а электроны — в другом и в результате потечет электрический ток. Чем выше интенсивность светового потока, тем больший ток будет протекать через фоторезистор при одном и том же приложенном напряжении.

В результате образуются карманы, в каждом из которых размещена структура п - п+ типа, изолированная с боковых сторон толстым слоем диоксида кремния, а снизу — л+ - р~ переходом. После этого пленку нитрида кремния удаляют и формируют маску из слоя диоксида кремния, закрывающую те участки, в которых будут создаваться коллекторные контактные области ( 3.5, г). Диффузией бора (или ионным легированием) получают базовый слой р-типа. При этом независимо от точности совмещения маски боковые границы базового слоя совмещаются с границами изолирующего диоксида кремния, так как он сам также служит маской. Таким методом получают самосовмещенную базу.

ся боковые окисные стенки 7 до уровня эмиттерного перехода переключательного транзистора. Наносят слой нелегированного поликремния 4, проводят его локальное травление и легирование бором. Ионным легированием бором формируют активные базовые области / переключательных транзисторов, расположенные на уровне поликремниевых электродов. В результате образуются контакты с боковой поверхностью базы. Ионным легированием мышьяком создают коллекторные области 2п+-типа. Эмиттерная 8 (инжекторная) и коллекторная 9 области токозадающего/7-ге-/? транзистора, а также области пассивной базы переключательного п-р-п транзистора образуются вследствие боковой диффузии бора из поликристаллического кремния.

Как химические, так и физические нарушения структуры искажают кристаллическую решетку чистого вещества и сильно изменяют его свойства. Эти дефекты взаимосвязаны и возникновение одного из них в чистом веществе способствует скоплению в дефектной области других. Это происходит вследствие стремления дефектов различной природы к объединению. В результате образуются комплексы, например типа вакансия — примесь и др. Макродефокты структуры также способствуют концентрации примесей, которые скапливаются на меж-кристаллитных границах, на поверхности кристалла и т. д.

слой. При толщине электрической изоляции 5 -~ 10 мкм глубина приэлектродного слоя составляет 1—2 мкм. В органических и неорганических диэлектриках, используемых в технике, могут иметь место несовершенства структуры, такие, как примеси и дефекты. В результате образуются ловушки для электронов с глубиной 0,1—0,3 эВ. Электроны могут быть высвобождены из таких ловушек и переведены в зону проводимости нагревом, облучением светом, ионизирующим излучением, сильным электрическим полем. Такие механизмы генерации электронов и дырок обусловливают электронную электропроводность диэлектрика. Свободные электроны в сильных электрических полях могут образовываться и в результате ударной ионизации. Характерная зависимость удельного сопротивления диэлектрика с электронной электропроводностью показана-на 5.7. На участке / уменьшение рг вызывается увеличением концентрации носителей заряда за счет ионизации ловушек. Этот участок называется областью примесной электропроводности. На участке 2, где все ловушки ионизированы, увеличение сопротивления обусловливается торможением носителей заряда при их взаимодействии с совершающими тепловые колебания частицами, из которых построен диэлектрик. Наконец, на участке 3 энергия, которую получает диэлектрик при нагреве, достаточна для ионизации собственных частиц. Поэтому концентрация носителей заряда снова начинает расти, теперь уже с большей скоростью, и сопротивление снова начинает уменьшаться.

В электрическом поле в частицах, из которых построен диэлектрик, связанные положительные и отрицательные заряды смещаются. В результате образуются электрические диполи с электрическим вектором m -- ql, где q — суммарный положительный (и численно равный ему суммарный отрицательный) заряд частицы, Кл; / — расстояние между центрами положительного и отрицательного заряда, плечо диполя, м ( 5.10, б). Поэтому на поверхности диэлектрика образуются поляризационные заряды: отрицательный у положительного электрода, и наоборот. Для компенсации этих поляризационных зарядов источником электрического напряжения создается дополнительный связанный заряд Qa. Суммарный полный заряд Q в конденсаторе с диэлектриком равен

На 2.8(а) заштрихованная область представляет сверхпроводящее состояние, а незаппрИАОванная область вне кривой PQ — нормальное состояние материала. Эта кривая называется граничной кривой. Если материал используется в условиях температуры и магнитной индукции, соответствующих точке X диаграммы состояния, то сверхпроводимость может быть нарушена при нагреве (переход через кривую PQ в точке Y) или при повышении магнитной индукции (переход через кривую PQ в точке Z), а в более общем случае в результате одновременного повышения как температуры, так и магнитной индукции с пересечением пограничной кривой PQ в любой ее точке между точками Y и Z, Так как впервые ставшие известными сверхпроводники (простые сверхпроводники) имели лишь весьма малые значения В№ с (левая часть табл. 2.1), попытки практического использования явления сверхпроводимости были оставлены почти на 50 лет, вплоть до открытия твердых сверхпроводников в 50s годах нашего столетия.

Аддитивная коррекция. При аддитивной коррекции уменьшение погрешности осуществляется за счет смещения функции преобразования. Для выявления погрешности, как правило, используется образцовый обратный преобразователь ОП ( 6.5), поскольку его просто построить. Операция выделения сигнала погрешности Ал: происходит в результате одновременного или разновременного получения и вычитания двух сигналов —, входного х и х0. п на выходе ОП. Усиленный вспомогательным каналом ВК. разностный сигнал уг используется для введения поправки в результат измерения.

В гетеродинных частотомерах процесс сравнения неизвестной и образцовой частот осуществляется с помощью нелинейного элемента (смесителя). В результате одновременного воздействия двух частот на нелинейный элемент на его выходе образуются сложные колебания, одна из составляющих которых имеет разностную частоту Д/ = \f0 — — fx \ и называется биением. По значениям образцовой и разностной частот определяют неизвестную частоту. Основной источник погрешности при гетеродинном методе — погрешность измерения разностной частоты. Недостатком рассмотренного метода является невозможность определения знака разностной частоты непосредственно в процессе измерения. Кроме того, метод дает ложный результат, если внутри интервала измерения знак А/ меняется. Применение гетеродинного метода совместно с частотомерами непосредственной оценки позволяет повысить верхнюю границу измеряемых частот до сотен мегагерц.

В гетеродинных частотомерах процесс сравнения неизвестной и образцовой частот осуществляется с помощью нелинейного элемента (смесителя). В результате одновременного воздействия двух частот на нелинейный элемент на его выходе образуются сложные колебания, одна из составляющих которых имеет разностную частоту А/ = /0 — — fx и называется биением. По значениям образцовой и разностной частот определяют неизвестную частоту. Основной источник погрешности при гетеродинном методе — погрешность измерения разностной частоты. Недостатком рассмотренного метода является невозможность определения знака разностной частоты непосредственно в процессе измерения. Кроме того, метод дает ложный результат, если внутри интервала измерения знак А/ меняется. Применение гетеродинного метода совместно с частотомерами непосредственной оценки позволяет повысить верхнюю границу измеряемых частот до сотен мегагерц.

тельные лампы. Эти лампы имеют, как правило, две управляющие сетки, на каждую из которых могут подаваться сигналы разных частот. В результате одновременного воздействия на анодный ток двух переменных напряжений в анодной цепи ламп возникают токи комбинационных частот и, следовательно, происходит преобразование частот.

Простейшие преобразования могут быть применены и к петлевым графам для устранения некоторых вершин, но при этом необязательно понижается сложность графа. Так, например, после преобразования, показанного на 1-6, а, конечный граф имеет второй порядок. Если же в качестве конечных выбраны существенные вершины, являющиеся комбинацией источников и стоков, то конечный существенный граф имеет тот же порядок, что и исходный граф. Иллюстрацией к этому случаю являются остальные позиции на 1-6. Конечный граф может быть получен сразу в результате одновременного исключения нескольких вершин и вычисления конечных коэффициентов передачи по исходному графу. Поскольку выбор существенных вершин неоднозначен, можно получить разные конечные существенные графы для одного и того же исходного графа, что показано на примерах 1-6,г и д.

В результате одновременного действия обеих составляющих траектория движения электрона принимает вид спирали.

В химически чистом кристалле полупроводника число дырок всегда равно числу свободных электронов и электрический ток в нем образуется в результате одновременного переноса зарядов обоих знаков. Такая электронно-дырочная проводимость называется собственной проводимостью полупроводника. При этом общий ток в полупроводнике равен сумме электронного и дырочного токов. Это условие может быть записано так:

Рассмотрим систему, состоящую из п подсистем и однократно испытывающую К одинаковых по интенсивности (мощности) одновременных внешних воздействий. Предположим, что одна подсистема может испытывать лишь одно внешнее воздействие из множества К (это условие всегда может быть удовлетворено соответствующей дифференциацией системы), т.е. К^п. Пусть воздействие на i-ю подсистему приводит к погашению нагрузки величиной С,-. Следует заметить, что при воздействии на i-ю подсистему погашение нагрузки может быть как у данной, так и у иных подсистем системы. Понятно, что в результате одновременного воздействия на некоторую совокупность подсистем системы суммарная мощность погашенной нагрузки

Во избежание короткого замыкания в цепи статора, которое может возникнуть в результате одновременного ошибочного нажатия кнопок SB1 и SB2 в реверсивных магнитных пускателях предусматривается специальная механическая блокировка, которая представляет собой рычажную систему, предотвращающую одновременное включение двух контакторов. В дополнение к механической в такой схеме используется типовая электрическая блокировка, применяемая в реверсивных схемах управления, которая заключается в перекрестном включении размыкающих контактов контактора КМ1 в цепь катушки контактора КМ2 и наоборот.

Выше мы рассмотрели диамагнетизм, возникающий вследствие ларморовой прецессии электронных орбит внутри атома. Если вещество является металлом, то возникает еще дополнительный диамагнитный эффект, обусловленный электронами проводимости. Этот эффект был открыт теоретически Л. Д. Ландау, который показал, что искривление путей электронов в магнитном поле, вызываемое силой Лорентца, приводит также к появлению диамагнетизма (диамагнетизм свободных электронов). Расчеты, однако, показывают, что этот диамагнетизм в три раза меньше парамагнетизма, обусловленного собственными магнитными моментами электронов. Поэтому диамагнетизм свободных электронов непосредственно на опыте не наблюдается и электронный газ в металлах в результате одновременного наложения обоих эффектов оказывается всегда парамагнитным.

С увеличением воздушного зазора уменьшается эквивалентная магнитная проницаемость цш магнитной среды электромагнита. В результате одновременного изменения /0 и \хэк, как это вытекает из (6-3) и (6-2), уменьшается индуктивное сопротивление и увеличивается ток катушки. Графики изменения тока и тягового усилия изображены на 6-26,6. Из графика видно, что ток в катушке при втянутом якоре во много раз меньше, а тяговое усилие в 2 — 3 раза больше, чем в исходном положении якоря. Длительная работа электромагнита возможна с полностью втянутым якорем. При разомкнутой магнитной системе вследствие значительного тока катушка может перегреться и выйти из строя.