Представить следующим

Наряду с двумя простейшими классами случайных технологических факторов — гауссовскими и марковскими, которые находят широкое применение в статистической теории ТС, весьма полезны полигауссовы модели. Взаимоотношения между марковскими, гауссовскими и полигауссовыми случайными функциями удобно представить следующей диаграммой, которую будем называть «диаграммой случайных функций». Отложим на оси абсцисс — оси аргументов — конечный интервал и разобьем его на конечное число частей, как показано на 3.11. Вдоль оси ординат — оси вероятностных моментов — будем откладывать число начальных моментных функций, которое может быть использовано для опи-80

при заданных численных значениях а, с, х. Программу вычислений F можно представить следующей последовательностью команд:

Процесс решения можно представить следующей последовательностью операций:

Алгоритм получения из матрицы Астр матрицы F можно представить следующей последовательностью шагов:

Тогда, считая, что все арифметические операции непосредственно выполняются ЦВМ, программу вычислений можно представить следующей последовательностью команд.

Тогда каждую ветвь обмотки можно представить следующей схемой замещения ( 5.9).

На основании изложенного процесс последовательного определения элементов можно представить следующей схемой:

Тогда, считая, что все арифметические операции непосредственно выполняются ЦВМ, программу вычислений можно представить следующей последовательностью команд.

ее анода иа2 понизится, что приведет к понижению потенциала сетки иС2 лампы Л2 (через конденсатор связи}, уменьшению ее анодного тока t'az, уменьшению падения напряжения на RK, что эквивалентно уменьшению отрицательного напряжения иСк\ между сеткой и катодом лампы Л] и в результате — к дальнейшему возрастанию тока r'ai лампы Л\. Если результирующее изменение анодного тока больше первоначального, то произойдет пэоцесс, который можно представить следующей условной записью:

На основании изложенного процесс последовательного определения элементов можно представить следующей схемой:

На основании изложенного процесс последовательного определения элементов Zlt K2, Z3, ... можно представить следующей схемой:

Квантовые приборы диапазона свч обладают очень низким уровнем собственных шумов, в связи с чем коэффициент Кш оказывается близок к единице. В таких условиях более удобно характеризовать шумы при помощи эквивалентной шумовой температуры Тш- Мощность шумов на выходе усилителя можно представить следующей суммой:

Физическое содержание смешанных случайных моделей технологических факторов можно представить следующим образом. Оно отражает возможность дополнения, усиления исходного комплекса условий производства таким образом, что эти усиленные более точно выдерживаемые конкретные ограничения условий производства приводят к типовым моделям технологических факторов. При этом результирующий комплекс технологических условий является относительно широким. Таким образом, соображения как феноменологического, так и теоретико-вероятностного характера приводят к тому, что практически все ТО и ТП производства РЭА соответствуют подобным представлениям.

Так как Q(x, t) зависит и от t, то (4.84) можно представить следующим образом:

Поэтому заштрихованные на 1.9 площади представляют собой величину энергии, которую надо затратить для изменения направления намагничивания от легкого до трудного. Эту энергию называют энергией естественной кристаллографической магнитной анизотропии. Для кубического кристалла ее можно представить следующим образом:

нитным состоянием перемычки между отверстиями ( 7.9, б). Процессы записи и считывания в биаксе можно представить следующим образом. Для записи «1» или «О» в обмотки шзап и WK подаются импульсы тока величиной, достаточной для намагничивания материала до насыщения. Причем в обмотку WK подается всегда импульс одного знака, а в обмотку w,iaa — разных знаков при записи «О» или «1».

Физически процесс возбуждения параметрических колебаний можно представить следующим образом. Пусть в колебательном контуре с параметрами /?, L, С в момент времени 10 протекает ток i ( 7.15). Если в этот момент увеличить индуктивность на AL, то энергия электромагнитного поля, запасенного в катушке, возрастет на AW = = (L0 + AL)r/2 — L,,t'2/2 = Д/л'2/2. Ток в контуре начнет убывать, а энергия магнитного поля катушки станет переходить в энергию электрического поля конденсатора. В момент времени (lt т. е. через четверть периода, возвратим индуктивности ее прежнее значение L0. Тогда запасенная в контуре дополнительная энергия AW должна будет вызвать увеличение тока i в контуре; еще через четверть периода,

Расход тепла (топлива) на блок при нагружении можно представить следующим образом:

Алгоритм отыскания решения по методу Бройдена можно представить следующим образом [15].

Аналогично решению (3.13) одномерного уравнения (3.7), избыточную концентрацию носителей заряда на поьерхности образца для мгновенного точечного источника, помещенного в точку с координатами х'у', можно представить следующим образом:

Для направленных защит, например токовых направленных, как и рассмотренных выше ненаправленных, принцип работы можно представить следующим структурным выражением:

При протекании по катушкам постоянных токов 1\ и /2 уравнение преобразования можно представить следующим выражением:

Выражение (13.11) можно представить следующим образом: kPdt = c3dcn. (13.12)